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本发明属于光伏行业太阳能电池领域，具体涉及一种P型单晶硅电池正面镀膜结构及其制备方法，包括制绒、扩散、刻蚀、正面沉积SiO2层、背面镀膜、正面掩膜、正面沉积掺P多晶硅(n‑Si)、正面去除掩膜、正面沉积SiNx层、丝网印刷和金属化步骤，制成...
该专利属于苏州腾晖光伏技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州腾晖光伏技术有限公司授权不得商用。

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