电介质膜层结构及其制作方法技术

本揭示公开了一种电介质膜层结构及其制作方法，所述电介质膜层结构至少包括：第一电容电极、电介质层以及第二电容电极，其中所述电介质层由SiNx和SiOx两种物质组成，且沿第一方向和第二方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，由于SiNx的介电系数较SiOx大，在压降大的地方更多的用SiNx做电介质层，储存较多电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较大，使薄膜晶体管处于高电压状态；在压降小的地方更多的用SiOx做电介质层，储存较少电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较小，使薄膜晶体管处于低电压状态，从而改变给薄膜晶体管充电的电流大小，减小压降的影响，改善面板输出的均一性。

Dielectric film structure and its fabrication method

This disclosure discloses a dielectric film structure and its fabrication method. The dielectric film structure includes at least a first capacitive electrode, a dielectric layer and a second capacitive electrode. The dielectric layer is composed of SiNx and SiOx, and along the first and second directions, the proportion of SiNx increases while the proportion of SiOx decreases due to the dielectric of SiNx. The electric coefficient is bigger than SiOx, SiNx is more used as dielectric layer in places with large voltage drop, which stores more charge, and the current of capacitance charging thin film transistor is larger, which makes thin film transistor in high voltage state; SiOx is more used as dielectric layer in places with small voltage drop, which stores less charge, and the current of capacitance charging thin film transistor is smaller, which makes thin film transistor in low voltage state. The state can change the current of charging thin film transistor, reduce the influence of voltage drop and improve the uniformity of panel output.

