【技术实现步骤摘要】
数字隔离器相关申请本申请享受以日本专利申请2019-169302号(申请日:2019年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及数字隔离器。
技术介绍
数字隔离器在截断了电流的状态下,利用磁场或电场的变化来传递信号。对于该数字隔离器,要求提高可靠性。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够提高可靠性的数字隔离器。实施方式的数字隔离器具有第一金属部、第一绝缘部、第二金属部、第三金属部、以及第一层。所述第一绝缘部设于所述第一金属部之上。所述第二金属部设于所述第一绝缘部之上。所述第三金属部具有第一部分、第二部分、以及第三部分。所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的垂直方向上设于所述第一金属部的周围。所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上。所述第三部分设于所述第二部分之上,在所述垂直方向上设于所述第二金属部的周围。所述第一层设于所述第二部分的底部的周围,与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接。所述第一层含有钛、或含有硅以及碳。附图说明图1是表示实施方式的数字隔离器的俯视图。图2是图1的II-II剖面图。图3(a)~5是表示实施方式的数字隔离器的制造工序的工序剖面图。图6是表示参考例的数字隔离器的剖面图。图7是表示实施方式的第一变形例的数字隔离器的一部分的剖面图。图8(a)~9(b)是表示 ...
【技术保护点】
1.一种数字隔离器,具备:/n第一金属部;/n第一绝缘部,设于所述第一金属部之上;/n第二金属部,设于所述第一绝缘部之上;/n第三金属部,具有第一部分、第二部分以及第三部分,所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的垂直方向上设于所述第一金属部的周围,所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上,所述第三部分设于所述第二部分之上,在所述垂直方向上设于所述第二金属部的周围;以及/n第一层,设于所述第二部分的底部的周围,并与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接,/n所述第一层含有钛、或含有硅以及碳。/n
【技术特征摘要】
20190918 JP 2019-1693021.一种数字隔离器,具备:
第一金属部;
第一绝缘部,设于所述第一金属部之上;
第二金属部,设于所述第一绝缘部之上;
第三金属部,具有第一部分、第二部分以及第三部分,所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的垂直方向上设于所述第一金属部的周围,所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上,所述第三部分设于所述第二部分之上,在所述垂直方向上设于所述第二金属部的周围;以及
第一层,设于所述第二部分的底部的周围,并与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接,
所述第一层含有钛、或含有硅以及碳。
2.如权利要求1所述的数字隔离器,
所述数字隔离器还具备第一绝缘层,该第一绝缘层设于所述第一金属部与所述第一绝缘部之间。
3.一种数字隔离器,具备:
第一金属部;
第一绝缘部,设于所述第一金属部之上;
第二金属部,设于所述第一绝缘部之上;
第三金属部,具有第一部分、第二部分以及第三部分,所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的垂直方向上设于所述第一金属部的周围,所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上,所述第三部分设于所述第二部分之上,在所述垂直方向上设于所述第二金属部的周围;
第一层,设于所述第二部分的底部的周围,并与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接;以及
第一绝缘层,设于所述第一金属部与所述第一绝缘部之间,
所述第一层的杨氏模量比所述第一绝缘层的杨氏模量低。
4.如权利要求2或3所述的数字隔离器,
所述第一绝缘层还设于所述第一部分的所述另一部分与所述第一绝缘部之间,并与所述第一导电层相接,
所述第一绝缘层的至少一部分位于所述第一层与所述第一绝缘部之间。
5.如权利要求2或3所述的数字隔离器,
所述第一层为绝缘性,
所述第一层还设于所述第一金属部与所述第一绝缘层之间。
6.如权利要求5所述的数字隔离器,
所述第一层含有选自由氧及氮构成的组中的至少一个、硅、以及碳,
所述第一绝缘层含有氮以及硅,
所述第一层中的碳浓度比所述第一绝缘层中的碳浓度高。
7.如权利要求2或3所述的数字隔离器,
所述第一绝缘层未设于所述第一层与所述第一绝缘部之间。
8.如权利要求1~3中任一项所述的数字隔离器,
所述第一层未设于所述第一金属部与所述第一绝缘部之间。
9.如权利要求8所述的数字隔离器,
...
【专利技术属性】
技术研发人员:大黑达也,织田达广,大塚贤一,
申请(专利权)人:株式会社东芝,东芝电子元件及存储装置株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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