【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体,更具体地涉及这样的器件的电连接。
技术介绍
制造(通过形成导电通道)全部穿过电子芯片延伸的电接触点非常困难。高 度精确或可控重复性地制造更不用说要大量制造所述电接触点几乎不可能,除非 满足下列一个或多个条件a)通道很浅,即深度明显小于100微米,b)通道宽 度大,或者c)通道被以大间距,即通道宽度的很多倍的间距分隔。当通道接近到 足以发生信号串扰,或者如果通道穿透的芯片带电,则所述困难会增加,因为通 道中的导体既不允许作为短接线,也不能携带与芯片相应部分不同的电荷。此外, 在一定程度上存在的常规工艺不适用于所形成的集成电路(IC)芯片(即包含有 源半导体器件)并会增加成本,因为这些工艺可能损坏芯片,从而降低最终的生 产率。除了上述困难之外,当通道穿透的材料带电或者当将要穿过通道传送的信 号频率很高,例如超过约0.3 GHz时,还需要考虑电容和电阻的问题。确实,半导体
仍存在诸多问题,这些问题包括使用大尺寸的不成 比例的封装;组装成本不与半导体成比例;芯片成本正比于面积,并且性能最好 的工艺也最贵,但只有一小部分芯片面积真正需要高性能的工艺;当前工艺受限 于电压和其他技术;芯片设计者限于一种设计工艺和一种设计材料;芯片-芯片(通过封装)的连接需要大尺寸,大功率的焊盘驱动器;即使是小改变或修正微小的设计错误也需要对整个新芯片制造一个或多个新掩膜;制造整个新芯片仅掩膜成 本就需要数百万美元;单个芯片的测试困难和复杂,而芯片组合在完成封装之前 的测试甚至更为困难。因此,在技术上非常需要能解决一个或多个上述问题的技术。
技术实现思路
我们已 ...
【技术保护点】
分离两片半导体材料之间的两体积的方法,其特征在于,包含:a)通过在半导体材料的两片之一上施加刚性材料来在所述两片之一上形成第一接触点,所述第一接触点在所述两片之一的区域上方具有高度并形成形状;b)通过施加相对于所述刚性材料的韧性材料,在所述第一接触点的镜像中的两片的另一个上形成第二接触点;c)使得所述两片合起来以致所述两片的相符,相应的部分接触;d)和c)同时或者继c)之后,提高所述接触点的温度至等于或大于发粘温度但是低于会致使所述韧性材料变成液态的温度的温度;以及e)冷却所述两芯片至所述发粘温度以下以致所述形状和所述高度将在半导体材料的两片之间,限定金属密封,将所述金属密封的一边上的第一体积与所述金属密封的另一边上的第二体积分离。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-14 60/690,759;US 2006-6-6 11/422,5511.分离两片半导体材料之间的两体积的方法,其特征在于,包含a)通过在半导体材料的两片之一上施加刚性材料来在所述两片之一上形成第一接触点,所述第一接触点在所述两片之一的区域上方具有高度并形成形状;b)通过施加相对于所述刚性材料的韧性材料,在所述第一接触点的镜像中的两片的另一个上形成第二接触点;c)使得所述两片合起来以致所述两片的相符,相应的部分接触;d)和c)同时或者继c)之后,提高所述接触点的温度至等于或大于发粘温度但是低于会致使所述韧性材料变成液态的温度的温度;以及e)冷却所述两芯片至所述发粘温度以下以致所述形状和所述高度将在半导体材料的两片之间,限定金属密封,将所述金属密封的一边上的第一体积与所述金属密封的另一边上的第二体积分离。2. 如权利要求l所述的方法,其特征在于,所述形成所述第一接触点进一步地包含形成将约束任何在d)期间变成液态的韧性材料的井结构,直至e)完成。3. 如权利要求2所述的方法,其特征在于,进一步地包含继e)之后,提高所述接触点的温度至等于或大于熔融温度但是低于会致使所述 刚性材料变成液态的温度的温度。4. 如权利要求l所述的方法,其特征在于,所述施加所述刚性材料包含-通过溅射沉积处理沉积所述刚性材料。5. 如权利要求l所述的方法,其特征在于,所述施加所述刚性材料包含使用电镀技术将所述刚性材料镀到点火区材料上。6. 如权利要求l所述的方法,其特征在于,所述施加所述刚性材料包含使用化学镀技术将所述刚性材料镀到点火区材料上。7. 如权利要求l所述的方法,其特征在于,所述形状是封闭的几何形状。8. 如权利要求l所述的方法,其特征在于,所述形状是一开放几何形状。9. 如权利要求l所述的方法,其特征在于,所述第一或者第二接触点的至少一个 扩展到其各片半导体材料的至少一部分。10. 设备,其特征在于,包含 彼此连接的两片基底材料,所述两片包括具有限定由所述一对接触点和所述两片限定的体积的外围的封闭的几何形状以 致使所述体积不受液体从所述体积外面穿透的影响的彼此连接的一对接触点。11. 如权利要求IO所述的设备,其特征在于,所述两片基底材料的至少一个包含 掺杂半导体。12. 如权利要求IO所述的设备,其特征在于,所述两片基底材料的至少一个包含 集成电路片。13. 如权利要求IO所述的设备,其特征在于 所述两接触点的一个包含刚性材料,以及所述两接触点的另一个包含相对于所述刚性材料的韧性材料。14. 如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述两接触点在它们之间形成柱和穿透连接。15. 如权利要求13所述的设备,其特征在于,所述刚性材料包含下列之一a) A...
【专利技术属性】
技术研发人员:约翰特雷扎,
申请(专利权)人:丘费尔资产股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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