量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法技术

本发明专利技术涉及的是一种半导体材料技术领域的量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法。包括如下步骤：①用气相外延方法生长单晶硅薄膜和用等离子增强化学气相沉积方法生长硅量子点薄膜；②利用半导体量子输运方法对硅量子点共振隧穿二极管器件的隧穿电流特性进行模拟，进一步调节该二极管的隧穿电流折叠特性；③用气相外延装置先在重掺杂ｐ型单晶硅衬底上生长ｐ型单型硅薄膜，接着在其上生长ｎ型硅量子点薄膜，得到硅量子点共振隧穿二极管器件。本发明专利技术可实现从单稳态到双稳态的转变，并提高双稳态双峰间距，降低阈值电压，提高了逻辑器件的噪声容限，能够提高电路的稳定工作能力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：①确定硅量子点共振隧穿二极管为单晶硅／硅量子点ｐｎ型的反型异质结结构，用气相外延方法生长单晶硅薄膜和用等离子增强化学气相沉积方法生长硅量子点薄膜；②利用半导体量 子输运方法对硅量子点共振隧穿二极管器件的隧穿电流特性进行模拟，在气相外延和等离子增强化学气相沉积生长过程中分别掺入乙硼和磷烷，通过改变乙硼和磷烷掺杂比例来控制硅量子点共振隧穿二极管两侧掺杂浓度，通过控制掺杂浓度下的共振隧穿电流特性，进一步调节该二极管的隧穿电流折叠特性；③用气相外延装置先在重掺杂ｐ型单晶硅衬底上生长ｐ型单型硅薄膜，接着在其上生长ｎ型硅量子点薄膜，得到硅量子点共振隧穿二极管器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文忠，潘葳，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]