一种分布式放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种分布式放大器。本实用新型专利技术的分布式放大器中，设置了漏极低频终端和栅极低频终端，漏极低频终端由漏极低频信号接地通路组成，栅极低频终端由栅极低频信号接地通路组成，使得低频信号在放大前在栅极终端被地吸收，经过增益单元放大后，由漏极端的低频终端按照同样的原理对放大后的低频信号进行吸收，从而使得分布式放大器的低频段的增益平坦度得到明显改善，解决了当前分布式放大器在低频段的增益平坦度较差，容易造成放大器不稳定的技术问题。

A Distributed Amplifier

The utility model discloses a distributed amplifier. In the distributed amplifier of the utility model, the drain low frequency terminal and the gate low frequency terminal are arranged. The drain low frequency terminal is composed of the drain low frequency signal grounding path, and the gate low frequency terminal is composed of the gate low frequency signal grounding path, so that the low frequency signal is ground absorbed at the gate terminal before amplification, and after amplification by the gain unit, the drain low frequency terminal is in accordance with the same original. By absorbing the amplified low-frequency signal, the gain flatness in the low-frequency band of the distributed amplifier is improved obviously, which solves the technical problem that the current distributed amplifier has poor gain flatness in the low-frequency band and is easy to cause the instability of the amplifier.

【技术实现步骤摘要】
一种分布式放大器
本技术涉及电子器件
，尤其涉及一种分布式放大器。
技术介绍
无线通信技术的飞速发展对通信系统的数据传输率和带宽提出了更高要求，传统的宽带放大器技术包括电抗/电阻性网络结构、并联电阻性反馈结构、反馈结构和分布式结构。单片微波集成电路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit,MMIC)是一种把有源器件和无源器件制作在同一个半导体基片上的微波电路。在分布式放大器(DistributedAmplifier,DA)中，通过将一定数量的晶体管的输入和输出电容合并进入人工传输线结构之中，解决了宽带匹配晶体管的输入和输出阻抗所面临的问题，具有简单的电路拓扑，能够获得极宽的工作频带，并且其性能对工艺参数的变化不敏感。目前的分布式放大器已出现各种类型的结构，包括非均匀结构和分布级联结构等，它们都是采用低通结构的人工传输线形式，考虑到增益单元在低频段通常具有较高的收益，所以在低频段的增益会明显变得陡峭，严重时会造成放大器不稳定，使得分布式放大器的增益无法向下扩展至直流。因此，导致了当前分布式放大器在低频段的增益平坦度较差，容易造成放大器不稳定的技术问题。
技术实现思路
