偏光度的测量方法技术

本发明专利技术提供一种偏光度的测量方法，其用于测量偏振片的偏光度，本发明专利技术的优点在于，采用反射式测量方法，不需要将偏振片从模组上取下后再测量偏光度，避免模组被破坏，且避免偏振片受损，影响偏振片的偏光度；另外，本发明专利技术偏光度的测量方法能够实现大批量在线监控，可操作性强。

Measurement of Polarity

The invention provides a method for measuring polarizability of polarizers, which is used to measure polarizability of polarizers. The advantages of the invention are that the polarizer need not be removed from the module and then measured to avoid the module being destroyed, and to avoid the damage of the polarizer and influence the polarizability of the polarizer. In addition, the polarizability measurement method of the invention can realize a large number of polarizers. Quantity on-line monitoring, strong operability.

【技术实现步骤摘要】
偏光度的测量方法
本专利技术涉及显示装置领域，尤其涉及一种偏振片的偏光度的测量方法。
技术介绍
随着显示技术的进步，薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT-LCD)由于具有轻、薄、低辐射以及体积小而不占空间等优势，目前已经成为显示器市场的主力产品。液晶显示器主要利用两片偏振片所产生的线偏光达到亮暗对比的显示效果。其主要光源由背光模组提供，其光线经过第一片偏光板后产生线偏光，随着液晶分子的排列扭转后，再透过第二片偏光板即会产生亮暗变化，最后到达观看者眼内达到显示效果。其中，偏振片的偏光度P对其对比度K有很大影响，而偏振片的对比度会影响液晶显示器的对比光学表现。其中，偏光度P与对比度K之间存在如下关系：因此，若要检测监测液晶显示器的对比光学表现则需要对偏振片的偏光度P进行测量。而偏光度P与偏振片的平行透光率T//及偏振片的正交透光率T⊥存在如下关系因此，可通过测量光片的平行透光率T//及偏振片的正交透光率T⊥得到偏振片的偏光度P，进而可监测液晶显示器的对比光学表现。目前，传统的测试偏振片的偏光度的方法为采用穿透式光源测量方法。具体地说，光源产生一任一方向的线偏振光，所述线偏振光穿过待测试的偏振片，测量所述待测试的偏振片的平行透光率T//及偏振片的正交透光率T⊥，从而可得到所述待测试的偏振片的偏光度，进而可检测液晶显示器的对比光学表现。传统的方法的缺点在于，在测试之前，需要将待测试的偏振片从TFT基板或者CF基板上取下进行测试，在取下过程中偏振片会产生变形，影响偏光度的测量结果，且该种方法为破坏性测量，无法大量线上监控。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种偏光度的测量方法，其不需要将偏振片从模组上取下后再测量偏光度，避免模组被破坏，且避免偏振片受损，影响偏振片的偏光度。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种偏光度的测量方法，包括如下步骤：提供一参考偏振片的反射率及一参考基板的反射率；一各向线偏振光入射至一偏振片与一基板组合形成的一模组，测量所述模组的反射率，将所述模组的反射率的最大值作为所述模组的平行反射率，将所述模组的反射率的最小值作为所述模组的正交反射率；根据所述参考偏振片的反射率、所述参考基板的反射率、所述模组的平行反射率及所述模组的正交反射率计算所述偏振片的偏光度。在一实施例中，根据公式(1)、公式(2)及公式(3)求得所述偏振片的偏光度：R//＝RPOL+T//*RG(1)R⊥＝RPOL+T⊥*RG(2)其中，RPOL为所述参考偏振片的反射率，RG为所述参考基板的反射率，T//为所述偏振片的平行透光率，T⊥为所述偏振片的正交透光率，R//为所述模组的平行反射率，R⊥为所述模组的正交反射率，P为所述偏振片的偏光度。在一实施例中，定义一标准白参考板对一光源入射光的反射率为100％，测量所述光源入射至所述标准白参考板后形成的反射光的亮度，所述光源入射在所述参考偏振片后形成的反射光的亮度与所述标准白参考板的反射光的亮度对比，得到所述参考偏振片的反射率，所述光源入射在所述参考基板后形成的反射光的亮度与所述标准白参考板的反射光的亮度对比，得到所述参考基板的反射率。在一实施例中，将所述各向偏振光入射在一标准白参考板后形成的反射光的亮度作为100％反射率，所述各向偏振光入射在所述模组后形成的反射光的亮度与所述标准白参考板的反射光的亮度对比，得到所述模组的反射率。在一实施例中，通过一感光器测量所述参考偏振片、所述参考基板及所述模组的反射光的亮度。在一实施例中，一光源经一可旋转的理想偏振片产生所述各向线偏振光。在一实施例中，所述各向线偏振光从所述模组具有所述偏振片的一侧入射。在一实施例中，所述基板为薄膜晶体管基板或者彩色滤膜基板。本专利技术的优点在于，采用反射式测量方法，不需要将偏振片从模组上取下后再测量偏光度，避免模组被破坏，且避免偏振片受损，影响偏振片的偏光度；另外，本专利技术偏光度的测量方法能够实现大批量在线监控，可操作性强。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术偏光度的测量方法的一实施例的步骤示意图；图2是所述模组的结构示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。图1是本专利技术偏光度的测量方法的一实施例的步骤示意图。请参阅图1。所述偏光度的测量方法包括如下步骤：请参阅步骤S10，提供一参考偏振片的反射率RPOL及一参考基板的反射率RG。具体地说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏光度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一参考偏振片的反射率及一参考基板的反射率；一各向线偏振光入射至一偏振片与一基板组合形成的一模组，测量所述模组的反射率，将所述模组的反射率的最大值作为所述模组的平行反射率，将所述模组的反射率的最小值作为所述模组的正交反射率；根据所述参考偏振片的反射率、所述参考基板的反射率、所述模组的平行反射率及所述模组的正交反射率计算所述偏振片的偏光度。

【技术特征摘要】
1.一种偏光度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一参考偏振片的反射率及一参考基板的反射率；一各向线偏振光入射至一偏振片与一基板组合形成的一模组，测量所述模组的反射率，将所述模组的反射率的最大值作为所述模组的平行反射率，将所述模组的反射率的最小值作为所述模组的正交反射率；根据所述参考偏振片的反射率、所述参考基板的反射率、所述模组的平行反射率及所述模组的正交反射率计算所述偏振片的偏光度。2.根据权利要求1所述的偏光度的测量方法，其特征在于，根据公式(1)、公式(2)及公式(3)求得所述偏振片的偏光度：R//＝RPOL+T//*RG(1)R⊥＝RPOL+T⊥*RG(2)其中，RPOL为所述参考偏振片的反射率，RG为所述参考基板的反射率，T//为所述偏振片的平行透光率，T⊥为所述偏振片的正交透光率，R//为所述模组的平行反射率，R⊥为所述模组的正交反射率，P为所述偏振片的偏光度。3.根据权利要求1所述的偏光度的测量方法，其特征在于，定义一标准白参考板对一光源入射光的反射率为100％，测量所述光源入射至所述标准白...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊吉，
申请(专利权)人：惠州市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44