【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及电力变换装置
本专利技术涉及半导体装置以及电力变换装置,特别涉及具有表面保护膜的半导体装置和使用该半导体装置的电力变换装置。
技术介绍
已知在功率器件等中使用的纵型的半导体装置中,为了确保耐压,在n型的半导体层内的所谓终端区域设置p型的保护环区域(终端阱区域)(例如参照日本特开2013-211503号公报(专利文献1))。由此,通过由半导体层和保护环区域的pn结形成的耗尽层,缓和被施加逆向电压时的电场。另外,在上述公报记载的肖特基势垒二极管(SBD)中,表面电极中的、进行线键合的一部分的区域以外被作为表面保护膜的聚酰亚胺覆盖。另外,还有时将其进而用凝胶等密封树脂密封。此外,这样的表面保护膜以及密封树脂不限于应用于SBD,还能够应用于MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor:金属-氧化物-半导体场效应晶体管)等其他半导体装置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2013-211503号公报
技术实现思路
上述聚酰亚胺等表面保护膜或者凝胶等密封树脂在高湿度下易于包含水分。该水分可能对表面电极造成恶劣影响。具体而言,有时表面电极向水分中溶解或者由于水分和表面电极反应而产生绝缘物的析出反应。在这样的情况下,在表面电极和表面保护膜的界面易于引起表面保护膜的剥离。由于该剥离形成的空洞作为泄漏通道发挥作用,从而可能损害半导体装置的绝缘可靠性。本专利技术是为了解决如以上的课题而完成的,其一个目的在于提供 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置(100~103、200~202、300、301、400~402、500、600、601),其特征在于,/n具备半导体基板(30),该半导体基板(30)具有:/n第1面(S1);以及/n第2面(S2),与所述第1面相反,具有内侧区域(RI)和所述内侧区域的外侧的外侧区域(RO),/n所述半导体基板(30)包括:/n漂移层(1),具有第1导电类型;/n终端阱区域(2、20),具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型,在所述第2面(S2)上具有从所述内侧区域(RI)与所述外侧区域(RO)之间向所述外侧区域(RO)延伸的部分,/n所述半导体装置(100~103、200~202、300、301、400~402、500、600、601)还具备:/n第1电极(8),设置于所述半导体基板(30)的所述第1面(S1)上;/n第2电极(5、50),设置于所述半导体基板(30)的所述内侧区域(RI)的至少一部分之上,向所述终端阱区域(2、20)电连接,具有位于所述内侧区域(RI)和所述外侧区域(RO)的边界上的缘;/n周边构造(7、7M),离开所述第2电极(5、50)而设置于所述半导体基 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置(100~103、200~202、300、301、400~402、500、600、601),其特征在于,
具备半导体基板(30),该半导体基板(30)具有:
第1面(S1);以及
第2面(S2),与所述第1面相反,具有内侧区域(RI)和所述内侧区域的外侧的外侧区域(RO),
所述半导体基板(30)包括:
漂移层(1),具有第1导电类型;
终端阱区域(2、20),具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型,在所述第2面(S2)上具有从所述内侧区域(RI)与所述外侧区域(RO)之间向所述外侧区域(RO)延伸的部分,
所述半导体装置(100~103、200~202、300、301、400~402、500、600、601)还具备:
第1电极(8),设置于所述半导体基板(30)的所述第1面(S1)上;
第2电极(5、50),设置于所述半导体基板(30)的所述内侧区域(RI)的至少一部分之上,向所述终端阱区域(2、20)电连接,具有位于所述内侧区域(RI)和所述外侧区域(RO)的边界上的缘;
周边构造(7、7M),离开所述第2电极(5、50)而设置于所述半导体基板(30)的所述外侧区域(RO)的一部分之上;以及
表面保护膜(6),覆盖所述第2电极(5、50)的所述缘,至少部分性地覆盖所述半导体基板(30)的所述外侧区域(RO),通过所述周边构造(7、7M)被陷入,由与所述周边构造(7、7M)的材料不同的绝缘材料构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置(300、301、400~402、600、601),其特征在于,
所述周边构造(7M)由具有导电性的材料构成。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置(100~103、200~202、300、301、400~402、500、600、601),其特征在于,
所述周边构造(7、7M)的外周端位于比所述终端阱区域(2、20)的外周端靠内周侧。
4.根据权利要求3所述的半导体装置(100~103、200~202、300、301、400~402、500、600、601),其特征在于,
将在向所述半导体装置(100~103、200~202、300、301、400~402、500、600、601)施加了最大电压时从所述漂移层(1)和所述终端阱区域(2、20)的边界延伸的耗尽层定义为最大耗尽层(MDL),
所述周边构造(7、7M)离开所述最大耗尽层。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置(301、401、402、500、600、601),其特征在于,
所述终端阱区域(2、20)在所述半导体基板的所述第2面包括第1部分(2a、21a)和具有比所述第1部分(2a、21a)的杂质浓度高的杂质浓度的第2部分(2b、21b),
所述周边构造(7、7M)的外周端位于比所述终端阱区域(2、20)的所述第2部分(2b、21b)的外周端靠内周侧。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置(100~103、200~202、300、301、400~402、500、600、601),其特征在于,
所述第2电极(5、50)与所述周边构造(7、7M)之间的距离是所述第2电极(5、50)以及所述周边构造(7、7M)的至少任意一个的厚度以下。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置(102),其特征在于,
所述周边构造(7)具有外侧部分(7o)和离开所述外侧部分(7o)而位于所述外侧部分(7o)与所述第2电极(5)之间的内侧部分(7i...
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