一种含芘化合物及有机发光二极管器件制造技术

一种含芘化合物及有机发光二极管器件。本发明专利技术属于有机电致发光材料领域，公开了一种含芘化合物及其应用。本发明专利技术所提供的含芘化合物的显著优点在于：分子中心所含的芘基为发光基团，在该发光基团的外侧含有苯并呋喃并萘结构，该种外侧基团具有很大的刚性，使得分子中心的发光芘基团受到外界的影响很小，从而保证了本发明专利技术所提供的含芘化合物具有较好的发光效率，同时显著提高了器件的发光寿命。

A Pyrene-Containing Compound and Organic Light Emitting Diode Device

A pyrene-containing compound and an organic light-emitting diode device. The invention belongs to the field of organic electroluminescent materials, and discloses a pyrene-containing compound and its application. The prominent advantages of the pyrene-containing compounds provided by the invention are that the pyrene group contained in the molecular center is a luminescent group, and the outer side of the luminescent group contains a benzofuran naphthalene structure. The outer side group of the luminescent group has great rigidity, so that the luminescent pyrene group of the molecular center is little affected by the outside world, thus ensuring that the pyrene-containing compounds provided by the invention have better luminescent effect. At the same time, the luminous lifetime of the device is significantly improved.

【技术实现步骤摘要】
一种含芘化合物及有机发光二极管器件
本专利技术属于有机电致发光材料领域，特别涉及一种含芘化合物及有机发光二极管器件。
技术介绍
利用有机材料制备各种有机电子器件，特别是对于光电响应的功能器件，如常见的有机电致发光器件、有机太阳能电池器件、有机场效应晶体管器件和有机光敏传感器器件，越来越受到人们的重视。对于有机电子发光器件，其面临的技术问题在于如何同时实现高发光效率、低驱动电压以及长使用寿命。对于高效率发光器件，常见的方式可以通过在主体材料中掺杂若干客体材料形成发光层。对于主体材料，要求高载流子迁移率，均匀的成膜性等；对于客体材料，要求高荧光量子效率和与在主体材料中良好的分散性等。对于低驱动电压的发光器件，可以通过在空穴传输层或电子传输层引入掺杂剂。然而，长寿命的发光器件严重依赖稳定性高的发光材料，因此本领域中对于高稳定性能的发光材料的需求十分迫切。采用不同的有机发光材料及其组合，可以获得多种不同颜色的光。在红色、绿色和蓝色这三种原色发光材料中，蓝色发光材料受到特别多的重视。现有的蓝色荧光材料通常具有芘、蒽或芴为母核的芳香胺材料。其中，芘系列的芳香胺化合物易于获得较高的发光效率，尤其受到业内的重视。长寿命高效率的含芘发光化合物有待进一步开发。
技术实现思路
本专利技术的目的在于为克服上述不足提供一种含芘化合物及有机发光二极管器件。本专利技术的目的通过以下技术方案实现：本专利技术的实施方式提供了一种含芘化合物，其具有式(I)所示的结构：其中，R1-R10各自独立地表示氢、氘、氟、氯、溴、碘、取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基、取代或未取代的C1-C24烷氧基、取代或未取代的C6-C36芳氧基、取代或未取代的C3-C36杂芳氧基、取代或未取代的C2-C24烷胺基、取代或未取代的C7-C36芳胺基、取代或未取代的C4-C36杂芳胺基，且R1-R10中的至少一个具有式(II)所示的结构：*表示式(II)通过该位置与式(I)所示结构中的芘残基连接；Ap、Aq各自独立地表示取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基，且Ap、Aq中的至少一个具有式(III)所示的结构：式(II)中的氮原子与式(III)中的10位碳原子相连；式(III)中的氢原子未被取代或各自独立地被氘、氟、取代或未取代的C1-C12的烷基、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C3-C24杂芳基中的一个或多个取代。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含芘化合物结构中，所述取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基、取代或未取代的C1-C24烷氧基、取代或未取代的C6-C36芳氧基、取代或未取代的C3-C36杂芳氧基、取代或未取代的C2-C24烷胺基、取代或未取代的C7-C36芳胺基、取代或未取代的C4-C36杂芳胺基、取代或未取代的C1-C12的烷基、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C3-C24杂芳基中的取代是指：各自独立地被氘、氟、烷基、烷氧基、芳基、杂芳基、氟取代烷基、氘取代烷基、硅取代烷基、氟取代烷氧基、氘取代烷氧基、硅取代烷氧基、氟取代芳基、氘取代芳基、硅取代芳基、氟取代杂芳基、氘取代杂芳基或硅取代杂芳基中的一种取代。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含芘化合物，具有式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)或(Ig)所示的结构：其中，R1-R10各自独立地表示氢、氘、取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基；Ar1-Ar8各自独立地表示取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基，且Ar1-Ar8中的至少一个具有式(III)所示的结构：式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)或(Ig)中的氮原子与式(III)中的10位碳原子相连；式(III)中的氢原子未被取代或各自独立地被氘、氟、取代或未取代的C1-C12的烷基、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C3-C24杂芳基中的一个或多个取代。