一种双端口SRAM器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种双端口SRAM器件及其制作方法、电子装置，该双端口SRAM器件包括：第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构；所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构。该双端口SRAM器件增加了上拉晶体管和下拉晶体管之间的距离，降低了上拉晶体管和下拉晶体管之间的相互作用，以及降低了制作工艺的难度。该制作方法和电子装置具有类似的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种双端口SRAM器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种双端口SRAM器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
SRAM(静态随机存储器)在要求高速度、低功耗等的集成电路中得到了广泛应用，对于各种不同的应用要求，人们开发出了各种结构的SRAM，比如常规的6TSRAM(即，一个SRAM存储单元包括六个金属氧化物半导体MOS晶体管，被称为6TSRAM)，其为单端口读写混用的SRAM结构，对于这种结构的SRAM，由于读写共用一个端口，因此进行读操作时可能会对内部存储数据造成干扰，比如产生误翻转，并且读写裕度(margin)无法单独增加，因而需要读写裕度之间取舍。为了克服上述问题，现有技术提出了读写分离的双端口SRAM结构单元。图1示出一种双端口8TSRAM，其包括8个MOS晶体管，其中第一上拉晶体管PU1和第一下拉晶体管PD1形成第一反相器101，第二上拉晶体管102和第二下拉晶体管PD2形成第二反相器102，两反相器耦接形成接在电源和地之间的锁存电路，即一个反相器的输入与另一个反相器的输出相连。第一反相器的输出作为第一存储节点A，第二反相器的输出作为第二存储节点B，当下拉一个存储节点至低电平时，则另一个存储节点被上拉至高电平。第一位线对BLA分别通过第一组传输晶体管PGA1和PGA2耦合至第一存储节点A和第二存储节点B。第二位线对BLB分别通过第二组传输晶体管PGB1和PGB2耦合至第一存储节点A和第二存储节点B。字线WLA与第一组传输晶体管PGA1和PGA2的栅极相连。字线WLB与第二组传输晶体管PGB1和PGB2的栅极相连。当将字线WLA或WLB电平切换到系统高电平或Vdd时，第一组传输晶体管PGA1和PGA2或第二组传输晶体管PGB1和PGB2被开启以允许分别通过位线对BLA和BLB对第一存储节点A和第二存储节点B进行读取或写入。这种8TSRAM可以使写操作和读操作路径分开，可以同时得到较高的β比和γ比，而且能够提高静态噪声容限，提高存储单元的稳定性。上述8TSRAM虽然克服了前述问题，但由于使用两组传输晶体管，为了减小面积并且大致中心对称，下拉晶体管和上拉晶体管的栅极呈一体结构且大致呈U型。如图2所示，其为图1所示8TSRAM的示意性版图，下拉晶体管(PD1、PD2)和上拉晶体管(PU1、PU2)的栅极彼此连接呈一体结构，并且大致呈U型结构，但是这种形状给SRAM制造带来了困难。因此，有必要提出一种双端口SRAM及制作方法，以至少部分解决该技术问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种双端口SRAM器件，包括第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构；所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构。可选地，所述h形结构包括：沿第一方向延伸的第一栅极线和第二栅极线，所述第一栅极线和第二栅极线沿第二方向间隔排列，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第二方向延伸的栅极连线，所述栅极连线与所述第一栅极线、第二栅极线均连接。可选地，所述栅极连线的两端分别沿所述第二方向突出于所述第一栅极线、第二栅极线。可选地，所述第一下拉晶体管位于第一有源区，所述第一上拉晶体管位于第二有源区，所述第二下拉晶体管位于第三有源区，所述第二上拉晶体管位于第四有源区，所述第一、二、四、三有源区沿第一方向依次间隔排布；所述第一反相器的栅极连线设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间、第一栅极线横跨所述第一有源区、第二栅极线横跨所述第一有源区和第二有源区；所述第二反相器的栅极连线设置在所述第三有源区和所述第四有源区之间、第一栅极线横跨所述第三有源区、第二栅极线横跨所述第三有源区和第四有源区。可选地，所述第一反相器和所述第二反相器呈中心对称分布。根据本专利技术的双端口SRAM器件，由于所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构，这样所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管之间的距离，以及所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管之间的距离增加，降低了上拉晶体管和下拉晶体管之间的相互作用，以及降低了制作工艺的难度。