射频开关系统、射频开关保护电路及其保护方法技术方案

提供了一种射频(RF)开关系统、RF开关保护电路及其保护方法。所述RF开关系统可包括第一RF开关和保护电路。所述第一RF开关可连接在接收RF信号的端口与地之间。所述保护电路可检测作为在所述第一RF开关断开时生成的电压的第一电压，并且可为所述端口供应基于所述第一电压而变化的阻抗值。压而变化的阻抗值。压而变化的阻抗值。

【技术实现步骤摘要】
射频开关系统、射频开关保护电路及其保护方法


[0001]以下描述涉及一种射频开关系统、射频开关保护电路及其保护方法。

技术介绍

[0002]射频(RF)开关表示在通信模块的发射端和接收端中通常使用的元件，并且用于使得RF信号通过或者将RF信号旁路到地。RF开关还可用于改变天线的使用频率，并且RF开关可连接在天线与阻抗组件之间，以对阻抗组件到天线的连接进行开关。
[0003]承受高功率的RF信号的耐受电压特性是RF开关中的重要方面。当RF开关断开时，施加高电压，因此RF开关的线性度可能受到影响并且RF开关可能被损坏。断开的开关应承受的电压受到限制，因此RF开关通过用于串联连接多级晶体管的方法来实现，以防止RF开关击穿。当通过实施串联的多级晶体管来实现RF开关时，可减小分配给一个晶体管的电压，以防止RF开关击穿。
[0004]当向来自多级晶体管之中的特定级分配高电压时，RF开关可能被击穿。为了解决这种问题，可串联连接更多的晶体管。然而，当使用很多晶体管时，RF开关的导通阶段的特性可能劣化。为了应对这种情况，可增加晶体管的总宽度，然而，这会增大集成电路的尺寸。
[0005]以上信息仅作为背景信息来呈现，以帮助理解本公开。上述记载不应被解释为这些内容属于本公开的现有技术。

