半导体装置和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种半导体装置，包括基板和在基板中的多个源极/漏极(S/D)区域，其中多个源极/漏极区域中的每一者包括具有第一掺杂剂类型的第一掺杂剂，并且多个源极/漏极区域中的每一者电性耦合在一起。半导体装置还包括在基板上方的栅极堆叠。半导体装置还包括在基板中的通道区域，其中通道区域在栅极堆叠下方且在多个源极/漏极区域中的相邻的源极/漏极区域之间，通道区域包括具有第一掺杂剂类型的第二掺杂剂，并且在通道区域中第二掺杂剂的浓度小于多个源极/漏极区域每一者中的第一掺杂剂的浓度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造半导体装置的方法
本揭示内容是关于去耦电容器和其制造方法。
技术介绍
随着技术节点持续缩小，电源供应杂讯、同时的切换杂讯、或动态的切换杂讯越来越受到人们关注。这些杂讯由从其他信号节点耦合的电源供应线上的切换杂讯引起。去耦电容器用以滤除在介于正电源供应电压与较低电源供应电压之间耦合的杂讯。在一些情况下，此种功率杂讯由使用大电流和具有高频的高密度集成电路(integratedcircuit；IC)中的晶体管诱发，此导致突然的电压降。在集成电路的电源网格上可存在全域的电压降和局部的电压降两者。在一些方式中，此电压降通过引入局部的电流源(诸如电容器)而减少，以将电流突波(currentsurge)从电源网格去耦，而由此减少电源网格上的杂讯。
技术实现思路
本揭示内容的一态样提供了一种半导体装置，包含：基板、多个源极/漏极(S/D)区域、栅极堆叠、以及通道区域。多个源极/漏极(S/D)区域在基板中，其中源极/漏极区域的每一者包括具有第一掺杂剂类型的第一掺杂剂，并且源极/漏极区域的每一者电性耦合在一起。栅极堆叠在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一基板；/n多个源极/漏极区域，在该基板中，其中所述多个源极/漏极区域的每一者包括具有一第一掺杂剂类型的一第一掺杂剂，并且所述多个源极/漏极区域的每一者电性耦合在一起；/n一栅极堆叠，在该基板上方；以及/n一通道区域，在该基板中，其中该通道区域在该栅极堆叠下方且在介于所述多个源极/漏极区域的相邻的源极/漏极区域之间，该通道区域包括具有该第一掺杂剂类型的一第二掺杂剂，并且该通道区域中的该第二掺杂剂的一浓度小于所述多个源极/漏极区域的每一者中的该第一掺杂剂的一浓度。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,7251.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一基板；
多个源极/漏极区域，在该基板中，其中所述多个源极/漏极区域的每一者包括具有一第一掺杂剂类型的一第一掺杂剂，并且所述多个源极/漏极区域的每一者电性耦合在一起；
一栅极堆叠，在该基板上方；以及
一通道区域，在该基板中，其中该通道区域在该栅极堆叠下方且在介于所述多个源极/漏极区域的相邻的源极/漏极区域之间，该通道区域包括具有该第一掺杂剂类型的一第二掺杂剂，并且该通道区域中的该第二掺杂剂的一浓度小于所述多个源极/漏极区域的每一者中的该第一掺杂剂的一浓度。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一掺杂剂类型为p型。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一掺杂剂类型为n型。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含一n阱，该n阱在该基板中，其中该n阱在该通道区域和所述多个源极/漏极区域的所述相邻的源极/漏极区域下方延伸。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中在该通道区域中该第二掺杂剂的该浓度小于在所述多个源极/漏极区域的每一者中的该第一掺杂剂的该浓度的一半。


6.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一p型掺杂基板；
一通道区域，在该p型掺杂基板中，其中该通道区域包括具有一第一掺杂剂类型的一第一掺杂剂，并且该通道区域具有一第一掺杂剂浓度的该第一掺杂剂；
一第一源极/漏极区域，在该基板中，其中该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思麟，洪照俊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71