本技术提供了一种分布式放大器，解决了当前分布式放大器在低频段的增益平坦度较差，容易造成放大器不稳定的技术问题。本技术提供了一种分布式放大器，包括：漏极传输线、栅极传输线、信号输入单元、信号输出单元、漏极低频终端、栅极低频终端和增益单元；漏极传输线由N+1个漏极电感依次电连接组成，栅极传输线由N+1个栅极电感依次电连接组成，N为预置的正整数；第i个漏极电感的第二端和第i+1个漏极电感的第一端与第i个增益单元的第一端电连接，第i个栅极电感的第二端和第i+1个栅极电感的第一端与第i个增益单元的控制端电连接，各个增益单元的第二端接地，i为小于或等于N的正整数；第一个漏极电感的第一端与漏极低频终端的输入端电连接，第N+1个漏极电感的第二端与信号输出单元的输入端电连接；第一个栅极电感的第一端与信号输入单元的输出端电连接，第N+1个栅极电感的第二端与栅极低频终端的输入端电连接；漏极低频终端由漏极低频信号接地通路组成，栅极低频终端由栅极低频信号接地通路组成。优选地，漏极低频终端具体包括：第一漏极低频信号接地通路、第二漏极低频信号接地通路、第三漏极低频信号接地通路和漏极接入电阻；第一漏极低频信号接地通路具体包括：第一漏极电阻和第一漏极接地电容，第一漏极接地电容的第一端与第一漏极电阻的第一端电连接，第一漏极接地电容的第二端接地；第二漏极低频信号接地通路具体包括：第二漏极电阻、第二漏极接地电容和第三漏极接地电容，第二漏极接地电容和第三漏极接地电容的第一端与第二漏极电阻的第一端电连接，第二漏极接地电容和第三漏极接地电容的第二端接地；第三漏极低频信号接地通路具体包括：第三漏极电阻和第四漏极接地电容，第四漏极接地电容的第一端与第三漏极电阻的第一端电连接，第四漏极接地电容的第二端接地；第一漏极电阻、第二漏极电阻和第三漏极电阻的第二端与漏极接入电阻的第一端电连接，漏极接入电阻的第二端与第一个漏极电感的第一端电连接。优选地，栅极低频终端具体包括：第一栅极低频信号接地通路、第二栅极低频信号接地通路、第三栅极低频信号接地通路和栅极接入电阻；第一栅极低频信号接地通路具体包括：第一栅极电阻、第一栅极接地电容和第二栅极接地电容，第一栅极接地电容和第二栅极接地电容的第一端与第一栅极电阻的第一端电连接，第一栅极接地电容和第二栅极接地电容的第二端接地；第二栅极低频信号接地通路具体包括：第二栅极电阻和第三栅极接地电容，第三栅极接地电容的第一端与第二栅极电阻的第一端电连接，第三栅极接地电容的第二端接地；第三栅极低频信号接地通路具体包括：第三栅极电阻和第一栅极偏置电压源，第一栅极偏置电压源的输入端与第三栅极电阻的第一端电连接；第一栅极电阻、第二栅极电阻和第三栅极电阻的第二端与栅极接入电阻的第一端电连接，栅极接入电阻的第二端与第N+1个栅极电感的第一端电连接。优选地，还包括：稳定单元；稳定单元由稳定电阻和稳定电容并联组成，稳定单元设置于增益单元与漏极电感之间，第i个栅极电感的第二端和第i+1个栅极电感的第一端与稳定单元的第一端电连接，稳定单元的第二端与第i个增益单元的控制端电连接。优选地，信号输入单元具体包括：第一隔直电容；第一个栅极电感的第一端与第一隔直电容的第一端电连接，第一隔直电容的第二端为信号输入端。优选地，信号输出单元具体包括：漏极偏置电压源和T型偏置器；T型偏置器具体包括：扼流电感和第二隔直电容，扼流电感和第二隔直电容的第一端与第N+1个漏极电感的第二端电连接，扼流电感的第二端与漏极偏置电压源的输入端电连接，第二隔直电容的第二端为信号输出端。优选地，漏极低频终端还包括：第四漏极低频信号接地通路；第四漏极低频信号接地通路具体包括：第四漏极电阻和第五漏极接地电容，第五漏极接地电容的第一端与第四漏极电阻的第一端电连接，第五漏极接地电容的第二端接地；第四漏极电阻的第二端与漏极接入电阻的第一端电连接；栅极低频终端还包括：第四栅极低频信号接地通路；第四栅极低频信号接地通路具体包括：第四栅极电阻和第四栅极接地电容，第四栅极接地电容的第一端与第四栅极电阻的第一端电连接，第四栅极接地电容的第二端接地；第四栅极电阻的第二端与栅极接入电阻的第一端电连接。优选地，增益单元具体包括：场效应管；增益单元的第一端为场效应管的漏极，增益单元的第二端为场效应管的源极，增益单元的控制端为场效应管的栅极。优选地，还包括：第二栅极偏置电压源和第五栅极电阻；增益单元具体包括：第一场效应管和第二场效应管；第一场效应管和第二场效应管的源极接地，第一场效应管的漏极与第二场效应管的栅极电连接；增益单元的第一端为第二场效应管的漏极，增益单元的第二端为第一场效应管的栅极，各个增益单元的第二场效应管的栅极均与第五栅极电阻的第一端电连接，第五栅极电阻的第二端与第二栅极偏置电压源的输入端电连接。