蚀刻监测装置及蚀刻监测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种蚀刻监测装置及蚀刻监控方法。所述蚀刻监测装置包括：多个监测单元，每一个监测单元均包括一个入射光源和一个与该入射光源对应的信号处理模块；每一个入射光源对应待蚀刻的基板的上的一个蚀刻区域设置，不同的入射光源对应不同的蚀刻区域；所述入射光源用于向其对应的蚀刻区域发射入射光；所述信号处理模块，用于接收反射光，并根据所述反射光的强度，将所述反射光转换为相应的电信号，通过监测各个信号处理模块转换得到的电信号的变化，确定所述待蚀刻的基板的蚀刻状态，能够有效监测蚀刻过程，为蚀刻质量分析提供准确的数据，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。

Etching Monitoring Device and Etching Monitoring Method

The invention provides an etching monitoring device and an etching monitoring method. The etching monitoring device includes: a plurality of monitoring units, each monitoring unit includes an incident light source and a signal processing module corresponding to the incident light source; each incident light source corresponds to an etching region on the substrate to be etched, and different incident light sources correspond to different etching regions; and the incident light source is used to emit the corresponding etching region. The signal processing module receives the reflected light and converts the reflected light into corresponding electrical signals according to the intensity of the reflected light. By monitoring the changes of the electrical signals converted by the signal processing modules, the etching state of the substrate to be etched can be determined, the etching process can be effectively monitored, and accurate data can be provided for the analysis of etching quality. Development of etching process and improvement of etching accuracy.

【技术实现步骤摘要】
蚀刻监测装置及蚀刻监测方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种蚀刻监测装置及蚀刻监测方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，ColorFilter)、薄膜晶体管基板(TFT，ThinFilmTransistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。在液晶显示面板的制作过程中经常需要使用蚀刻制程，蚀刻终点的判定的精确性，对蚀刻制程的效果有较大的影响，同时随着显示面板尺寸的不断增大，目前在蚀刻机台进行加工的基板的尺寸在2*2m2以上，而对于如此巨大的基板进行表面金属膜的蚀刻时，还要求蚀刻精度达到0.05微米及更高的要求，同时要求蚀刻工艺能完成对大尺寸面板均一蚀刻，对此，在现有技术仍缺乏有效的监控手段，来对蚀刻质量进行有效的监测。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种蚀刻监测装置，能够有效监测蚀刻过程，为蚀刻质量分析提供准确的数据，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。本专利技术的目的还在于提供一种蚀刻监测方法，能够有效监测蚀刻过程，为蚀刻质量分析提供准确的数据，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。为实现上述目的，本专利技术提供了一种蚀刻监测装置，包括：多个监测单元，每一个监测单元均包括一个入射光源和一个与该入射光源对应的信号处理模块；每一个入射光源对应待蚀刻的基板的上的一个蚀刻区域设置，不同的入射光源对应不同的蚀刻区域；所述入射光源用于向其对应的蚀刻区域发射入射光并通过该蚀刻区域反射产生反射光；所述信号处理模块，用于接收与其对应的入射光源发出的入射光所产生的反射光，并根据所述反射光的强度，将所述反射光转换为相应的电信号；蚀刻时，通过监测各个信号处理模块转换得到的电信号的变化，确定所述待蚀刻的基板的蚀刻状态。