一种氮化硅减反射薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种氮化硅减反射薄膜及其制备方法和应用，该薄膜表面细致均匀，主要目的为了减小太阳能在薄膜上的反射，从而增强太阳能电池的光电转化率。将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中,充入氮气，采用激光溅射沉积的方法制备出氮化硅薄膜，选取靶材为99.999％本征硅靶、基片为20×20mm硅片，控制氮气气压在1‑4Pa，退火温度在350‑900℃，氮气流量5‑50sccm。经研究发现，在工艺参数为1Pa、20sccm、700℃时薄膜折射率为2.2，减反射效率最高。本发明专利技术制备方法简单、成本低、可控性强，为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。

A Silicon Nitride Antireflection Thin Film and Its Preparation Method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅减反射薄膜及其制备方法和应用
本专利技术属于薄膜材料领域，具体涉及一种氮化硅减反射薄膜的制备工艺。
技术介绍
为应对传统能源环境污染与日益短缺这两大挑战，新能源的研发与推广成为我国以及美、日、法、德、等发达国家的焦点，近年来发展十分迅速。太阳能对人类来说是一种可再生的没有污染的取之不尽用之不竭的新能源。按照利用方式角度讲，太阳能分为光热转换型、光化学转化型和光电转化型，其中太阳能电池属于光电转化型。1839年，A.E.Becquerel发现当一些半导体受到太阳光照射时会有电流产生，这称为光生伏特效应。1954年底，在Chapin、Pearson等人的共同努力下，第一块硅太阳能电池于美国贝尔实验室成功问世，开启了太阳能开发与利用的新篇章。硅太阳能电池由于造价的问题，起初仅限制于航天领域，1958年首次为美国人造卫星提供电能，目前为止，全球各国航天领域能量补给主要由太阳能电池提供。1973年，中东战争引发石油禁用导致能源危机，同时意识到传统能源造成的污染问题与其本身的不可再生性、限制性，以欧美大国为首的世界各国政府先后制定了太阳能光伏计划，并给予了资金及政策支持。从1973年美本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅减反射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对硅片进行预处理，将纯度为99.999％靶材和清洗好的玻璃片分别放置于真空系统的真空腔内的靶材支架与基片支架上；(2)打开准分子激光器电源，调节各项参数，利用激光溅射的方法在硅片上沉积氮化硅减反射膜；(3)利用SEM；XRD等仪器进行数据分析。

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅减反射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对硅片进行预处理，将纯度为99.999％靶材和清洗好的玻璃片分别放置于真空系统的真空腔内的靶材支架与基片支架上；(2)打开准分子激光器电源，调节各项参数，利用激光溅射的方法在硅片上沉积氮化硅减反射膜；(3)利用SEM；XRD等仪器进行数据分析。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，调节真空系统内靶基距为45mm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，抽真空至压力小于1.0×10...

【专利技术属性】
技术研发人员：付传起，王宙，高越，杨梓健，
申请(专利权)人：大连大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21