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本揭示公开了一种电介质膜层结构及其制作方法,所述电介质膜层结构至少包括:第一电容电极、电介质层以及第二电容电极,其中所述电介质层由SiNx和SiOx两种物质组成,且沿第一方向和第二方向,SiNx的比例均呈递增状态,SiOx的比例均呈递减状态...该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。
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