生长炉制造技术

技术编号:20043381 阅读:39 留言:0更新日期:2019-01-09 03:37
本实用新型专利技术提供一种生长炉,涉及晶体培养设备领域,生长炉包括:炉体、坩埚、坩埚托组件、第一驱动机构、籽晶托组件和第二驱动机构,坩埚设置于炉体内,炉体内设有加热装置,坩埚包括坩埚本体和籽晶管,籽晶管与坩埚本体连通;坩埚托组件设有用于容纳籽晶管的容置通道,坩埚托组件的一端与坩埚本体连接,籽晶托组件的一端可穿设于容置通道内;第一驱动机构与坩埚托组件的另一端传动连接,第二驱动机构与籽晶托组件的另一端传动连接。通过第一驱动机构带动坩埚以一定的速度靠近或远离加热装置,同时通过第二驱动机构带动籽晶托组件以一定速度远离或靠近籽晶管。因此,生长炉对结晶区温度梯度的调节更加精细,可以确保晶体生长的质量更好。

Growth furnace

The utility model provides a growth furnace, which relates to the field of crystal cultivation equipment. The growth furnace comprises a furnace body, a crucible, a crucible support assembly, a first driving mechanism, a seed crystal support assembly and a second driving mechanism. The crucible is arranged in the furnace body, and a heating device is arranged in the furnace body. The crucible comprises a crucible body and a seed crystal tube, and the seed crystal tube is connected with the crucible body. One end of the crucible holder assembly is connected with the crucible body. One end of the seed holder assembly can be arranged in the holding channel. The first driving mechanism is connected with the other end of the crucible holder assembly, and the second driving mechanism is connected with the other end of the seed holder assembly. The crucible is driven by the first driving mechanism to approach or stay away from the heating device at a certain speed, and the seed holder assembly is driven by the second driving mechanism to stay away or close to the seed tube at a certain speed. Therefore, the temperature gradient in the crystal zone can be adjusted more precisely by the growth furnace, which can ensure the better quality of crystal growth.

