【技术实现步骤摘要】
具有静电保护功能的输出驱动电路
本技术涉及集成电路领域,尤其涉及一种具有静电保护电路的输出驱动电路。
技术介绍
半导体集成电路要有静电(ESD)保护电路以保证集成电路的可靠性。为了节省芯片面积,在半导体集成电路的输出驱动电路的NMOS和PMOS具有双重功能,一方面它们作为电路的输出驱动级使用,另一方面在ESD发生时也可同时作ESD保护电路来使用。现有技术中利用栅极耦合技术所涉及的输出驱动电路在静电放电测试下,出现在输出端上的静电电压虽然会经由栅极与漏极的寄生电容而耦合一些电压到NMOS管的栅极上,去促使NMOS晶体管导通来排放ESD电流。但是现有电路结构会导致不同NMOS之间不均匀导通问题的发生,从而影响输出驱动级的ESD耐受能力。因此,需要进一步提升整体输出驱动电路的静电防护能力。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是,提高输出驱动电路的ESD耐受能力。为解决上述问题,本技术的技术方案提供一种具有静电保护功能的输出驱动电路,包括:输出驱动模块,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管,以及输出端;所述第一PMOS管的源极连接电源线VDD,漏极与所述第一NMOS管的漏极连接;所述第二PMOS管的源极连接至电源线VDD,漏极与所述第二NMOS管的漏极连接;所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均连接至地线VSS;所述输出端连接至所述第一PMOS管和第一NMOS管的漏极,还连接至所述第二PMOS管和第二NMOS管的漏极;第一电位控制模块 ...
【技术保护点】
1.一种具有静电保护功能的输出驱动电路,其特征在于,包括:/n输出驱动模块,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管,以及输出端;所述第一PMOS管的源极连接电源线VDD,漏极与所述第一NMOS管的漏极连接;所述第二PMOS管的源极连接至电源线VDD,漏极与所述第二NMOS管的漏极连接;所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均连接至地线VSS;所述输出端连接至所述第一PMOS管和第一NMOS管的漏极,还连接至所述第二PMOS管和第二NMOS管的漏极;/n第一电位控制模块和第二电位控制模块,所述第一电位控制模块连接至所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极,用于在ESD状态下,使得所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极均具有相同的电位;所述第二电位控制模块连接至所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极,用于在ESD状态下,使得所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极均具有相同的电位。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有静电保护功能的输出驱动电路,其特征在于,包括:
输出驱动模块,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管,以及输出端;所述第一PMOS管的源极连接电源线VDD,漏极与所述第一NMOS管的漏极连接;所述第二PMOS管的源极连接至电源线VDD,漏极与所述第二NMOS管的漏极连接;所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均连接至地线VSS;所述输出端连接至所述第一PMOS管和第一NMOS管的漏极,还连接至所述第二PMOS管和第二NMOS管的漏极;
第一电位控制模块和第二电位控制模块,所述第一电位控制模块连接至所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极,用于在ESD状态下,使得所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极均具有相同的电位;所述第二电位控制模块连接至所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极,用于在ESD状态下,使得所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极均具有相同的电位。
2.根据权利要求1所述的输出驱动电路,其特征在于,所述第一电位控制模块包括第一控制电压端和第三控制PMOS管;所述第三控制PMOS管的栅极连接至所述第一控制电压端,源极连接至电源线VDD,漏极连接至所述第二PMOS晶体管的栅极。
3.根据权利要求2所述的输出驱动电路,其特征在于,所述第一电位控制模块还包括:第一控制NMOS管、第二控制NMOS管以及第一控制电压端;所述第一控制NMOS管的漏极连接至第一PMOS管的栅极,源极连接至地线VSS,栅极连接至所述第一控制电压端;所述第二控制NMOS管的漏极连接至第二PMOS管的栅极,源极连接至地线VSS,栅极连接至所述第一控制电压端。
4.根据权利要求3所述的输出驱动电路,其特征在于,所述第一控制电压端的电压在输出端施加负ESD电压时,控制所述第一控制NMOS管、第二控制NMOS管导通,第三控制PMOS管关断;所述第一控制电压端的电压在正常工作状态下,控制所述第一控制NMOS管、第二控制NMOS管关断,所述第三控制PMOS管导通。
5.根据权利要求2所述的输出驱动电路,其特征在于,所述第一电位控制模块还包括第一控制电压输出单元,所述第一控制电压输出单元包括第一电容和第一分压器件,所述第一电容一端连...
【专利技术属性】
技术研发人员:许杞安,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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