一种可变形电极及其应用设备、使用方法技术

本发明专利技术涉及等离子体技术领域，尤其是涉及一种可变形电极及其应用设备、使用方法。该可变形电极包括：电极盘、变形调节件和等离子体传感器；所述变形调节件设置于所述电极盘的第一端面，以使所述电极盘于其直径位置形成若干个变形调节点位；所述等离子体传感器设置于所述电极盘的第二端面，且与各个所述变形调节点位一一对应。本发明专利技术能够通过灵活地改变电极形状，从而获得大范围均匀等离子体，结构简单，操作方便，利于推广与应用。

【技术实现步骤摘要】
一种可变形电极及其应用设备、使用方法
本专利技术涉及等离子体
，尤其是涉及一种可变形电极及其应用设备、使用方法。
技术介绍
容性耦合辉光放电等离子体广泛应用于大面积等离子体增强化学气相沉积和等离子体刻蚀等加工过程，典型如集成电路芯片制造、平面显示屏制造、太阳能电池板制造等。在这些产业中，激烈的市场竞争迫使制造商想尽各种办法最大限度地降低成本和提高生产效率。其中一个直接的方法是使用更大尺寸的衬底来提高批处理量,例如：集成电路芯片制造中所用的晶圆直径已经从3英寸增大到了12英寸，显示屏制造中更是普遍使用1米以上的玻璃衬底。另一个方面是通过采用更高的放电频率获得更高的等离子体密度(容性耦合辉光放电的等离子体密度具有随放电频率的升高而升高的特性)，以提高加工效率，缩短加工周期。然而，随着被加工衬底尺寸的增大和放电电极的相应增大，等离子体的均匀性变得难以满足，而伴随更高频率放电所产生的驻波效应更进一步加剧了等离子体的不均匀性，这个问题限制了更大尺寸被加工衬底的使用和批处理量的进一步提高。目前，造成等离子体不均匀的根本原因是电场分布不均匀，而影响电场分布的因素主要有电极电导率、电极边缘效应、驻波效应和等离子体的作用等。现有技术能够针对某种特定的工作条件通过设计腔体和电极的结构和尺寸获得较为均匀的等离子体，但是当工作条件改变时等离子体均匀性就会变差。现有用于改善等离子体均匀性的各种技术的一个共同点是固定的放电结构设计，包括腔体、电极结构、放电间隙等，这些技术通常只能针对某种特定的放电条件获得较为均匀的等离子体，而不能在放电条件发生改变时通过自身调节来保持等离子体的均匀性。公开于该
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部分的信息仅仅旨在加深对本申请的总体
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的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可变形电极及其应用设备、使用方法，以解决现有技术中存在的因为固定式放电结构设计而不能在放电条件发生改变时通过自身调节来保持等离子体均匀性的技术问题。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：第一方面，本专利技术提供一种可变形电极，其包括：电极盘、变形调节件和等离子体传感器；所述变形调节件设置于所述电极盘的第一端面，以使所述电极盘于其直径位置形成若干个变形调节点位；所述等离子体传感器设置于所述电极盘的第二端面，且与各个所述变形调节点位一一对应。作为一种进一步的技术方案，所述电极盘包括：电极芯以及若干个依次同心套设于所述电极芯的导电带环。作为一种进一步的技术方案，所述导电带环和所述电极芯分别对应设置有宽度相同的槽孔；所述导电带环与电极芯装配之后，各个槽孔构成所述电极盘上的一通径槽。作为一种进一步的技术方案，所述变形调节件包括：变形片以及若干个沿所述变形片间隔分布的销钉；所述变形片设置于所述电极盘的通径槽内；若干个所述销钉分别铰接于所述变形片，且每个所述销钉对应构成一个变形调节点位。作为一种进一步的技术方案，所述变形片的材质为弹性金属。作为一种进一步的技术方案，所述导电带环的材质为金属或导电陶瓷。作为一种进一步的技术方案，所述销钉的材质为绝缘材料或金属。作为一种进一步的技术方案，所述等离子体传感器为光敏器件或光纤探头或静电探针。