一种80W功率放大器模块的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：清洗；放大器芯片的共晶焊接；高频电路的装配；元器件和绝缘子的烧结；共晶组件的烧结；引线键合；封盖。本发明专利技术这种80W功率放大器模块的制作方法，可方便高效的进行生产制造，满足生产需求，具有较好的应用前景。

A Fabrication Method of 80W Power Amplifier Module

【技术实现步骤摘要】
一种80W功率放大器模块的制作方法
本专利技术属于功率放大器
，更具体的说涉及一种80W功率放大器模块的制作方法。
技术介绍
随着人类社会进入信息化时代，无线通信技术有了飞速的发展，从手机，无线局域网，蓝牙等，到航空航天宇宙探测，已经深入到当今社会生活的各个方面，成为社会生活和发展不可或缺的一部分。无线通信设备由最初体积庞大且功能单一的时代，发展到如今的口袋尺寸，方寸之间集成了各类功能强大的电路。这些翻天覆地的变化，都离不开射频与微波技术的支持。而急速增长的应用需求又促进着射频微波领域不断的研究，更新换代。几乎所有的射频与微波系统中，都离不开信号的放大，微波功率放大器作为系统中功耗最大，产生非线性最强的模块，它的性能将直接影响系统性能的优劣，在射频微波系统中起了极其主要的作用。微波功率放大器是无线通信、雷达、电子对抗中的关键器件，也是射频微波系统中重要的有源模块。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种方便生产制作的80W功率放大器模块的制作方法。为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：所提供的这种80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)：清洗，本步骤完成对80W功率放大器模块的腔体和盖板的结构件进行清洗；步骤2)：放大器芯片的共晶焊接，本步骤完成放大器裸芯片与放大器载体之间、芯片电容与放大器载体之间的共晶焊；步骤3)：高频电路的装配，完成高频电路板与腔体之间的大面积焊接；步骤4)：元器件和绝缘子的烧结，1)完成高频电路板上元器件和绝缘子的烧结；2)绝缘子与微带线手工焊接；步骤5)：共晶组件的烧结，本步骤完成共晶组件的烧结；步骤6)：引线键合，本步骤完成放大器芯片、芯片电容、微带线的引线键合；步骤7)：封盖，本步骤完成盖板的安装。为使上述技术方案更加详尽和具体，本专利技术还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：所述步骤1)中，利用酒精对上述的腔体和盖板的结构件进行清洗，用氮气枪将器件吹干然后在干燥箱中烘干，温度80～90℃，时间10～15分钟。所述步骤2)中具体包括如下步骤：1)选择熔点为280℃成分为Au80Sn20的焊片，根据放大器芯片的尺寸裁切所需焊片的大小；2)将共晶台的温度设置为310～315℃，将放大器载体固定在共晶台上，在显微镜下完成放大器芯片与放大器载体之间以及芯片电容与放大器载体之间的共晶焊接；3)将共晶后的共晶组件放置于凝胶盒内备用。所述步骤3)中将高频电路板表面贴上阻焊胶带，按照高频电路板的外形进行裁切焊片，将裁切好的焊片两面以及腔体内焊接面刷涂助焊剂，将焊片放入腔体对应的位置内压平整，然后将高频电路板放入腔体内并保证平整；准备一台加热平台，温度设置为240℃～250℃，同时借助工装、压块将腔体放置与加热平台上，以保证高频电路板焊接的焊透率，待焊膏充分熔化后，取下腔体冷却至常温。所述步骤3)焊接后需对高频电路板与腔体焊接模块进行清洗。所述步骤4)中借助点胶机设备对高频电路板上的元器件焊盘处进行点焊膏处理；借助点胶机将锡膏分别涂在供电绝缘子、射频绝缘子周围以及腔体供电绝缘子、射频绝缘子安装孔内壁，并分别将供电绝缘子和射频绝缘子安装到腔体对应安装孔处；将元器件放置于高频电路板的对应位置上；准备一台加热平台，温度设置为205℃～215℃，待温度到达设定值后，将贴有元器件的高频电路组件放置于加热平台上，等到焊膏熔化后，利用隔热手套从加热平台上取下组件，待冷却至常温；将电烙铁温度设置(350±5)℃，分别将供电绝缘子和射频绝缘子焊接到对应的微带线上。所述步骤4)后将焊接元器件组件的高频电路板组件放置于汽相清洗机内清洗，清洗时间15～20分钟。所述步骤5)中按照所述步骤2)制成的共晶组件外形进行裁切焊片，将裁切好的焊片两面以及腔体内焊接面刷涂助焊剂，将焊片的放入腔体对应的位置内压平整，然后将共晶组件放入腔体内并保证平整；准备一台加热平台，温度设置为205℃～215℃，待温度到达设定值后，将组件放置于加热平台上，等到焊膏熔化后，从加热平台上取下组件，待冷却至常温。步骤7)中，用螺钉将SMA接头安装到腔体对应位置，利用螺钉将模块的盖板固定到腔体上，完成模块盖板装配。本专利技术80W功率放大器模块的制作方法与现有技术相比，具有以下优点：本专利技术这种80W功率放大器模块的制作方法，可方便高效的进行生产制造，具有较好的应用前景。附图说明下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：图1为本专利技术一种80W功率放大器模块外形结构示意图；图2为本专利技术一种80W功率放大器模块共晶示意图；图3为本专利技术一种80W功率放大器模块高频电路装配示意图；图4为本专利技术一种80W功率放大器模块引线键合示意图；图5为本专利技术一种80W功率放大器模块盖板结构示意图；1、放大器载体，2、芯片电容，3、放大器芯片，4、腔体，5、供电绝缘子，6、高频电路板，7、射频绝缘子，8、M2X6圆头螺钉，9、SMA接头，10、共晶组件。具体实施方式下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。步骤1)：清洗本步骤完成对80W功率放大器模块的腔体和盖板的结构件进行清洗；步骤2)：放大器芯片的共晶焊接本步骤完成放大器裸芯片与放大器载体之间、芯片电容与放大器载体之间的共晶焊。步骤3)：高频电路的装配本步骤的装配包括以下内容：1)完成高频电路板与腔体之间的大面积焊接；2)完成高频电路板与腔体焊接模块的清洗；步骤4)：元器件和绝缘子的烧结本步骤主要完成以下操作：1)完成高频电路板上元器件和绝缘子的烧结；2)绝缘子与微带线手工焊接；3)完成组件的清洗；步骤5)：共晶组件的烧结本步骤主要完成共晶组件的烧结；步骤6)：引线键合本步骤主要完成放大器芯片、芯片电容、微带线的引线键合；步骤7)：封盖本步骤主要完成盖板的安装；至此，一种80W功率放大器模块制作完成。具体的，一种80W功率放大器模块的制作方法，包括下述步骤：步骤1)：清洗对80W功率放大器模块的结构件包括腔体和盖板的结构件进行清洗。如图1中所示为功率放大器模块外形结构示意图。利用酒精对上述的腔体和盖板等结构件进行清洗，用氮气枪将器件吹干然后在干燥箱中烘干，温度80～90℃，时间10～15分钟。步骤2)：放大器芯片共晶焊接1)选择熔点为280℃成分为Au80Sn20的焊片，根据放大器芯片的尺寸裁切所需焊片的大小。2)将共晶台的温度设置为310～315℃，将放大器载体1固定在共晶台上，在显微镜下完成放大器芯片3与放大器载体1之间以及芯片电容2与放大器载体1之间的共晶焊接。3)将共晶后的共晶组件10放置于凝胶盒内备用。如图2为共晶组件10结构示意图，其中放大器载体1为钼铜衬底。步骤3)：高频电路的装配1)将高频电路板1表面贴上阻焊胶带，选择厚度为0.05mm，熔点217℃成分为Sn96.5Ag3Cu0.5的焊片，按照高频电路板6的外形进行裁切，将裁切好的焊片两面以及腔体内焊接面刷涂助焊剂，将焊片放入腔体对应的位置内压平整，然后将高频电路板6放入腔体4内并保证平整。准备一台加热平台，温度设置为240℃～250℃，同时借助工装、压块将腔体放置与加热平台上，以保证高频电路板焊接的焊透率，待焊膏充分熔化后，取下腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)：清洗，本步骤完成对80W功率放大器模块的腔体和盖板的结构件进行清洗；步骤2)：放大器芯片的共晶焊接，本步骤完成放大器裸芯片与放大器载体之间、芯片电容与放大器载体之间的共晶焊；步骤3)：高频电路的装配，完成高频电路板与腔体之间的大面积焊接；步骤4)：元器件和绝缘子的烧结，1)完成高频电路板上元器件和绝缘子的烧结；2)绝缘子与微带线手工焊接；步骤5)：共晶组件的烧结，本步骤完成共晶组件的烧结；步骤6)：引线键合，本步骤完成放大器芯片、芯片电容、微带线的引线键合；步骤7)：封盖，本步骤完成盖板的安装。