并且根据本专利技术的双端口SRAM器件通过改变器件的布图即可实现，无需增加额外的制作步骤。本专利技术另一方面提供一种双端口SRAM器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构；所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构。可选地，所述h形结构包括：沿第一方向延伸的第一栅极线和第二栅极线，所述第一栅极线和第二栅极线沿第二方向间隔排列，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第二方向延伸的栅极连线，所述栅极连线与所述第一栅极线、第二栅极线均连接。可选地，所述栅极连线的两端分别沿所述第二方向突出于所述第一栅极线、第二栅极线。可选地，所述第一下拉晶体管位于第一有源区，所述第一上拉晶体管位于第二有源区，所述第二下拉晶体管位于第三有源区，所述第二上拉晶体管位于第四有源区，所述第一、二、四、三有源区沿第一方向依次间隔排布；所述第一反相器的栅极连线设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间、第一栅极线横跨所述第一有源区、第二栅极线横跨所述第一有源区和第二有源区；所述第二反相器的栅极连线设置在所述第三有源区和所述第四有源区之间、第一栅极线横跨所述第三有源区、第二栅极线横跨所述第三有源区和第四有源区。可选地，所述第一反相器和所述第二反相器呈中心对称分布。根据本专利技术的双端口SRAM器件的制作方法，由于所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构，这样所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管之间的距离，以及所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管之间的距离增加，降低了上拉晶体管和下拉晶体管之间的相互作用，以及降低了制作工艺的难度。并且根据本专利技术的双端口SRAM器件的制作方法仅需改变器件的布图即可，而无需增加额外的制作步骤。本专利技术再一方面提供一种电子装置，其包括如上所述的双端口SRAM器件以及与所述双端口SRAM器件相连接的电子组件。本专利技术提出的电子装置，由于具有上述双端口SRAM器件，因而具有类似的优点。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1示出目前一种8TSRAM的电路结构示意图；图2示出图1所示8TSRAM的示意性版图；图3示出根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双端口SRAM器件，其特征在于，包括第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构；所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构。

【技术特征摘要】
1.一种双端口SRAM器件，其特征在于，包括第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构；所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅极彼此连接并形成h形结构。2.根据权利要求1所述的双端口SRAM器件，其特征在于，所述h形结构包括：沿第一方向延伸的第一栅极线和第二栅极线，所述第一栅极线和第二栅极线沿第二方向间隔排列，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第二方向延伸的栅极连线，所述栅极连线与所述第一栅极线、第二栅极线均连接。3.根据权利要求2所述的双端口SRAM器件，其特征在于，所述栅极连线的两端分别沿所述第二方向突出于所述第一栅极线、第二栅极线。4.根据权利要求2所述的双端口SRAM器件，其特征在于，所述第一下拉晶体管位于第一有源区，所述第一上拉晶体管位于第二有源区，所述第二下拉晶体管位于第三有源区，所述第二上拉晶体管位于第四有源区，所述第一、二、四、三有源区沿第一方向依次间隔排布；所述第一反相器的栅极连线设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间、第一栅极线横跨所述第一有源区、第二栅极线横跨所述第一有源区和第二有源区；所述第二反相器的栅极连线设置在所述第三有源区和所述第四有源区之间、第一栅极线横跨所述第三有源区、第二栅极线横跨所述第三有源区和第四有源区。5.根据权利要求2所述的双端口SRAM器件，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器呈中心对称分布。6.一种双端口SRAM器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖淼，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11