第二方面，本专利技术还提供一种应用上面所述可变形电极的设备，其包括：对向电极和电源；所述电源用于将输出电压施加于所述电极盘与所述对向电极之间。第三方面，本专利技术又提供一种根据所述可变形电极的使用方法，其包括：调节所述变形调节件使所述电极盘面远离/靠近对向电极以减弱/增强电场强度使放电减弱/增强，直到各等离子体传感器的输出值最接近平均值为止。采用上述技术方案，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术提供的可变形电极及其应用设备、使用方法，能够通过灵活地改变电极形状，从而获得大范围均匀等离子体，结构简单，操作方便，利于推广与应用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一提供的电极盘的分体结构示意图；图2为本专利技术实施例一提供的电极盘装配后的结构示意图；图3为本专利技术实施例一提供的可变形电极的结构示意图；图4为本专利技术实施例一提供的可变形电极第一种变形的侧视图；图5为本专利技术实施例一提供的可变形电极第二种变形的侧视图；图6为本专利技术实施例一提供的可变形电极第三种变形的侧视图；图7为本专利技术实施例二提供的可变形电极与电源、对向电极三者之间的第一种连接示意图；图8为本专利技术实施例二提供的可变形电极与电源、对向电极三者之间的第二种连接示意图。图标：1：导电带环；2：电极芯；3：电极盘；4：变形片；5：销钉；6：等离子体传感器；7：对向电极；8：电源；9：基片。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。实施例一结合图1至图3所示，本实施例提供一种可变形电极，其包括：电极盘3、变形调节件和等离子体传感器6；电极盘3为可变形的放电结构，变形调节件设置于电极盘3的第一端面，以使电极盘3于其直径位置形成若干个变形调节点位(即，变形调节件用于在电极盘3上形成若干个变形调节点位，各个变形调节点位沿电极盘3的直径分布，可使电极盘3发生弯曲变形)；等离子体传感器6设置于电极盘3的第二端面(电极盘3的第一端面与第二端面正反对应设置，其中，电极盘3的第二端面为放电面)，且各个等离子体传感器6与各个变形调节点位一一对应(等离子体传感器6与变形调节点位相对应设置)。本实施例中，对于电极盘3而言，可以优选地设置为一种可变形的电极盘结构。该电极盘3包括：电极芯2以及若干个依次同心套设于电极芯2的导电带环1。也就是说，一组导电带环1一个套一个地套在一起并套在一个电极芯2外构成电极盘3。对于导电带环1的数量可以不受限制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可变形电极，其特征在于，包括：电极盘、变形调节件和等离子体传感器；所述变形调节件设置于所述电极盘的第一端面，以使所述电极盘于其直径位置形成若干个变形调节点位；所述等离子体传感器设置于所述电极盘的第二端面，且与各个所述变形调节点位一一对应。

【技术特征摘要】
1.一种可变形电极，其特征在于，包括：电极盘、变形调节件和等离子体传感器；所述变形调节件设置于所述电极盘的第一端面，以使所述电极盘于其直径位置形成若干个变形调节点位；所述等离子体传感器设置于所述电极盘的第二端面，且与各个所述变形调节点位一一对应。2.根据权利要求1所述的可变形电极，其特征在于，所述电极盘包括：电极芯以及若干个依次同心套设于所述电极芯的导电带环。3.根据权利要求2所述的可变形电极，其特征在于，所述导电带环和所述电极芯分别对应设置有宽度相同的槽孔；所述导电带环与电极芯装配之后，各个槽孔构成所述电极盘上的一通径槽。4.根据权利要求3所述的可变形电极，其特征在于，所述变形调节件包括：变形片以及若干个沿所述变形片间隔分布的销钉；所述变形片设置于所述电极盘的通径槽内；若干个所述销钉分别铰接于所述变形片，且每个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗坚，
申请(专利权)人：江苏菲沃泰纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32