【技术实现步骤摘要】
生长炉
本技术涉及晶体培养设备领域,尤其是涉及一种生长炉。
技术介绍
在坩埚下降法晶体生长炉中,晶体生长需要合适的温度梯度,才能获得晶体内部无杂质、外部形态比较规则的晶体毛坯。在晶体生长的过程中,盛装原料的坩埚必须按照特定的速度移动,才能获得晶体生长所需的温度梯度,晶体在生长炉内生长时,通过使坩埚下降产生合适的温度梯度,使晶体较好地生长。现有技术的生长炉包括炉体、坩埚和坩埚杆,坩埚置于炉体内,炉体的上部设有加热装置,坩埚位于加热装置的下方,坩埚杆的顶端伸进生长炉的炉膛内支撑坩埚,坩埚杆的底部伸出炉膛与炉体下方的升降座连接,升降座带动坩埚杆和坩埚以一定的速度向下移动,从而产生温度梯度,使晶体较好地生长。然而,通过上述装置调节坩埚内结晶区温度梯度的精度较差,容易使晶体内部产生杂质、气泡等,使晶体的质量较差,无法满足使用需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种生长炉,以解决现有技术中生长炉培养晶体时调节坩埚内结晶区温度梯度的精度较差导致培养的晶体质量较差的问题。本技术提供一种生长炉,包括:炉体、坩埚、坩埚托组件、第一驱动机构、籽晶托组件和第二驱动机构,所述坩埚设置于所述炉体内,所述炉体内设有加热装置,所述坩埚包括坩埚本体和籽晶管,所述籽晶管设置于所述坩埚本体上远离所述加热装置的一端,所述籽晶管与所述坩埚本体连通;所述坩埚托组件设有用于容纳所述籽晶管的容置通道,所述坩埚托组件的一端设置于所述炉体内,且与所述坩埚本体连接,所述籽晶托组件的一端设置于所述炉体内,且可穿设于所述容置通道内,所述坩埚托组件和所述籽晶托组件均用于向所述籽晶管内传递热量;所述第一驱动机构与所述坩埚托组件的另一端传动连接,以带动所述坩埚托组件和所述坩埚靠近或远离所述加热装置,所述第二驱动机构与所述籽晶托组件的另一端传动连接,以带动所述籽晶托组件靠近或远离所述籽晶管。其中,所述坩埚托组件包括坩埚托和坩埚杆,所述坩埚托与所述坩埚杆连接,所述坩埚托与所述坩埚本体连接,所述第一驱动机构与所述坩埚杆传动连接,所述坩埚托设有所述容置通道,所述坩埚杆为中空结构;所述籽晶托组件包括籽晶托和籽晶杆,所述籽晶托可穿设于所述容置通道内,所述籽晶杆穿设所述坩埚杆,所述籽晶杆的一端与所述籽晶托连接,另一端与所述第二驱动机构传动连接;所述坩埚托和所述籽晶托均用于向所述籽晶管内传递热量。实际生产制造时,所述坩埚托组件还包括坩埚托支座,所述坩埚托、所述坩埚托支座和所述坩埚杆依次连接。具体地,所述坩埚托和所述籽晶托均为保温砖。进一步地,还包括测温装置,所述测温装置包括测温器和显示面板,所述测温器与所述显示面板连接;所述籽晶杆为中空结构,所述测温器设置于所述籽晶杆内,用于检测所述籽晶托的温度,以将温度显示于所述显示面板上。其中,所述第一驱动机构包括第一电机、第一丝杠、第一滑块和第一固定架,所述第一滑块上开设有第一螺孔,所述第一丝杠穿设所述第一螺孔与所述第一滑块螺纹连接,所述第一固定架与所述第一滑块连接,所述第一电机的驱动轴与所述第一丝杠的一端连接,所述第一固定架与所述坩埚杆的外壁连接;所述第二驱动机构包括第二电机、第二丝杠、第二滑块和第二固定架,所述第二滑块上开设有第二螺孔,所述第二丝杠穿设所述第二螺孔与所述第二滑块螺纹连接,所述第二固定架与所述第二滑块连接,所述第二电机的驱动轴与所述第二丝杠的一端连接,所述第二固定架与所述籽晶杆的外壁连接。实际生产制造时,所述炉体与所述坩埚杆的配合面上设置有第一密封件,所述坩埚杆与所述籽晶杆的配合面上设置有第二密封件。具体地,所述第一密封件包括上接头、可伸缩套件和下接头,所述上接头、所述可伸缩套件和所述下接头依次套设于所述坩埚杆外,所述可伸缩套件的一端与所述上接头连接,另一端与所述下接头连接,所述上接头的顶部与所述炉体连接,且所述炉体、所述坩埚杆与所述上接头之间设置有上密封机构,所述下接头的底部与所述坩埚杆上的连接盘连接,且所述坩埚杆与所述下接头之间设置有下密封机构。进一步地,所述上密封机构和所述下密封机构均为油封。更进一步地,所述第二密封件为橡胶圈。相对于现有技术,本技术提供的生长炉具有以下优势:本技术提供的生长炉在培养晶体时,由于坩埚托组件和籽晶托组件均向籽晶管内传递热量,通过第一驱动机构驱动坩埚托组件移动,带动坩埚托组件和坩埚以一定的速度靠近或远离加热装置,从而使坩埚内的结晶区产生温度梯度,通过第二驱动机构驱动籽晶托组件移动,带动籽晶托组件以一定速度远离或靠近籽晶管,以进一步调节结晶区的温度梯度。因此,与现有技术相比,本技术提供的生长炉对结晶区温度梯度的调节更加精细,可以确保晶体生长的质量更好。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的生长炉的结构示意图;图2为本技术实施例提供的生长炉在籽晶托穿设于容置通道时的结构示意图;图3为本技术实施例提供的生长炉在籽晶托远离容置通道时的结构示意图;图4为本技术实施例提供的生长炉中炉体、第一密封机构和坩埚杆连接的结构示意图。附图标记:1-炉体;11-加热装置;2-坩埚;21-坩埚本体;22-籽晶管;3-坩埚托组件;31-坩埚托;32-坩埚托支座;33-坩埚杆;4-籽晶托组件;41-籽晶托;42-籽晶杆;5-第一驱动机构;51-第一电机;52-第一丝杠;53-第一滑块;54-第一固定架;6-第二驱动机构;61-第二电机;62-第二丝杠;63-第二滑块;64-第二固定架;71-测温器;8-第一密封件;81-上接头;82-可伸缩套件;83-下接头;84-上密封机构;85-下密封机构;86-连接盘;9-第二密封件。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中,需要说明的是,如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”、“前”、“后”等,其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。图1为本技术实施例提供的生长炉的结构示意图;图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生长炉,其特征在于,包括:炉体、坩埚、坩埚托组件、第一驱动机构、籽晶托组件和第二驱动机构,所述坩埚设置于所述炉体内,所述炉体内设有加热装置,所述坩埚包括坩埚本体和籽晶管,所述籽晶管设置于所述坩埚本体上远离所述加热装置的一端,所述籽晶管与所述坩埚本体连通;所述坩埚托组件设有用于容纳所述籽晶管的容置通道,所述坩埚托组件的一端设置于所述炉体内,且与所述坩埚本体连接,所述籽晶托组件的一端设置于所述炉体内,且可穿设于所述容置通道内,所述坩埚托组件和所述籽晶托组件均用于向所述籽晶管内传递热量;所述第一驱动机构与所述坩埚托组件的另一端传动连接,以带动所述坩埚托组件和所述坩埚靠近或远离所述加热装置,所述第二驱动机构与所述籽晶托组件的另一端传动连接,以带动所述籽晶托组件靠近或远离所述籽晶管。

