发光器件和照明设备制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件和照明设备。根据实施例的发光元件包括：基板；发光结构，该发光结构被布置在基板上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射层，该反射层被布置在发光结构上并且具有在水平方向上彼此邻近的第一部位和第二部位；第一电极，该第一电极被布置在反射层的第一部位的至少一部分中，同时穿过第二导电半导体层和有源层并且延伸到第一导电半导体层；在第一电极和发光结构的侧面之间以及在第一电极和反射层之间布置的第一绝缘层；在反射层的第二部位中布置的扩散防止层；在第一电极和扩散防止层上布置的第二绝缘层；以及穿过第二绝缘层并且分别被连接到第一电极和扩散防止层的第一结合层和第二结合层。

Light Emitting Devices and Lighting Equipment

【技术实现步骤摘要】
发光器件和照明设备本申请是2016年12月8日提交的申请号为201580030571.2(PCT/KR2015/005265)、申请日为2015年5月26日、标题为“发光器件和照明设备”的专利申请的分案申请。
实施例涉及发光器件和照明设备。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种被用作光源或者被用于通过使用化合物半导体的特性将电转换成红外光或者其它的光来发送或者接收信号的半导体器件。借助于III-V族氮化物半导体的物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被视为用于诸如LED和激光二极管的芯材。LED不包含诸如在诸如白炽灯或者荧光灯的现有的照明装置中使用的汞(Hg)的任何环境污染材料并且，正因如此，具有环境友好的优点。另外，LED具有寿命长和功耗低的优点。在这一点上，这样的LED正在取代现有的光源。对实现在发光器件和发光器件封装的光学和电气特性中的增强正在进行研究。
技术实现思路
技术问题实施例提供发光器件和照明设备，其具有增强的光学和电气特性。技术解决方案在实施例中，提供一种发光器件，包括：基板；发光结构，该发光结构包括被布置在基板上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射层，该反射层被布置在发光结构上，该反射层具有在水平方向上彼此相邻的第一区域和第二区域；第一电极，该第一电极被布置成以穿过在反射层的第一区域的至少一部分处的第二导电类型半导体层和有源层的方式延伸到第一导电类型半导体层；第一绝缘层，该第一绝缘层被插入在第一电极和发光结构的侧表面之间以及在第一电极和反射层之间；扩散阻挡层，该扩散阻挡层被布置在反射层的第二区域处；第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在第一电极和扩散阻挡层上；以及第一结合层和第二结合层，该第一结合层和第二结合层以穿过第二绝缘层的方式分别被连接到第一电极和扩散阻挡层。扩散阻挡层和第一绝缘层可以被布置在反射层上，同时在与发光结构的厚度方向垂直的方向上被彼此间隔开。扩散阻挡层和第一电极可以被布置成在与发光结构的厚度方向垂直的方向上被彼此间隔开。发光器件可以进一步包括：底座(sub-mount)；以及第一金属焊盘和第二金属焊盘，该第一金属焊盘和第二金属焊盘被布置在底座上同时在水平方向上被彼此间隔开。第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层可以分别被连接到第一金属焊盘和第二金属焊盘。发光器件可以进一步包括第一凸块，该第一凸块被插入在第一结合层和第一金属焊盘之间；以及第二凸块，该第二凸块被插入在第二结合层和第二金属焊盘之间。第一绝缘层和第二绝缘层可以分别由不同的材料制成。第一绝缘层和第二绝缘层可以由相同的材料制成。扩散阻挡层可以在发光结构的厚度方向上具有50nm至数个μm的第一厚度。扩散阻挡层可以在其接触第二区域处的反射层的部分处具有第一宽度，使得第一宽度等于或者大于第二结合层的穿过第二绝缘层的部分的第二宽度。扩散阻挡层和第一电极可以由相同的材料制成。扩散阻挡层和第一电极可以分别由不同的材料制成。扩散阻挡层可以在发光结构的厚度方向上具有第一厚度，使得第一厚度大于第一电极的第二厚度。扩散阻挡层可以包括Ni、Ti、Pt或者W中的至少一个。发光器件可以进一步包括第二电极，该第二电极被电连接到第二导电类型半导体层。扩散阻挡层和第二电极可以形成集成结构。扩散阻挡层可以具有圆形、椭圆形或者多边形的平面形状。扩散阻挡层和第一绝缘层可以具有相同的平面形状。扩散阻挡层和第一绝缘层可以分别具有不同的平面形状。