在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构技术

本发明专利技术公开一种在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构，在晶片上制造对准标记的方法包括在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域。对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中。对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考。本发明专利技术也提出对准标记的结构。

Method of manufacturing alignment markers on wafers and structure of alignment markers

The invention discloses a method for manufacturing alignment marks on wafers and the structure of alignment marks. The method for manufacturing alignment marks on wafers includes patterning reticulate lines on wafers, in which multiple component areas are defined. The wafer is fabricated by a first injection process to form a plurality of injection marks in the scribed line in the wafer. A second injection fabrication process is performed on the wafer, and the position of the second injection fabrication process is referred to according to the position of the multiple injection markers. The structure of alignment mark is also proposed.

【技术实现步骤摘要】
在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构
本专利技术涉及一种半导体结构制造技术，且特别是涉及在在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构。
技术介绍
半导体元件的制造是以晶片为基础。也就是集成电路的多个半导体元件，经过多种的制造流程，而形成所要的结构在晶片上。在这些多种的制造流程，其需要一个参考位置来进行对准，如此这些制造流程是在相同的半导体元件上，在所要的位置上加工制造出所要的结构。这制造流程基本上会包含光刻、蚀刻、注入、…、等等的制作工艺。传统方式要形成对准标记的方式，是在晶片上进行蚀刻，而形成凹洞或是凹槽。之后利用光学机制侦测对凹槽的绕射现象而决定对准标记的位置。对于上述方式，原始晶片利用边缘刻槽与中心点，对晶片做最初的定位后，需要在晶片上设定网状的划线(scribeline)，以定义出元件区域。划线具有宽度，是预计在集成电路制造完成后，要切割成芯片(chip)的切割位置。最初的对准标记，不是元件的一部分，因此会形成在划线内，以提供最初的对准参考位置。如果对准标记采用凹槽的结构，则就需要对晶片蚀刻，且后续需要配合的光学测量机制来决定对准标记的位置。如此的方式，其制造成本仍是偏高。如何简化初步的对准标记的制造，也是需要考虑的问题其一。
技术实现思路
本专利技术提出在晶片上制造对准标记的方法以及对准标记的结构，可以简化在划线上的对准标记。根据本专利技术的实施例，本专利技术提供一种在晶片上制造对准标记的方法，包括在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域。对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中。对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考。在根据本专利技术的实施例的制造对准标记的方法中，所述多个注入标记经由被测量用以决定所述晶片的位置。在根据本专利技术的实施例的制造对准标记的方法中，所述多个注入标记至少包含第一几何图案与第二几何图案，其中所述第一几何图案是区别于所述第二几何图案。在根据本专利技术的实施例的制造对准标记的方法中，所述第一几何图案是用于决定所述晶片的第一位置，所述第二几何图案是用于决定所述晶片的第二位置，其中得到所述晶片的位置是经由平均所述第一位置与所述第二位置。在根据本专利技术的实施例的制造对准标记的方法中，所述多个注入标记是相同几何形状，但是不同尺寸，以形成至少两种几何图案。在根据本专利技术的实施例的制造对准标记的方法中，所述多个注入标记的所述位置是根据由于对所述多个注入标记的注入所产生的物理特性。在根据本专利技术的实施例的制造对准标记的方法中，其还包括对所述晶片进行第三注入制作工艺，其中所述第三注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的所述位置为所述参考位置。根据本专利技术的实施例，本专利技术提供一种对准标记结构，设置在晶片上。所述晶片尚未形成有蚀刻标记。所述结构包括在所述晶片上设定有划线，其中所述划线具有线宽且构成网状，定义出多个元件区域。多个注入标记设置在所述划线内，且形成于所述晶片中。第一注入区域设置在所述晶片中，其中第一注入区域的位置是以所述多个注入标记的位置为参考位置。在根据本专利技术的实施例的对准标记结构中，以所述多个注入标记用以决定所述晶片的位置。在根据本专利技术的实施例的对准标记结构中，所述多个注入标记至少包含第一几何图案与第二几何图案，其中所述第一几何图案是区别于所述第二几何图案。