【技术特征摘要】
1.一种生长炉,其特征在于,包括:炉体、坩埚、坩埚托组件、第一驱动机构、籽晶托组件和第二驱动机构,所述坩埚设置于所述炉体内,所述炉体内设有加热装置,所述坩埚包括坩埚本体和籽晶管,所述籽晶管设置于所述坩埚本体上远离所述加热装置的一端,所述籽晶管与所述坩埚本体连通;所述坩埚托组件设有用于容纳所述籽晶管的容置通道,所述坩埚托组件的一端设置于所述炉体内,且与所述坩埚本体连接,所述籽晶托组件的一端设置于所述炉体内,且可穿设于所述容置通道内,所述坩埚托组件和所述籽晶托组件均用于向所述籽晶管内传递热量;所述第一驱动机构与所述坩埚托组件的另一端传动连接,以带动所述坩埚托组件和所述坩埚靠近或远离所述加热装置,所述第二驱动机构与所述籽晶托组件的另一端传动连接,以带动所述籽晶托组件靠近或远离所述籽晶管。2.根据权利要求1所述的生长炉,其特征在于,所述坩埚托组件包括坩埚托和坩埚杆,所述坩埚托与所述坩埚杆连接,所述坩埚托与所述坩埚本体连接,所述第一驱动机构与所述坩埚杆传动连接,所述坩埚托设有所述容置通道,所述坩埚杆为中空结构;所述籽晶托组件包括籽晶托和籽晶杆,所述籽晶托可穿设于所述容置通道内,所述籽晶杆穿设所述坩埚杆,所述籽晶杆的一端与所述籽晶托连接,另一端与所述第二驱动机构传动连接;所述坩埚托和所述籽晶托均用于向所述籽晶管内传递热量。3.根据权利要求2所述的生长炉,其特征在于,所述坩埚托组件还包括坩埚托支座,所述坩埚托、所述坩埚托支座和所述坩埚杆依次连接。4.根据权利要求2所述的生长炉,其特征在于,所述坩埚托和所述籽晶托均为保温砖。5.根据权利要求2所述的生长炉,其特征在于,还包括测温装置,所述测温装置包括测...

【专利技术属性】
技术研发人员:付秀梅周世斌龚四均彭锐敏
申请(专利权)人:成都东骏激光股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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