在另一实施例中，提供一种发光器件，该发光器件包括：基板；发光结构，该发光结构包括被布置在基板上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射层，该反射层被布置在发光结构上；第一结合层和第二结合层，该第一结合层和第二结合层被布置在反射层上；扩散阻挡层，该扩散阻挡层被局部地插入在反射层和第二结合层之间；第一电极，该第一电极被布置成以穿过反射层、第二导电类型半导体层和有源层的方式延伸到第一导电类型半导体层；第一绝缘层，该第一绝缘层被插入在第一电极和发光结构的侧表面之间以及第一电极和反射层之间；以及第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在第一电极和扩散阻挡层上，其中以穿过第二绝缘层的方式，第一结合层和第二结合层分别被连接到第一电极和扩散阻挡层。在另一实施例中，提供一种包括发光器件的照明设备。有益效果在根据每个实施例的发光器件和照明设备中，扩散阻挡层被插入在反射层和每个结合层之间，以防止结合层的组成原子扩散到反射层或者外延层，并且正因如此，能够避免诸如反射率的恶化、电气特性的恶化以及发光效率的恶化的问题。另外，扩散阻挡层被局部地布置在反射层上并且，正因如此，可以防止或者最小化其剥离。因此，确保高的可靠性。附图说明图1图示根据实施例的发光器件的平面图。图2示沿着图1的线A-A’截取的横截面图。图3是沿着图1的线B-B’截取的横截面图。图4图示在从图1和图2中图示的实施例的发光器件去除下部结构、第二绝缘层以及第一结合层和第二结合层的条件下发光器件的平面图，图5是解释在图1和图4中图示的发光器件的特性的截面图。图6图示与根据与在图1和图2中图示的实施例相对应的另一实施例的发光器件的平面图，下部结构以及第一结合层和第二结合层从发光器件被去除。图7a至图7h是解释用于制造在图2中图示的发光器件中的上部结构的方法的相应的工艺的截面图。图8a和图8b是解释用于制造在图2中图示的发光器件中的下部结构的方法的工艺的截面图。图9图示根据实施例的发光器件封装的截面图。具体实施方式现在将详细参考实施例，在附图中图示了其示例。然而，本公开可以以许多不同的形式被实施并且不应解释为对在此提出的实施例的限制。而是，这些实施例被提供使得本公开将会是彻底和完整的，并且将向本领域的技术人员传达本公开的范围。将会理解的是，当元件被称为是在另一元件“上”或者“下”时，其能够直接地在另一元件上或者下或者能够被间接地形成使得也存在中间元件。当元件被称为是在“上”或者“下”时，基于元件能够包括“在元件下”以及“在元件上”。在不必要求或者暗示在这样的实体或者元件之间的任何物理或者逻辑关系或者顺序的情况下，诸如“第一”、“第二”、“上/上方/上部”以及“下/下方/下部”的相对术语可以在此被单独地使用以区分一个实体或者元件与另一实体或者元件。在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件。为了更好的理解，将会结合其中发光器件是倒装结合型的情况描述发光器件，但是实施例不限于此。为了方便描述，将会使用每个附图中的笛卡儿坐标系(x，y，z)描述发光器件100A和100B，但是可以使用其它的坐标系描述实施例。图1图示根据实施例的发光器件100的平面图。图2是沿着图1的线A-A’截取的横截面图。图3是沿着图1的线B-B’截取的横截面图。发光器件100A可以包括发光二极管(LED)。LED可以是发射蓝光、绿光以及红光的彩色LED、紫外线(UV)LED、深UVLED或者非极性LED。可以使用各种半导体来实现这样的LED的光发射，但是实施例不限于此。参考图1至图3，根据实施例的发光器件100A可以包括底座110、基板120、发光结构130、反射层140、绝缘层150、第一电极162、扩散阻挡层(或者包覆层)164、第一芯片结合层172和第二结合层174(或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：透明构件；发光结构，所述发光结构被布置在所述透明构件上并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间布置的有源层；第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一导电类型半导体层；第二电极，所述第二电极被电连接到所述第二导电类型半导体层；第一结合焊盘，所述第一结合焊盘被电连接到所述第一电极；第二结合焊盘，所述第二结合焊盘被电连接到所述第二电极；第一钝化层，所述第一钝化层被布置在所述发光结构和所述第二结合焊盘之间；以及第二钝化层，所述第二钝化层被布置在所述第一钝化层和所述第二结合焊盘之间，其中，所述第二电极包括第二金属层，所述第二金属层被布置在第三金属层上，其中，所述第三金属层接触所述第二导电类型半导体层，其中，所述第一电极包括第一接触层和第一金属层，所述第一接触层接触所述第一导电类型半导体层，所述第一金属层被布置在所述第一接触层上，其中，所述第一钝化层被布置在所述第一金属层和所述第三金属层之间，其中，所述第二结合焊盘与所述第一金属层垂直地重叠，并且接触所述第二金属层，其中，所述第二钝化层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分接触所述第一金属层，所述第二部分接触所述第二金属层，所述第三部分接触所述第一钝化层，其中，所述第三部分被布置在所述第一部分和所述第二部分之间，以及其中，所述第二钝化层包括与所述第一钝化层中包括的材料不同的材料。...

