【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种改进的分布式放大器。
技术介绍
传统的分布式放大器是工业中众所周知的拓扑,是已得到证明的构造宽带放大器的方式。GaAs衬底上的分布式放大器的典型带宽可以处于千赫兹到毫米波频率的数量级。共栅共源分布式放大器被广泛地认为是与非共栅共源分布式放大器相比提高增益和带宽的方法。通过将晶体管的寄生效应合并到器件之间的匹配网络中,由此实现分布式放大器的优点。器件的输入和输出电容可以分别与栅极和漏极线路电感相结合,从而使得传输线几乎透明,排除了传输线损耗。通过这样做,放大器的增益可以仅仅由器件的跨导所限制,而不被与器件相关联的寄生效应所限制。上述情况只有在栅极线行进的信号与在漏极线行进的信号同相,由此使得每一个晶体管的输出电压与先前的晶体管输出同相叠加时才成立。传送到输出的信号将结构性地发生干扰,由此使得所述信号沿着漏极线变强。由于这些信号不是同相的,因此任何相反的波都将破坏性地发生干扰。栅极线终端被包括以吸收没有耦合到晶体管栅极的任何信号。漏极线终端被包括以吸收可能破坏性地干扰输出信号的任何相反行波。放大器的稳定性对保持电路的预定状态是关键性的。如果放大器 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.09 US 61/464,7811.ー种具有提高的稳定性的分布式放大器,包括 输入传输电路; 输出传输电路; 至少ー个共栅共源放大器,稱合在所述输入传输电路和输出传输电路之间,姆ー个共栅共源放大器包括耦合到所述输出传输电路的共用栅极配置的晶体管和耦合在所述输入传输电路和所述共用栅极配置的晶体管之间的共用源极配置的晶体管;以及 反馈网络,包括串联耦合在至少ー个共用栅极配置的晶体管的栅极和漏极之间的非寄生电阻和电容,用于增加放大器的稳定性。2.如权利要求I的分布式放大器,其中每ー个共用栅极晶体管配置的漏极耦合在一起,以及每ー个共用源极配置的晶体管的栅极耦合在一起。3.如权利要求I的分布式放大器,其中每ー个共栅共源放大器进ー步包括一个或更多个附加的共用栅极晶体管,其直流耦合在每ー个共用栅极配置的晶体管和共用源极配置的晶体管之间。4.如权利要求3的分布式放大器,其中每ー个反馈网络的电阻和电容包括串联耦合跨接一个或更多个附加的共用栅极配置的晶体管中的至少ー个的栅极和漏极端子的电阻和电容。5.如权利要求4的分布式放大器,其中姆ー个电阻具有大约800欧姆的值以及姆ー个电容具有大约IpF的值。6.如权利要求4的分布式放大器,其中每ー个电阻具有范围在20欧姆到IOk欧姆之间的值。7.如权利要求4的分布式放大器,其中每ー个电容具有范围在.IpF到IOpF之间的值。8.如权利要求...
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