一种高选择性小型化双工器制造技术

技术编号:20052930 阅读:63 留言:0更新日期:2019-01-09 07:45
本实用新型专利技术公开了一种高选择性小型化双工器,包括高通滤波器,低通滤波器,高频发射端口,低频接收端口和公共端口等,滤波器采用梳状腔的结构,高通滤波器和低通滤波器间有一个公共腔,高通滤波器通路里设有电耦合结构和磁耦合结构,低通滤波器通路里设有磁耦合结构,双工器还包括调谐螺钉,相邻谐振器之间通过连筋相连,增加了磁耦合量。本实用新型专利技术在磁耦合结构的基础上,增加了电耦合结构,使得高通滤波器响应在低端实现多个传输零点,进而增加选择性,这些传输零点可以降低两个滤波器之间的相互干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种高选择性小型化双工器
本技术涉及移动通信领域。
技术介绍
双工器是通信系统中的主要配件,其作用是将发射和接受讯号相隔离,保证接受和发射都能同时正常工作。它是由两组不同频率的滤波器组成,避免本机发射信号传输到接收机。目前,通信系统普遍都向小型化发展,小型化的双工器一直是研究热点。同时,频谱资源日益拥挤,这就对滤波器或双工器的选择性提出了更高的要求。本技术就是一款基于以上要求的高选择性小型化双工器。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种结构简单,长度较短、重量较轻且成品率高的高选择性小型化双工器。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种高选择性小型化双工器,包括壳体,所述壳体内部设置有高通滤波器、低通滤波器和公共腔,高通滤波器与低通滤波器通过公共腔所在谐振器相连;所述高通滤波器和低通滤波器均包括多个谐振器,且相邻谐振器之间构成耦合结构;所述谐振器包括调谐杆和同轴挖孔,调谐杆的下端固定在壳体的底部,调谐杆的上端连接所述同轴挖孔;所述壳体上设置有低频接收端口、公共端口和高频发射端口,其中所述高通滤波器右侧谐振器与高频发射端口相连,高通滤波器左侧谐振器与公共腔所在谐振器相耦合,所述低通滤波器左侧谐振器与低频接收端口相连,低通滤波器右侧谐振器与公共腔所在谐振器相耦合;所述高通滤波器里的耦合结构包括电耦合结构和磁耦合结构;所述谐振器都是阶梯阻抗结构。所述高通滤波器通路里包括两个电耦合结构,其余为磁耦合结构。所述低通滤波器的耦合结构全部为磁耦合结构。所述壳体内,谐振器之间通过连筋相连,以增加磁耦合量。所述双工器的结构是梳状腔结构。所述壳体上安装有调谐螺钉,所述调谐螺钉与每个谐振器上同轴挖孔的开口方向所一一对应。本技术的有益效果是:1.相比传统的同轴双工器,该小型化双工器由于采用梳状腔结构,所以双工器的体积和重量要小很多,减少了双工器的插入损耗,可方便的内置于天线中。2.采用由电耦合结构和磁耦合结构组成的交叉耦合结构,使得低通滤波器响应在高端有多个传输零点,高通滤波器响应在低端有多个传输零点,大大提高了双工器的选择性和隔离性。3.此双工器采用阶梯阻抗结构(SIR结构),能大大缩减滤波器体积从而提高基站系统的集成度。附图说明图1为本技术的结构示意图;图1中,1-低频接收端口,2-公共腔,3-调谐螺钉,4-公共端口,5-电耦合结构,6-高频发射端口,7-连筋,8-壳体。具体实施方式下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案,但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示,高选择性小型化双工器,由低频接收端口1,公共腔2,调谐螺钉3,公共端口4,电耦合结构5,高频发射端口6,连筋7,壳体8组成。