所述信号处理模块包括：反射单元以及光信号处理器；所述反射单元设于所述反射光的光路上，用于对所述反射光进行反射，产生二次反射光；所述光信号处理器位于所述二次反射光的光路上，用于接收所述二次反射光，并根据所述二次反射光的强度，将所述二次反射光转换为相应的电信号。每一个蚀刻区域均包括：衬底基板及位于所述衬底基板上的第一金属层；每一个蚀刻区域对应的入射光源发出入射光均具有如下特性：所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的第一金属层上时，所述第一金属层反射所述入射光产生的反射光具有第一强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的衬底基板上时，所述衬底基板反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度的第二强度；蚀刻时，所述信号处理模块先接收第一强度的反射光，转换产生第一电信号，后接收第二强度的反射光，转换产生第二电信号，所述第一电信号的持续时长为所述第一金属层的蚀刻时长。每一个蚀刻区域均包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的第一金属层及位于第一金属层上的第二金属层；每一个蚀刻区域对应的入射光源发出入射光均具有如下特性：所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的第一金属层上时，所述第一金属层反射所述入射光产生的反射光具有第一强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的衬底基板上时，所述衬底基板反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度的第二强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的第二金属层上时，所述第二金属层反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度和第二强度的第三强度；蚀刻时，所述信号处理模块先接收第三强度的反射光，转换产生第三电信号，然后接收第一强度的反射光，转换产生第一电信号，最后接收第二强度的反射光，转换产生第二电信号，所述第三电信号的持续时长为所述第二金属层的蚀刻时长，所述第一电信号的持续时长为所述第一金属层的蚀刻时长。所述待蚀刻的基板的各个蚀刻区域阵列排布；蚀刻时，通过监测位于同一行的各个蚀刻区域对应的信号处理模块转换得到的电信号的不同，确定所述待蚀刻的基板的在行方向上的蚀刻均一性，通过监测位于同一列的各个蚀刻区域对应的信号处理模块转换得到的电信号的不同，确定所述待蚀刻的基板的在列方向上的蚀刻均一性。本专利技术还提供一种蚀刻监测方法，包括如下步骤：步骤S1、提供一蚀刻监测装置，所述蚀刻监测装置包括：多个监测单元，每一个监测单元均包括一个入射光源和一个与该入射光源对应的信号处理模块；步骤S2、提供一待蚀刻的基板，将每一个入射光源对应所述待蚀刻的基板的上的一个蚀刻区域设置，且不同的入射光源对应的蚀刻区域不同；步骤S3、对所述待蚀刻的基板进行蚀刻，同时各个入射光源向其对应的蚀刻区域发射入射光并通过该蚀刻区域反射产生反射光；步骤S4、各个信号处理模块接收与其对应的入射光源发出的入射光所产生的反射光，并根据所述反射光的强度，将所述反射光转换为相应的电信号；步骤S5、监测各个信号处理模块转换得到的电信号的变化，确定所述待蚀刻的基板的蚀刻状态。所述步骤S2中，每一个蚀刻区域均包括：衬底基板及位于所述衬底基板上的第一金属层；所述步骤S3中，每一个蚀刻区域对应的入射光源发出入射光均具有如下特性：所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的第一金属层上时，所述第一金属层反射所述入射光产生的反射光具有第一强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的衬底基板上时，所述衬底基板反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度的第二强度；所述步骤S4中，所述信号处理模块先接收第一强度的反射光，转换产生第一电信号，后接收第二强度的反射光，转换产生第二电信号；所述步骤S5中，确定所述第一电信号的持续时长为所述第一金属层的蚀刻时长。