【技术特征摘要】
2014.06.11 KR 10-2014-00709241.一种发光器件，包括：透明构件；发光结构，所述发光结构被布置在所述透明构件上并且包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间布置的有源层；第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一导电类型半导体层；第二电极，所述第二电极被电连接到所述第二导电类型半导体层；第一结合焊盘，所述第一结合焊盘被电连接到所述第一电极；第二结合焊盘，所述第二结合焊盘被电连接到所述第二电极；第一钝化层，所述第一钝化层被布置在所述发光结构和所述第二结合焊盘之间；以及第二钝化层，所述第二钝化层被布置在所述第一钝化层和所述第二结合焊盘之间，其中，所述第二电极包括第二金属层，所述第二金属层被布置在第三金属层上，其中，所述第三金属层接触所述第二导电类型半导体层，其中，所述第一电极包括第一接触层和第一金属层，所述第一接触层接触所述第一导电类型半导体层，所述第一金属层被布置在所述第一接触层上，其中，所述第一钝化层被布置在所述第一金属层和所述第三金属层之间，其中，所述第二结合焊盘与所述第一金属层垂直地重叠，并且接触所述第二金属层，其中，所述第二钝化层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分接触所述第一金属层，所述第二部分接触所述第二金属层，所述第三部分接触所述第一钝化层，其中，所述第三部分被布置在所述第一部分和所述第二部分之间，以及其中，所述第二钝化层包括与所述第一钝化层中包括的材料不同的材料。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一金属层从所述第一接触层朝向所述第二金属层延伸，其中，所述第一金属层与所述第三金属层垂直地重叠。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一金属层的一部分被布置在所述第一钝化层上。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，在所述第二导电类型半导体层的顶表面和所述第一金属层的顶表面之间的第一高度与在所述第二导电类型半导体层的顶表面和所述第二金属层的顶表面之间的第二高度相同。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第二钝化层包括第一通孔和第二通孔。6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一结合焊盘通过所述第一通孔接触所述第一金属层，其中，所述第二结合焊盘通过所述第二通孔接触所述第二金属层。7.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二钝化层的第一至第三部分中的每个与所述第二结合焊盘垂直地重叠。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一金属层与所述有源层垂直地重叠。9.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一钝化层包括SixNy，以及其中，所述第二钝化层包括SixOy。10.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二结合焊盘与所述第二电极垂直地重叠。11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述第一结合焊盘与所述第三金属层垂直地重叠。12.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述第一结合焊盘的顶表面的第一区域和所述第二结...

【专利技术属性】
技术研发人员：林祐湜，徐在元，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR