The invention discloses a semiconductor element and a manufacturing method thereof. The semiconductor element consists of a semiconductor substrate, a gate groove, which passes through the active region and a groove insulation region surrounding the active region. The gate groove reveals the side wall of the active region and the side wall of the groove insulation structure, in which the groove insulation structure contains a hole; a first gate dielectric layer, which conformally covers the side wall of the active region and the groove insulation region. The side wall of the grid, in which the pore is filled by the first gate dielectric layer, the second gate dielectric layer grows from the side wall of the active region, and the gate is arranged in the gate groove.
【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
,特别是涉及一种半导体元件及其制作方法。
技术介绍
由于电子元件如动态随机存取存储器元件的尺寸越来越小,用来隔离半导体元件沟槽绝缘区域内可能会形成孔隙,后续在栅极沟槽填入栅极材料时,如氮化钛,则会沿着此孔隙形成氮化钛突出(TiNexcursion)现象,导致字符线与字符线串扰(WL-WLcrosstalk)问题。本专利技术于是提出一种改良的半导体元件及其制作方法,可以解决上述现有技术的问题与不足。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种改良的半导体元件,可以改善栅极介电层品质,并改善现有技术的缺点。本专利技术一实施例公开一种半导体元件,包含有一半导体衬底,具有一栅极沟槽,穿过一主动区域及围绕所述主动区域的一沟槽绝缘区域,其中所述栅极沟槽显露出所述主动区域的一侧壁及所述沟槽绝缘结构的一侧壁,其中所述沟槽绝缘结构包含一孔隙;一第一栅极介电层,共形的覆盖住所述主动区域的侧壁及所述沟槽绝缘区域的侧壁,其中所述孔隙被所述第一栅极介电层填满;一第二栅极介电层,从所述主动区域的侧壁上生长出来;及一栅极,设于所述栅极沟槽中。根据本专利技术另一实施例公开一种半导体元件的制作方法。先提供一半导体衬底,其上具有一主动区域及围绕所述主动区域的一沟槽绝缘区域。再于所述半导体衬底中形成一栅极沟槽,穿过所述主动区域及所述沟槽绝缘区域,其中所述栅极沟槽显露出所述主动区域的一侧壁及所述沟槽绝缘区域的一侧壁,其中所述沟槽绝缘区域包含一孔隙。再于所述栅极沟槽的内壁上沉积一第一栅极介电层,其中所述第一栅极介电层,共形的覆盖住所述主动区域的侧 ...
【技术保护点】
1.一种半导体元件,包含有:半导体衬底,具有栅极沟槽,穿过一主动区域及围绕所述主动区域的一沟槽绝缘区域,其中所述栅极沟槽显露出所述主动区域的一侧壁及所述沟槽绝缘结构的一侧壁,其中所述沟槽绝缘结构包含一孔隙;第一栅极介电层,共形的覆盖住所述主动区域的侧壁及所述沟槽绝缘区域的侧壁,其中所述孔隙被所述第一栅极介电层填满;第二栅极介电层,从所述主动区域的侧壁上生长出来;及栅极,设于所述栅极沟槽中。
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件,包含有:半导体衬底,具有栅极沟槽,穿过一主动区域及围绕所述主动区域的一沟槽绝缘区域,其中所述栅极沟槽显露出所述主动区域的一侧壁及所述沟槽绝缘结构的一侧壁,其中所述沟槽绝缘结构包含一孔隙;第一栅极介电层,共形的覆盖住所述主动区域的侧壁及所述沟槽绝缘区域的侧壁,其中所述孔隙被所述第一栅极介电层填满;第二栅极介电层,从所述主动区域的侧壁上生长出来;及栅极,设于所述栅极沟槽中。2.如权利要求1所述的半导体元件,其中所述第一栅极介电层包含原子层沉积(atomiclayerdeposition,ALD)氧化层。3.如权利要求2所述的半导体元件,其中所述第一栅极介电层的厚度介于40至60埃(angstrom)。4.如权利要求1所述的半导体元件,其中所述第二栅极介电层包含临场蒸气产生(in-situsteamgeneration,ISSG)氧化层。5.一种半导体元件的制作方法,包含有:提供一半导体衬底,其上具有一主动区域及围绕所述主动区域的一沟槽绝缘区域;在所述半导体衬底中形成一栅极沟槽,穿过所述主动区域及所述沟槽绝缘区域,其中所述栅极沟槽显露出所述主动区域的一侧壁及所述沟槽绝缘区域的一侧壁,其中所述沟槽绝缘区...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕佐文,吴劲苇,詹电针,林哲平,詹书俨,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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