从以上技术方案可以看出，本技术具有以下优点：本技术的分布式放大器中，设置了漏极低频终端和栅极低频终端，漏极低频终端由漏极低频信号接地通路组成，栅极低频终端由栅极低频信号接地通路组成，使得低频信号在放大前在栅极终端被地吸收，经过增益单元放大后，由漏极端的低频终端按照同样的原理对放大后的低频信号进行吸收，从而使得分布式放大器的低频段的增益平坦度得到明显改善，解决了当前分布式放大器在低频段的增益平坦度较差，容易造成放大器不稳定的技术问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术实施例提供的一种分布式放大器的结构拓扑图；图2为本技术实施例提供的另一种分布式放大器的结构拓扑图；图3为本技术实施例提供的另一种分布式放大器的结构拓扑图；图4为本技术实施例提供的分布式放大器的增益比对图。具体实施方式本技术实施例提供了一种分布式放大器，解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分布式放大器，其特征在于，包括：漏极传输线、栅极传输线、信号输入单元、信号输出单元、漏极低频终端、栅极低频终端和增益单元；漏极传输线由N+1个漏极电感依次电连接组成，栅极传输线由N+1个栅极电感依次电连接组成，N为预置的正整数；第i个漏极电感的第二端和第i+1个漏极电感的第一端与第i个增益单元的第一端电连接，第i个栅极电感的第二端和第i+1个栅极电感的第一端与第i个增益单元的控制端电连接，各个增益单元的第二端接地，i为小于或等于N的正整数；第一个漏极电感的第一端与漏极低频终端的输入端电连接，第N+1个漏极电感的第二端与信号输出单元的输入端电连接；第一个栅极电感的第一端与信号输入单元的输出端电连接，第N+1个栅极电感的第二端与栅极低频终端的输入端电连接；漏极低频终端由漏极低频信号接地通路组成，栅极低频终端由栅极低频信号接地通路组成。

【技术特征摘要】
1.一种分布式放大器，其特征在于，包括：漏极传输线、栅极传输线、信号输入单元、信号输出单元、漏极低频终端、栅极低频终端和增益单元；漏极传输线由N+1个漏极电感依次电连接组成，栅极传输线由N+1个栅极电感依次电连接组成，N为预置的正整数；第i个漏极电感的第二端和第i+1个漏极电感的第一端与第i个增益单元的第一端电连接，第i个栅极电感的第二端和第i+1个栅极电感的第一端与第i个增益单元的控制端电连接，各个增益单元的第二端接地，i为小于或等于N的正整数；第一个漏极电感的第一端与漏极低频终端的输入端电连接，第N+1个漏极电感的第二端与信号输出单元的输入端电连接；第一个栅极电感的第一端与信号输入单元的输出端电连接，第N+1个栅极电感的第二端与栅极低频终端的输入端电连接；漏极低频终端由漏极低频信号接地通路组成，栅极低频终端由栅极低频信号接地通路组成。2.根据权利要求1所述的一种分布式放大器，其特征在于，漏极低频终端具体包括：第一漏极低频信号接地通路、第二漏极低频信号接地通路、第三漏极低频信号接地通路和漏极接入电阻；第一漏极低频信号接地通路具体包括：第一漏极电阻和第一漏极接地电容，第一漏极接地电容的第一端与第一漏极电阻的第一端电连接，第一漏极接地电容的第二端接地；第二漏极低频信号接地通路具体包括：第二漏极电阻、第二漏极接地电容和第三漏极接地电容，第二漏极接地电容和第三漏极接地电容的第一端与第二漏极电阻的第一端电连接，第二漏极接地电容和第三漏极接地电容的第二端接地；第三漏极低频信号接地通路具体包括：第三漏极电阻和第四漏极接地电容，第四漏极接地电容的第一端与第三漏极电阻的第一端电连接，第四漏极接地电容的第二端接地；第一漏极电阻、第二漏极电阻和第三漏极电阻的第二端与漏极接入电阻的第一端电连接，漏极接入电阻的第二端与第一个漏极电感的第一端电连接。3.根据权利要求2所述的一种分布式放大器，其特征在于，栅极低频终端具体包括：第一栅极低频信号接地通路、第二栅极低频信号接地通路、第三栅极低频信号接地通路和栅极接入电阻；第一栅极低频信号接地通路具体包括：第一栅极电阻、第一栅极接地电容和第二栅极接地电容，第一栅极接地电容和第二栅极接地电容的第一端与第一栅极电阻的第一端电连接，第一栅极接地电容和第二栅极接地电容的第二端接地；第二栅极低频信号接地通路具体包括：第二栅极电阻和第三栅极接地电容，第三栅极接地电容的第一端与第二栅极电阻的第一端电连接，第三栅极接地电容的第二端接地；第三栅极低频信号接地通路具体包括：第三栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雁鹏，陈续威，钟立平，章国豪，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：新型
国别省市：广东,44