高选择性小型化双工器各部件连接关系如下:双工器包括高通滤波器和低通滤波器组成,高通滤波器和低通滤波器通过公共腔2相连,以公共腔中心线,低通滤波器位于公共腔2的左侧,高通滤波器位于公共腔2的右侧;滤波器由多个谐振器组成,谐振器的一端固定在双工器的壳体8上,相邻的谐振器通过连筋7连接,谐振器部件包括调谐杆和同轴挖孔,同轴挖孔的开口方向上设置有调谐螺钉3,调谐螺钉3的一端固定在壳体8上;壳体8上有三个接口,高频发射端口6与位于高通滤波器内最右侧的谐振器相接,低频接收端口1与位于低通滤波器最左侧的谐振器相接,公共端口4与位于公共腔上的谐振器相接。高选择性小型化双工器工作原理如下:双工器里高通滤波器和低通滤波器共用一副天线,双工器的工作模式有两种,其中一种是发射信号,另一种是接收信号,这两种工作模式同时工作,互不干扰。工作时,双工器开始接收来自天线的信号,接收信号通过公共端口进入双工器,在低通滤波器的一侧,各个谐振器内的耦合结构都为磁耦合结构,且相邻的谐振器通过连筋7连接,可以增加磁耦合量,接收信号经过一系列的耦合和传递,最终传输到低通滤波器的低频接收端口1。与此同时,在公共腔2的右端连接有高通滤波器,高通滤波器最右端的谐振器处连接有高频发射端口6,发射信号通过高频发射端口进入高通滤波器。高通滤波器内设置两个带有电耦合结构5的谐振器,其余谐振器均为磁耦合结构,这样就构成了交叉耦合的结构,这样的交叉耦合结构可以使低通滤波器响应在高端有多个传输零点,所以接收信号和发射信号互不干扰。发射信号经过电耦合结构5和磁耦合的一系列耦合过程,过滤掉了低频信号,通过高通滤波器传输到公共腔2,从而将发射信号传输到公共端口。这种交叉耦合结构增加了双工器的选择性以及良好的信号隔离性能,使双工器在接收信号的同时,也可以发送信号,并且这种双工器具有良好的隔离性和信号筛选性,低通滤波器谐振于发射频率,高通滤波器谐振于接收频率,可以使接收信号和发射信号互不干扰,显著地提高了抗干扰能力。此双工器内的各个谐振器采用阶梯阻抗结构(SIR结构),能大大缩减滤波器体积从而提高基站系统的集成度。同时,双工器采用了梳状腔结构,实现了更多的传输零点,大大提高了双工器的选择性并减小了双工器的插入损耗。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高选择性小型化双工器,其特征在于:包括壳体(8),所述壳体(8)内部设置有高通滤波器、低通滤波器和公共腔(2),高通滤波器与低通滤波器通过公共腔(2)所在谐振器相连;所述高通滤波器和低通滤波器均包括多个谐振器,且相邻谐振器之间构成耦合结构;所述谐振器包括调谐杆和同轴挖孔,调谐杆的下端固定在壳体(8)的底部,调谐杆的上端连接所述同轴挖孔;所述壳体(8)上设置有低频接收端口(1)、公共端口(4)和高频发射端口(6),其中所述高通滤波器右侧谐振器与高频发射端口(6)相连,高通滤波器左侧谐振器与公共腔(2)所在谐振器相耦合,所述低通滤波器左侧谐振器与低频接收端口(1)相连,低通滤波器右侧谐振器与公共腔(2)所在谐振器相耦合;所述高通滤波器里的耦合结构包括电耦合结构(5)和磁耦合结构;所述谐振器都是阶梯阻抗结构。

【技术特征摘要】
1.一种高选择性小型化双工器,其特征在于:包括壳体(8),所述壳体(8)内部设置有高通滤波器、低通滤波器和公共腔(2),高通滤波器与低通滤波器通过公共腔(2)所在谐振器相连;所述高通滤波器和低通滤波器均包括多个谐振器,且相邻谐振器之间构成耦合结构;所述谐振器包括调谐杆和同轴挖孔,调谐杆的下端固定在壳体(8)的底部,调谐杆的上端连接所述同轴挖孔;所述壳体(8)上设置有低频接收端口(1)、公共端口(4)和高频发射端口(6),其中所述高通滤波器右侧谐振器与高频发射端口(6)相连,高通滤波器左侧谐振器与公共腔(2)所在谐振器相耦合,所述低通滤波器左侧谐振器与低频接收端口(1)相连,低通滤波器右侧谐振器与公共腔(2)所在谐振器相耦合;所述高通滤波器里的耦合结构包括电...

【专利技术属性】
技术研发人员:霍新平曹煜范云军
申请(专利权)人:成都泰格微波技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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