The invention belongs to the field of solar cells in the photovoltaic industry, and specifically relates to a P-type monocrystalline silicon battery front coating structure and its preparation method, including wool making, diffusion, etching, front deposition of SiO 2 layer, back coating, front mask, front deposition of P-doped polycrystalline silicon (n_Si), front removal mask, front deposition of SiNx layer, screen printing and metallization steps. P-doped polycrystalline silicon is added to the front surface of the cell. The doped polycrystalline silicon layer combined with thin oxide layer can play a good tunneling effect on the front of the cell, prevent minority ions (holes) from migrating to the positive surface, and the front metal electrode is in contact with the doped polycrystalline silicon layer, thus avoiding the problem of high surface recombination caused by the direct contact between the metal electrode and the silicon substrate. Improve Voc and Isc of batteries, thus effectively improve the conversion efficiency of batteries.
【技术实现步骤摘要】
一种P型单晶硅电池正面镀膜结构及其制备方法
本专利技术属于光伏行业太阳能电池行业,具体涉及一种P型单晶硅电池正面镀膜结构及其制备方法。
技术介绍
能源问题一直是困扰我国经济发展的重要因素,化石能源的日渐枯竭使得新能源的研究变得尤为关键,尤其是太阳能的研究。光伏材料是太阳能研究的关键内容,其中单晶硅因具有诸多优点,如:晶体结构相对完美、杂质少、纯度高、高少子寿命、电阻率容易控制等,成为了光伏材料中的佼佼者。直至目前,单晶硅仍然以成熟的冶炼技术,简便的制作手法以及相对高效的光电转化效率占据着光伏行业重要的位置。在目前的太阳电池市场中,约85%是晶硅电池,还有约15%属于薄膜电池。其中的晶硅电池市场又分单晶硅与多晶硅。相关数据显示,单晶硅与多晶硅的市场份额占比分别在30%-40%和50%-60%之间。单晶硅和多晶硅的区别在于当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的芯片,则形成单晶硅;如果这些晶核长成晶面取向不同的芯片,则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面,如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。目前的单晶硅片主要分为N型与P型。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如掺硼形成P型硅半导体;掺入微量的VA族元素,如掺磷或砷形成N型硅半导体。更简单的说,单晶硅中掺磷是N型,掺磷越多则自由电子越多,导电能力越强,电阻率就越低;而掺硼为P型,掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多,导电能力越强,电阻率就越低。在2011年以前,无论是单晶硅还是多晶硅片,均以P型为主流产品。但根据实验观测,多晶P型产品转 ...
【技术保护点】
1.一种P型单晶硅电池正面镀膜结构,包括晶硅正面膜,所述晶硅正面膜包括在所述P型单晶硅电池正面依次沉积的磷扩散层,SiO2层,掺P多晶硅层,SiNx层,银电极栅线;其特征在于,掺P多晶硅层在银电极栅线处局部沉积,SiNx层整面沉积在最外层;其中,磷扩散层的上边缘呈直线形或波浪形;SiO2层呈直线形或波浪形,且与磷扩散层的上边缘形状相同。
【技术特征摘要】
1.一种P型单晶硅电池正面镀膜结构,包括晶硅正面膜,所述晶硅正面膜包括在所述P型单晶硅电池正面依次沉积的磷扩散层,SiO2层,掺P多晶硅层,SiNx层,银电极栅线;其特征在于,掺P多晶硅层在银电极栅线处局部沉积,SiNx层整面沉积在最外层;其中,磷扩散层的上边缘呈直线形或波浪形;SiO2层呈直线形或波浪形,且与磷扩散层的上边缘形状相同。2.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池正面镀膜结构,其特征在于,所述SiO2层的厚度为1-4nm;所述掺P多晶硅层的厚度为10-30nm;所述SiNx层的厚度为60-100nm。3.根据权利要求1所述的P型单晶硅电池正面镀膜结构,其特征在于,所述银电极栅线为丝网印刷,银电极栅线包括正面主栅和正面细栅。4.根据权利要求3所述的P型单晶硅电池正面镀膜结构,其特征在于,所述掺P多晶硅层的图形和丝网印刷的银电极栅线的图形相配合,使后续印刷的银电极栅线套印在沉积的掺P多晶硅层图形内;所述掺P多晶硅层的宽度和长度均大于正面银电极栅线;其中,掺P多晶硅在细栅处的宽度比细栅的宽度多0.008-0.02mm,在细栅处的长度比细栅的长度多0.6-0.85mm,...
【专利技术属性】
技术研发人员:霍亭亭,魏青竹,倪志春,连维飞,胡党平,
申请(专利权)人:苏州腾晖光伏技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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