【技术特征摘要】
1.一种80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1)：清洗，本步骤完成对80W功率放大器模块的腔体和盖板的结构件进行清洗；步骤2)：放大器芯片的共晶焊接，本步骤完成放大器裸芯片与放大器载体之间、芯片电容与放大器载体之间的共晶焊；步骤3)：高频电路的装配，完成高频电路板与腔体之间的大面积焊接；步骤4)：元器件和绝缘子的烧结，1)完成高频电路板上元器件和绝缘子的烧结；2)绝缘子与微带线手工焊接；步骤5)：共晶组件的烧结，本步骤完成共晶组件的烧结；步骤6)：引线键合，本步骤完成放大器芯片、芯片电容、微带线的引线键合；步骤7)：封盖，本步骤完成盖板的安装。2.按照权利要求1所述的80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于：所述步骤1)中，利用酒精对上述的腔体和盖板的结构件进行清洗，用氮气枪将器件吹干然后在干燥箱中烘干，温度80～90℃，时间10～15分钟。3.按照权利要求1所述的80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于：所述步骤2)中具体包括如下步骤：1)选择熔点为280℃成分为Au80Sn20的焊片，根据放大器芯片的尺寸裁切所需焊片的大小；2)将共晶台的温度设置为310～315℃，将放大器载体固定在共晶台上，在显微镜下完成放大器芯片与放大器载体之间以及芯片电容与放大器载体之间的共晶焊接；3)将共晶后的共晶组件放置于凝胶盒内备用。4.按照权利要求1所述的80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于：所述步骤3)中将高频电路板表面贴上阻焊胶带，按照高频电路板的外形进行裁切焊片，将裁切好的焊片两面以及腔体内焊接面刷涂助焊剂，将焊片放入腔体对应的位置内压平整，然后将高频电路板放入腔体内并保证平整；准备一台加热平台，温度设置为240℃～250℃，同时借助工装、压块将腔体放置与加热平台...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂庆燕，周宗明，李金晶，张丽，俞畅，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34