开关电路、集成电路和电子设备制造技术

本申请涉及半导体器件，提供了一种开关电路，包括第一LDMOS器件和第二LDMOS器件，所述第一LDMOS器件的源极、体端和所述第二LDMOS器件的源极、体端共接，所述第一LDMOS器件的栅极和所述第二LDMOS器件的栅极共接，用于接入驱动电压；所述第一LDMOS器件的漏极作为输入端，所述第二LDMOS的漏极作为输出端。将两个高压LDMOS器件的源极和体短接，两个LDMOS的漏端可以承受正负高压的结构，增加了开关电路的工作电压范围。电压范围。电压范围。

【技术实现步骤摘要】
开关电路、集成电路和电子设备


[0001]本申请属于集成电路
，尤其涉及一种开关电路和电子设备。

技术介绍

[0002]刺激功能芯片在电生理技术的研究和应用中有较大需求。为了增强对生物组织的刺激效果，需要提高刺激功能电路的输出电流和正、负工作电压。在刺激过程结束后，要将由芯片刺激端口电路引起的残余电荷经芯片内部的开关泄放到地上。这个泄放残余电荷的开关，主要的工作状态即有两种。其一，高压端口工作时，端口电压表现为正、负高压，泄放电荷的开关要保持断开状态。其二，当高压端口不输出刺激电流时，泄放电荷的开关闭合，将端口处的残余电荷泄放到地电位上。
[0003]普通的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)工艺中实现开关电路较为简单，单独一个NMOS器件即可实现一个开关功能。但高压应用中，较高的漏源电压会击穿NMOS器件的漏结。
[0004]而可以选用BCD(Bipolar—双极管、CMOS、DMOS)工艺实现高压工作的芯片电路，因为其横向扩散金属氧化物半导体(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电路，其特征在于，包括第一LDMOS器件和第二LDMOS器件，所述第一LDMOS器件的源极、体端和所述第二LDMOS器件的源极、体端共接，所述第一LDMOS器件的栅极和所述第二LDMOS器件的栅极共接，用于接入驱动电压；所述第一LDMOS器件的漏极作为输入端，所述第二LDMOS的漏极作为输出端。2.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述第一LDMOS器件的和所述第二LDMOS器件相同。3.如权利要求1所述的开关电路，其特征在于，所述驱动电压加载在所述第一LDMOS器件和所述第二LDMOS器件上形成的栅源电压大于的阈值电压时，所述第一LDMOS器件和所述第二LDMOS器件导通；所述驱动电压加载在所述第一LDMOS器件和所述第二LDMOS器件上形成的栅源电压为零时，所述第一LDMOS器件和所述第二LDMOS器件关断。4.如权利要求1至3任一项所述的开关电路，其特征在于，还包括用于产生所述驱动电压的驱动电路。5.如权利要求4所述的开关电路，其特征在于，所述驱动电路包括一个偏置电流源、一个开关器件以及一个偏置电阻；所述偏置电流源一端连接电源，另一端连接所述开关器...

【专利技术属性】
技术研发人员：安奇，王怡珊，李烨，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：