一种可控硅三极管保护电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种可控硅三极管保护电路，包括负载电路，所述负载电路串联有用于控制所述负载电路开关的三极管，所述三极管基极连接有保护电路，所述保护电路采用单向可控硅进行电路控制。本实用新型专利技术通过对三极管电路中的电压电流进行采样来控制单向可控硅的导通和关闭，能够在三极管电路过压过流情况下自动实现三极管的关闭，能够有效地保护三极管，具有电路简单、成本低的特点。成本低的特点。成本低的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅三极管保护电路


[0001]本技术涉及电子电路领域，特别是涉及一种可控硅三极管保护电路。

技术介绍

[0002]三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
[0003]传统的三极管过压过电流保护电路通过可恢复热敏电阻来实现。成本昂贵，反应速度慢，恢复速度慢等缺陷。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于，提供一种可控硅三极管保护电路，能够快速实现三极管电路的保护，同时电路成本低。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供一种可控硅三极管保护电路，包括负载电路，所述负载电路串联有用于控制所述负载电路开关的三极管，所述三极管基极连接有保护电路，所述保护电路采用单向可控硅进行电路控制。
[0006]进一步的，所述负载电路包括串联连接的负载以及负载电源，且所述三极管集电极以及发射极串联在负载电路中。/>[0007]进一步的，所述保护电路包括控制电源以及与所述控制电源串联连接的保护电阻和单向可控硅，且所述三极管基极与所述单向可控硅阳极连接，所述单向可控硅触发极通过采样电阻串联在所述负载电路中。
[0008]进一步的，所述采样电阻串联在三极管发射极以及负载电源负极之间，且所述单向可控硅触发极与所述三极管发射极连接。
[0009]进一步的，所述控制电源正负极之间连接有主动控制开关。
[0010]相比于现有技术，本技术至少具有以下有益效果：
[0011]本技术通过对三极管电路中的电压电流进行采样来控制单向可控硅的导通和关闭，能够在三极管电路过压过流情况下自动实现三极管的快速关闭，能够有效地保护三极管，具有电路简单、成本低的特点。
附图说明
[0012]图1为本技术可控硅三极管保护电路一个实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面将结合示意图对本技术的可控硅三极管保护电路进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。
[0014]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0015]如图1所示，本技术实施例提出了一种可控硅三极管保护电路，包括负载电路，所述负载电路串联有用于控制所述负载电路开关的三极管，所述三极管基极连接有保护电路，所述保护电路采用单向可控硅进行电路控制。
[0016]在本实施方式中，通过三极管工作在饱和状态以及截止状态下进行负载电路的开关控制，保护电路实时对负载电路的电压电流进行采样，当负载电路中的电压电流超过安全值时，保护电路输出给三极管基极低电平，使得三极管处于截止关闭状态，此时负载电路关闭，当负载电路中的电压电流处于安全值范围内时，保护电路输出给三极管基极高电平，使得三极管处于饱和导通状态，此时负载电路正常工作。通过对负载电路进行实时采样，并在电压电路超出安全值范围时自动进行负载电路的切断，能够有效地保证负载电路工作的安全稳定性。
[0017]以下列举所述可控硅三极管保护电路的较优实施例，以清楚的说明本技术的内容，应当明确的是，本技术的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本技术的思想范围之内。
[0018]所述负载电路包括串联连接的负载以及负载电源，且所述三极管集电极以及发射极串联在负载电路中。在本实施方式中，三极管作为负载的控制开关，通过对三极管基极电流进行控制，使得三极管分别处于截止关闭状态以及饱和导通状态来实现负载工作的开关控制。
[0019]所述保护电路包括控制电源以及与所述控制电源串联连接的保护电阻和单向可控硅，且所述三极管基极与所述单向可控硅阳极连接，所述单向可控硅触发极通过采样电阻串联在所述负载电路中。在本实施方式中，通过采样电阻对负载电路中的电压电流进行采样，当采样电压电流超出安全值范围时，单向可控硅触发极电压信号达到触发电压，此时单向可控硅导通，三极管基极为低电平，三极管关闭，负载电路停止工作。当采样电压电流处于安全值范围内时，单向可控硅触发极电压信号未达到触发电压，此时单向可控硅关闭，三极管基极为高电平，三极管导通，负载电路处于正常工作状态。
[0020]所述采样电阻串联在三极管发射极以及负载电源负极之间，且所述单向可控硅触发极与所述三极管发射极连接。在本实施方式中，采样电阻串联在三极管发射极以及负载电源负极之间，能够对负载电路中的电压电流进行采样，从而实现负载电路的保护。
[0021]所述控制电源正负极之间连接有主动控制开关。在本实施方式中，主动控制开关能够在导通情况下，使得三极管基极处于低电平，进而切断负载电路的运行，能够主动控制负载电路的关闭。
[0022]综上所述，本技术通过对三极管电路中的电压电流进行采样来控制单向可控
硅的导通和关闭，能够在三极管电路过压过流情况下自动实现三极管的快速关闭，能够有效地保护三极管，具有电路简单、成本低的特点。
[0023]显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控硅三极管保护电路，其特征在于，包括负载电路，所述负载电路串联有用于控制所述负载电路开关的三极管，所述三极管基极连接有保护电路，所述保护电路采用单向可控硅进行电路控制。2.如权利要求1所述的可控硅三极管保护电路，其特征在于，所述负载电路包括串联连接的负载以及负载电源，且所述三极管集电极以及发射极串联在负载电路中。3.如权利要求1所述的可控硅三极管保护电路，其特征在于，所述保护电路包括控制电源以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴江，
申请(专利权)人：芯宙集成电路上海有限公司，
类型：新型
国别省市：