在根据本专利技术的实施例的对准标记结构中，所述第一几何图案是用于决定所述晶片的第一位置，所述第二几何图案是用于决定所述晶片的第二位置，其中得到所述晶片的位置是经由平均所述第一位置与所述第二位置。在根据本专利技术的实施例的对准标记结构中，所述多个注入标记是相同几何形状，但是不同尺寸，以形成至少两种几何图案。在根据本专利技术的实施例的对准标记结构中，所述多个注入标记的所述位置是根据由于对所述多个注入标记的注入所产生的物理特性。在根据本专利技术的实施例的对准标记结构中，其还包括第二注入区域，是依据所述多个注入标记的所述位置为所述参考位置。附图说明包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1为本专利技术一实施例，晶片上划线架构示意图；图2为本专利技术一实施例，在划线中的对准标记结构示意图；图3为本专利技术一实施例，蚀刻式的对准标记结构剖面示意图；图4为本专利技术一实施例，注入式的对准标记结构上视示意图；图5为本专利技术一实施例，注入式的对准标记结构剖面示意图；图6为本专利技术一实施例，注入式的对准标记结构的测量方式示意图；图7为本专利技术一实施例，注入式的对准标记结构的测量方式示意图；图8为本专利技术一实施例，在晶片上制造对准标记的方法的流程示意图。附图标号说明10:晶片12:凹刻14:中心点16:划线18:元件区域20:对准标记22:侦测光24:反射光30、32:注入标记40、42:加工区域50:侦测系统54:光源56:偏光片58:补偿器60:晶片62:检偏器64:探测器70:侦测系统72:侦测激光74:晶片76:激光源78:探测器80、82:光学元件具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。在开始将半导体元件实际制造在晶片上的前段流程，晶片需要根据初始的对准标记进行初始的对准。这些初始的对准标记一般是设置在消耗区的划限内。这些初始的对准标记一般可以称为第零层。图1为依据本专利技术一实施例，晶片上划线架构示意图。参阅图1，一个晶片10的初步结构，会设置凹刻12，以及中心点14，如此可以决定出晶片的参考轴例如是垂直轴。另外也会依据垂直轴与中心点14初步决定横向轴。一般，在晶片上会同时制造多个相同的集成电路。这些集成电路会在元件区域18中制造完成。因此，晶片10上会预先设定一些构成网状的划线16以决定这些元件区域18。划线16是预计的切割线，也就是在集成电路制造完成后，会在划线16切割晶片10，而得到多个芯片。划线16的区域是消耗区。划线16是会有一些宽度。而初始的一些对准标记可以形成在划线16的线宽范围内。图2为依据本专利技术一实施例，在划线中的对准标记结构示意图。参阅图2，划线16具有线宽。而划线16所围成的一个网孔就是一个元件区域18，其后的集成电路会在元件区域18内逐步制造完成。在本专利技术的实施例，在划线16的线宽内会先形成初步的多个对准标记。这些对准标记20用来当作初步的对准标记的功用。本专利技术的对准标记20式采用注入标记20，如此对准标记20是注入区域，可以是N导电型或/与P导电型，不需要额外利用蚀刻方式对晶片蚀刻来形成标记。这些对准标记20的大小可以相同或不同。图2的对准标记20是以不同大小的方式来示意。对准标记20的大小可以提供多次的位置测量，增加位置的准确度，其后面会有更详细的描述。对准标记20例如会包含N导电型与P导电型的注入区域。当在划线16内完成对准标记20后，其可以当作晶片10后续制作工艺的对准参考，因此在元件区域18内在制作工艺的加工位置可以依据对准标记20当作参考位置来进行。例如，其它的多种注入步骤或是光刻蚀刻步骤也会被进行，而在元件区域18内对应所形成注入区域或是加工区域40本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，包括：在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域；对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中；以及对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考位置。

【技术特征摘要】
1.一种在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，包括：在晶片上图案化出网状的划线，其中所述划线定义出多个元件区域；对所述晶片进行第一注入制作工艺，以在所述划线内形成多个注入标记于所述晶片中；以及对所述晶片进行第二注入制作工艺，其中所述第二注入制作工艺的位置是依据所述多个注入标记的位置为参考位置。2.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，所述多个注入标记经由被测量用以决定所述晶片的位置。3.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，所述多个注入标记至少包含第一几何图案与第二几何图案，其中所述第一几何图案是区别于所述第二几何图案。4.根据权利要求3所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，所述第一几何图案是用于决定所述晶片的第一位置，所述第二几何图案是用于决定所述晶片的第二位置，其中得到所述晶片的位置是经由平均所述第一位置与所述第二位置。5.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，所述多个注入标记是相同几何形状，但是不同尺寸，以形成至少两种几何图案。6.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，其中所述多个注入标记的所述位置是根据由于对所述多个注入标记的注入所产生的物理特性。7.根据权利要求1所述的在晶片上制造对准标记的方法，其特征在于，还包括对所述晶片进行第三注入制作工艺，其中所述第三注入制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洪涛，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71