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含芘化合物结构中，R1-R10各自独立地表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、氟取代甲基、氟取代乙基、氟取代丙基、氟取代丁基、氟取代戊基、氟取代己基、苯基、甲苯基、乙苯基、丙苯基、丁苯基、戊苯基或己苯基；Ar1-Ar8各自独立地表示苯基、甲苯基、乙苯基、丙苯基、丁苯基、戊苯基、己苯基、苯苯基、氟取代苯基、氟取代甲苯基、氟取代乙苯基、氟取代丙苯基、氟取代丁苯基、氟取代戊苯基、氟取代己苯基、氟取代苯苯基、硅取代苯基、硅取代甲苯基、硅取代乙苯基、硅取代丙苯基、硅取代丁苯基、硅取代戊苯基、硅取代己苯基、硅取代苯苯基或烷基取代的苯苯基；所述氟取代是指：取代芳香环上的氢或取代烷基上的氢；所述硅取代的是指被三甲基硅或三苯基硅取代；所述烷基取代是指：被甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基取代；所述取代基团为一个或多个，当取代基团为多个时，取代基团相同或不同。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含芘化合物，具有式(Iba)所示的结构：其中，Rw表示氢、氘、取代或未取代的C1-C12烷基、取代或未取代的C6-C24芳基；Aw表示取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C6-C24杂芳基。可选地，式(Iba)所示的结构中，Rw表示氢、氘、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、正丁基、异丁基、苯基、对甲基苯基、间甲基苯基、邻甲基苯基，所述Aw表示苯基、甲苯基、乙苯基、丙苯基、丁苯基、戊苯基、己苯基、萘基、联苯基、甲基联苯基、乙基联苯基、丙基联苯基、丁基联苯基、戊基联苯基、己基联苯基、萘并呋喃基、三甲基硅基苯基。可选地，本专利技术的实施方式所提供的含芘化合物具有选自如下之一的结构：本专利技术的实施方式还提供一种有机发光二极管，所述有机发光二极管的发光层包含上述的含芘化合物。可选地，在本专利技术的实施方式所提供的有机发光二极管的发光层中，包含所述含芘化合物和式(IV)所示的化合物：其中，R51-R58各自独立地表示氢、氘、C1-12烷基、C6-C18芳基；R59、R60各自独立地表示C6-C36芳基或C6-C36杂芳基。可选地，式(IV)所示的化合物具有选自FBH1～FBH40之一的结构：相对于现有技术而言，本专利技术的实施方式所提供的含芘化合物中，分子中心所含的芘基为主要发光基团，在该发光基团的外侧含有苯并呋喃并萘结构，该种外侧基团具有很大的刚性，使得分子中心的发光芘基团受到外界的影响很小，从而保证了本专利技术所提供的含芘化合物具有较好的发光效率，同时显著提高了器件的发光寿命。另外，以本专利技术的实施方式所提供的含芘化合物与通式(IV)所示的化合物进行掺杂，作为有机发光二极管器件的发光层，能够充分发挥本专利技术含芘化合物的优良特性。附图说明图1是本专利技术具体实施方式中的化合物C-1的立体构型图；图2是本专利技术具体实施方式中的化合物C-2的立体构型图；图3是本专利技术具体实施方式中的化合物C-3的立体构型图；图4是本专利技术具体实施方式中的化合物P-1的立体构型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含芘化合物，其特征在于，具有式(I)所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种含芘化合物，其特征在于，具有式(I)所示的结构：其中，R1-R10各自独立地表示氢、氘、氟、氯、溴、碘、取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基、取代或未取代的C1-C24烷氧基、取代或未取代的C6-C36芳氧基、取代或未取代的C3-C36杂芳氧基、取代或未取代的C2-C24烷胺基、取代或未取代的C7-C36芳胺基、取代或未取代的C4-C36杂芳胺基，且R1-R10中的至少一个具有式(II)所示的结构：*表示式(II)通过该位置与式(I)所示结构中的芘残基连接；Ap、Aq各自独立地表示取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基，且Ap、Aq中的至少一个具有式(III)所示的结构：式(II)中的氮原子与式(III)中的10位碳原子相连；式(III)中的氢原子未被取代或各自独立地被氘、氟、取代或未取代的C1-C12的烷基、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C3-C24杂芳基中的一个或多个取代。2.根据权利要求1所述的含芘化合物，其特征在于，所述取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基、取代或未取代的C1-C24烷氧基、取代或未取代的C6-C36芳氧基、取代或未取代的C3-C36杂芳氧基、取代或未取代的C2-C24烷胺基、取代或未取代的C7-C36芳胺基、取代或未取代的C4-C36杂芳胺基、取代或未取代的C1-C12的烷基、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C3-C24杂芳基中的取代是指：各自独立地被氘、氟、烷基、烷氧基、芳基、杂芳基、氟取代烷基、氘取代烷基、硅取代烷基、氟取代烷氧基、氘取代烷氧基、硅取代烷氧基、氟取代芳基、氘取代芳基、硅取代芳基、氟取代杂芳基、氘取代杂芳基或硅取代杂芳基中的一种取代。3.根据权利要求1所述的含芘化合物，其特征在于，具有式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)或(Ig)所示的结构：其中，R1-R10各自独立地表示氢、氘、取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基；Ar1-Ar8各自独立地表示取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基，且Ar1-Ar8中的至少一个具有式(III)所示的结构：式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(...

【专利技术属性】
技术研发人员：马腾达，黄达，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32