所述步骤S2中，每一个蚀刻区域均包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的第一金属层及位于第一金属层上的第二金属层；所述步骤S3中，每一个蚀刻区域对应的入射光源发出入射光均具有如下特性：所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的第一金属层上时，所述第一金属层反射所述入射光产生的反射光具有第一强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的衬底基板上时，所述衬底基板反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度的第二强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域中的第二金属层上时，所述第二金属层反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度和第二强度的第三强度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻监测装置，其特征在于，包括：多个监测单元(1)，每一个监测单元(1)均包括一个入射光源(11)和一个与该入射光源(11)对应的信号处理模块(12)；每一个入射光源(11)对应待蚀刻的基板的上的一个蚀刻区域(2)设置，不同的入射光源(11)对应不同的蚀刻区域(2)；所述入射光源(11)用于向其对应的蚀刻区域(2)发射入射光并通过该蚀刻区域(2)反射产生反射光；所述信号处理模块(12)，用于接收与其对应的入射光源(11)发出的入射光所产生的反射光，并根据所述反射光的强度，将所述反射光转换为相应的电信号；蚀刻时，通过监测各个信号处理模块(12)转换得到的电信号的变化，确定所述待蚀刻的基板的蚀刻状态。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻监测装置，其特征在于，包括：多个监测单元(1)，每一个监测单元(1)均包括一个入射光源(11)和一个与该入射光源(11)对应的信号处理模块(12)；每一个入射光源(11)对应待蚀刻的基板的上的一个蚀刻区域(2)设置，不同的入射光源(11)对应不同的蚀刻区域(2)；所述入射光源(11)用于向其对应的蚀刻区域(2)发射入射光并通过该蚀刻区域(2)反射产生反射光；所述信号处理模块(12)，用于接收与其对应的入射光源(11)发出的入射光所产生的反射光，并根据所述反射光的强度，将所述反射光转换为相应的电信号；蚀刻时，通过监测各个信号处理模块(12)转换得到的电信号的变化，确定所述待蚀刻的基板的蚀刻状态。2.如权利要求1所述的蚀刻监测装置，其特征在于，所述信号处理模块(12)包括：反射单元(121)以及光信号处理器(122)；所述反射单元(121)设于所述反射光的光路上，用于对所述反射光进行反射，产生二次反射光；所述光信号处理器(122)位于所述二次反射光的光路上，用于接收所述二次反射光，并根据所述二次反射光的强度，将所述二次反射光转换为相应的电信号。3.如权利要求1所述的蚀刻监测装置，其特征在于，每一个蚀刻区域(2)均包括：衬底基板(21)及位于所述衬底基板(21)上的第一金属层(22)；每一个蚀刻区域(2)对应的入射光源(11)发出入射光均具有如下特性：所述入射光照射到其对应的蚀刻区域(2)中的第一金属层(22)上时，所述第一金属层(22)反射所述入射光产生的反射光具有第一强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域(2)中的衬底基板(21)上时，所述衬底基板(21)反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度的第二强度；蚀刻时，所述信号处理模块(12)先接收第一强度的反射光，转换产生第一电信号，后接收第二强度的反射光，转换产生第二电信号，所述第一电信号的持续时长为所述第一金属层(22)的蚀刻时长。4.如权利要求1所述的蚀刻监测装置，其特征在于，每一个蚀刻区域(2)均包括：衬底基板(21)、位于所述衬底基板(21)上的第一金属层(22)及位于第一金属层(22)上的第二金属层(23)；每一个蚀刻区域(2)对应的入射光源(11)发出入射光均具有如下特性：所述入射光照射到其对应的蚀刻区域(2)中的第一金属层(22)上时，所述第一金属层(22)反射所述入射光产生的反射光具有第一强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域(2)中的衬底基板(21)上时，所述衬底基板(21)反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度的第二强度，所述入射光照射到其对应的蚀刻区域(2)中的第二金属层(23)上时，所述第二金属层(23)反射所述入射光产生的反射光具有不同于第一强度和第二强度的第三强度；蚀刻时，所述信号处理模块(12)先接收第三强度的反射光，转换产生第三电信号，然后接收第一强度的反射光，转换产生第一电信号，最后接收第二强度的反射光，转换产生第二电信号，所述第三电信号的持续时长为所述第二金属层(22)的蚀刻时长，所述第一电信号的持续时长为所述第一金属层(22)的蚀刻时长。5.如权利要求1所述的蚀刻监测装置，其特征在于，所述待蚀刻的基板的各个蚀刻区域(2)阵列排布；蚀刻时，通过监测位于同一行的各个蚀刻区域(2)对应的信号处理模块(12)转换得到的电信号的不同，确定所述待蚀刻的基板的在行方向上的蚀刻均一性，通过监测位于同一列的各个蚀刻区域(2)对应的信号处理模块(12)转换得到的电信号的不同，确定所述待蚀刻的基板的在列方向上的蚀刻均一性。6.一种蚀刻监测方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅园，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44