技术实现思路

[0006]提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对选择的构思进行介绍，下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0007]在一个总体方面，一种射频(RF)开关系统包括：第一RF开关，连接在接收RF信号的端口与地之间；以及保护电路，被配置为检测在所述第一RF开关断开时生成的第一电压，并且为所述端口供应阻抗值，其中，所述阻抗值基于检测到的所述第一电压而变化。
[0008]所述保护电路可连接在所述端口与所述地之间。
[0009]当检测到的第一电压升高时，所述阻抗值可降低。
[0010]所述第一RF开关可包括至少一个晶体管，并且所述第一电压可被施加到所述至少一个晶体管中的每个晶体管的栅极和基体中的至少一个。
[0011]所述RF开关系统还可包括电压生成器，所述电压生成器被配置为生成所述第一电压，并且将生成的所述第一电压施加到所述至少一个晶体管中的每个晶体管的栅极和基体中的至少一个，其中，所述第一电压是负电压。
[0012]所述RF开关系统还可包括第二RF开关，所述第二RF开关连接在所述端口与天线之间，并且可被配置为对所述RF信号到所述天线的传输进行开关，其中，所述第二RF开关可被配置为在所述第一RF开关接通时断开。
[0013]所述第一RF开关的第一端可连接到所述端口，所述第一RF开关的第二端与所述地
之间可连接有阻抗组件，并且所述第一RF开关可被配置为接通或断开所述阻抗组件的连接路径，以调谐天线。
[0014]所述第一RF开关可包括第二RF开关和第三RF开关，所述第二RF开关的第一端可连接到所述端口，所述第二RF开关的第二端与所述地之间可连接有阻抗组件，所述第三RF开关可连接在所述第二RF开关的所述第二端与所述地之间，并且当所述第二RF开关和所述第三RF开关中的至少一个断开时，生成所述第一电压。
[0015]所述保护电路可包括：电压检测器，被配置为接收所述第一电压，并且生成对应于所述第一电压的第二电压；以及阻抗变化单元，被配置为为所述端口供应可根据所述第二电压而变化的阻抗值。
[0016]所述阻抗变化单元可包括：至少一个晶体管，所述至少一个晶体管的第一端连接到所述端口；以及阻抗组件，连接在所述至少一个晶体管与所述地之间，并且所述至少一个晶体管的阻抗值基于所述第二电压的控制来改变。
[0017]所述阻抗变化单元还可包括电压限制器，所述电压限制器连接在所述端口与所述至少一个晶体管之间。
[0018]所述阻抗变化单元可包括：电压限制器，所述电压限制器的第一端连接到所述端口；可变电容器，所述可变电容器的第一端连接到所述电压限制器的第二端；以及阻抗组件，连接在所述可变电容器的第二端与所述地之间，并且所述可变电容器的阻抗值基于所述第二电压的控制来改变。
[0019]所述阻抗变化单元还可包括可变电容器，所述可变电容器连接在所述端口与所述至少一个晶体管的所述第一端之间，并且所述可变电容器的阻抗值基于所述第二电压的控制来改变。
[0020]在一个总体方面，一种保护连接在接收RF信号的端口与地之间的RF开关的射频(RF)开关保护电路包括：电压检测器，被配置为检测施加到所述RF开关以使所述RF开关断开的第一电压；以及阻抗变化单元，被配置为在所述端口与所述地之间供应根据所述第一电压而变化的阻抗值。
[0021]当所述第一电压升高时，所述阻抗值可降低。
[0022]所述RF开关可包括多个晶体管，所述第一电压可被施加到所述多个晶体管中的每个晶体管的基体，所述第一电压可预定为负电压，并且当所述RF开关的两端处的电压增大时，所述第一电压可升高到比所述负电压高的水平。
[0023]所述阻抗变化单元可包括晶体管和可变电容器中的至少一者，所述晶体管具有基于所述第一电压而变化的阻抗值。
[0024]所述阻抗变化单元还可包括电压限制器，所述电压限制器包括至少一个二极管，并且连接在所述端口与至少一个元件之间。
[0025]在一个总体方面，一种用于保护连接在接收RF信号的端口与地之间的射频(RF)开关的方法包括：检测施加到所述RF开关以使所述RF开关断开的第一电压；当所述第一电压等于第二电压时，在所述端口与所述地之间供应第一阻抗值；以及当所述第一电压是比所述第二电压高的第三电压时，在所述端口与所述地之间供应比所述第一阻抗值低的第二阻抗值。
[0026]所述第二电压可以是负电压，并且当所述RF开关的两端处的电压增大时，所述第
一电压可升高到所述第三电压。
[0027]通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
[0028]图1示出了根据一个或更多个实施例的示例RF开关。
[0029]图2示出了根据一个或更多个实施例的示例RF开关。
[0030]图3示出了根据一个或更多个实施例的示例RF开关系统。
[0031]图4示出了图3的示例RF开关。
[0032]图5示出了根据一个或更多个实施例的示例RF开关保护电路的框图。
[0033]图6示出了根据一个或更多个实施例的RF开关系统的操作的概念图。
[0034]图7A至图7D示出了根据一个或更多个实施例的示例RF开关保护电路。
[0035]图8示出了根据示例性实施例的电压限制器。
[0036]在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频开关系统，包括：第一射频开关，连接在接收射频信号的端口与地之间；以及保护电路，被配置为检测在所述第一射频开关断开时生成的第一电压，并且为所述端口供应阻抗值，其中，所述阻抗值基于检测到的所述第一电压而变化。2.根据权利要求1所述的射频开关系统，其中，所述保护电路连接在所述端口与所述地之间。3.根据权利要求1所述的射频开关系统，其中，当检测到的所述第一电压升高时，所述阻抗值降低。4.根据权利要求1所述的射频开关系统，其中：所述第一射频开关包括至少一个晶体管，并且所述第一电压被施加到所述至少一个晶体管中的每个晶体管的栅极和基体中的至少一个。5.根据权利要求4所述的射频开关系统，所述射频开关系统还包括：电压生成器，被配置为生成所述第一电压，并且将生成的所述第一电压施加到所述至少一个晶体管中的每个晶体管的栅极和基体中的至少一个，其中，所述第一电压是负电压。6.根据权利要求1所述的射频开关系统，所述射频开关系统还包括：第二射频开关，连接在所述端口与天线之间，并且被配置为对所述射频信号到所述天线的传输进行开关，其中，所述第二射频开关被配置为在所述第一射频开关接通时断开。7.根据权利要求1所述的射频开关系统，其中：所述第一射频开关的第一端连接到所述端口，所述第一射频开关的第二端与所述地之间连接有阻抗组件，并且所述第一射频开关被配置为接通或断开所述阻抗组件的连接路径，以调谐天线。8.根据权利要求1所述的射频开关系统，其中：所述第一射频开关包括第二射频开关和第三射频开关，所述第二射频开关的第一端连接到所述端口，所述第二射频开关的第二端与所述地之间连接有阻抗组件，所述第三射频开关连接在所述第二射频开关的所述第二端与所述地之间，并且当所述第二射频开关和所述第三射频开关中的至少一个断开时，生成所述第一电压。9.根据权利要求1所述的射频开关系统，其中：所述保护电路包括：电压检测器，被配置为接收所述第一电压，并且生成对应于所述第一电压的第二电压；以及阻抗变化单元，被配置为为所述端口供应根据所述第二电压而变化的阻抗值。10.根据权利要求9所述的射频开关系统，其中：所述阻抗变化单元包括：至少一个晶体管，所述至少一个晶体管的第一端连接到所述端口；以及
阻抗组件，连接在所述至少一个晶体管与所述地之间，并且所述至少一个晶体管的阻抗值基于所述第二电压的控制来改变。11.根据权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林锺模，黄圆善，赵炳学，罗裕森，许荣植，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：