【技术实现步骤摘要】
电介质膜层结构及其制作方法
本揭示涉及显示器制造领域，尤其涉及一种电介质膜层结构及其制作方法。
技术介绍
显示装置上的显示像素众多，为了节省庞大的硬件驱动电路，实施了矩阵型的结构，即把水平一组显示像素的电极都连接在一起引出，称之为行电极；把纵向一组显示像素的段电极都连接起来一起引出，称之为列电极。在显示装置上每一个显示像素都由其所在的列与行的位置确定。在驱动方式上，相应的采用了光栅扫描方法。显示装置的动态驱动法就是通过扫描线循环的给行电极施加选择脉冲，同时所有显示数据的列电极通过数据线给出相应的选择或非选择的驱动脉冲，从而实现某行所有显示像素的显示功能，这种行扫描是逐行顺序进行的，循环周期短，使得显示屏上呈现出稳定的画面。扫描线和数据线的材质均为金属，由于金属存在电阻，随着传输距离的增大，电压会降低，即远离信号输入端的电压要小于靠近信号输入端的电压，从而导致显示装置输出均一性不足。综上所述，现有显示装置信号传输时存在压降导致输出均一性不足的问题。故，有必要提供一种电介质膜层结构及其制作方法来改善这一缺陷。
技术实现思路
本揭示提供一种光配向后盒内液晶检查机及其检测方法，用于解决现有显示装置输出均一性不足的问题。本揭示提供一种电介质膜层的制作方法，所述方法包括:S10：提供一块基板，在所述基板的第一电容电极上沉积一层SiNx，形成氮化硅层；S20：在所述氮化硅层上沉积一层SiOx，形成氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层共同构成电介质层；S30：在所述电介质层上形成第二电容电极；其中，沿第一方向和第二方向，所述电介质层中SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态,所述第二方向垂直于所述第一方向。根据本揭示一实施例，所述步骤S10包括：S101：在所述第一电容电极上涂布一层光阻，形成第一光阻层；S102：在所述基板上遮盖第一光罩，对所述第一光阻层进行曝光显影；S103：在所述第一光阻层上沉积一层SiNx，沉积完成所述氮化硅层后，对所述第一光阻层进行剥离，形成所述氮化硅层。根据本揭示一实施例，所述步骤S20包括：S201：在所述氮化硅层上涂布一层光阻，形成第二光阻层；S202：在所述基板上遮盖第二光罩，对所述第二光阻层进行曝光显影；S203：在所述第二光阻层上沉积一层SiOx，沉积完成所述氧化硅层后，对所述第二光阻层进行剥离，形成所述氧化硅层。根据本揭示一实施例，所述第一光罩设有多个第一透光区域，所述第一透光区域沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布，且所述第一透光区域对应所述基板的像素。根据本揭示一实施例，所述第二光罩设有多个第二透光区域，所述第二透光区域沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布，且所述第二透光区域对应所述基板的像素。根据本揭示一实施例，所述第一透光区域的面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐增大，所述第二透光区域的面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐减小。根据本揭示一实施例，所述步骤S10中，当形成所述氮化硅层时，使用第一挡板遮盖所述基板表面，沉积完成所述氮化硅层后，将所述第一挡板剥离。根据本揭示一实施例，所述步骤S20中，当形成所述氧化硅层时，使用第二挡板遮盖所述基板表面，沉积完成所述氮化硅层后，将所述第二挡板剥离。根据本揭示一实施例，所述第一挡板和所述第二挡板均设有多个网格，所述网格沿第一方向和第二方向阵列排布，所述网格对应所述基板的像素，且所述第一挡板的网格面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐减小，所述第二挡板的网格面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐增大。本揭示提供一种电介质膜层结构，所述电介质膜层结构包括：第一电容电极；电介质层，所述电介质层设置于所述第一电容电极上；第二电容电极，所述第二电容电极设置于所述电介质层上，所述第一电容电极、所述电介质层以及所述第二电容电极共同构成显示面板的储存电容；其中，所述电介质层由SiNx和SiOx两种物质组成，且沿第一方向和所述第二方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态。本揭示的有益效果：本揭示实施例将SiNx和SiOx作为电容电介质层的材料，且沿信号传输方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，由于SiNx的介电系数较SiOx大，在压降大的地方更多的用SiNx做电介质层，储存较多电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较大，使薄膜晶体管处于高电压状态；在压降小的地方更多的用SiOx做电介质层，储存较少电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较小，使薄膜晶体管处于低电压状态，从而改变给薄膜晶体管充电的电流大小，减小压降的影响，改善面板输出的均一性。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本揭示一实施例提供的电介质膜层的结构示意图；图2为本揭示一实施例提供的电介质膜层制作方法的流程示意图；图3为本揭示一实施例提供的电介质膜层制作方法的流程示意图；图4为本揭示一实施例提供的电介质膜层制作方法的流程示意图；以及图5为本揭示一实施例提供的显示装置像素结构的俯视图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明：实施例一：本实施例提供了一种电介质膜层结构，如图1所示，是本实施例提供的电介质膜层的结构示意图，所述电介质膜层结构包括：第一电容电极101；电介质层102，所述电介质层102设置于所述第一电容电极101上；第二电容电极103，所述第二电容电极103设置于所述电介质层102上，所述第一电容电极101、电介质层102以及第二电容电极103共同构成显示面板的储存电容。在本实施例中，电介质层102由氮化硅层104和氧化硅层105组成，且沿第一方向和第二方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态。由于SiNx的介电常数比SiOx的介电常数大，在同等质量的情况下SiNx存储的电荷较SiOx存储的电荷多，所以在靠近数据线和扫描线的一端，压降小，选择更多的储存电荷较少的SiOx作为电介质层102的材料，此时电容给薄膜晶体管充电的电流较小，使薄膜晶体管处于低电压状态；在远离数据线和扫描线的一端，压降大，选择更多的储存电荷较多的SiNx作为电介质层的材料，此时电容给薄膜晶体管充电的电流较大，使得薄膜晶体管处于高电压状态。如图5所示为显示装置像素结构的俯视图，其中第一方向为数据线扫描方向，第二方向为扫描线扫描方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。多个像素沿第一方向和第二方向阵列排布，共同构成显示装置的驱动电路。图5中仅示出部分像素，第一像素501、第二像素502、第三像素503以及第四像素504，像素中阴影部分为SiNx，空白部分为SiOx。其中第一像素501距离数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电介质膜层的制作方法，其特征在于，所述方法包括:S10：提供一块基板，在所述基板的第一电容电极上沉积一层SiNx，形成氮化硅层；S20：在所述氮化硅层上沉积一层SiOx，形成氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层共同构成电介质层；S30：在所述电介质层上形成第二电容电极；其中，沿第一方向和第二方向，所述电介质层中SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，所述第二方向垂直于所述第一方向。

【技术特征摘要】
1.一种电介质膜层的制作方法，其特征在于，所述方法包括:S10：提供一块基板，在所述基板的第一电容电极上沉积一层SiNx，形成氮化硅层；S20：在所述氮化硅层上沉积一层SiOx，形成氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层共同构成电介质层；S30：在所述电介质层上形成第二电容电极；其中，沿第一方向和第二方向，所述电介质层中SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，所述第二方向垂直于所述第一方向。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S10包括：S101：在所述第一电容电极上涂布一层光阻，形成第一光阻层；S102：在所述基板上遮盖第一光罩，对所述第一光阻层进行曝光显影；S103：在所述第一光阻层上沉积一层SiNx，沉积完成所述氮化硅层后，对所述第一光阻层进行剥离，形成所述氮化硅层。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S20包括：S201：在所述氮化硅层上涂布一层光阻，形成第二光阻层；S202：在所述基板上遮盖第二光罩，对所述第二光阻层进行曝光显影；S203：在所述第二光阻层上沉积一层SiOx，沉积完成所述氧化硅层后，对所述第二光阻层进行剥离，形成所述氧化硅层。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一光罩设有多个第一透光区域，所述第一透光区域沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布，且所述第一透光区域对应所述基板的像素。5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二光罩设有多个第二透...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵凯祥，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42