一种并联微LED阵列制造技术

本实用新型专利技术实施例提出一种并联微LED阵列，涉及LED技术领域。该并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，基板、多个电极以及外延层逐层连接，多个电极包括多个P电极与多个N电极，外延层包括P型层与N型层，多个P电极共用P型层，多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。本实用新型专利技术实施例提供的并联微LED阵列具有阵列之间的连线简单、制作工艺更加简单且寄生电容更小优点。

A Parallel Micro-LED Array

The embodiment of the utility model provides a parallel micro-LED array, which relates to the technical field of LED. The parallel micro-LED array includes epitaxy layer, multiple electrodes and substrates. The substrates, multiple electrodes and epitaxy layer are connected layer by layer. The multiple electrodes include multiple P electrodes and multiple N electrodes. The epitaxy layer includes P-type layer and N-type layer, multiple P electrodes share P-type layer, and multiple N electrodes share N-type layer to form multiple parallel LED. The parallel micro-LED array provided by the embodiment of the utility model has the advantages of simple connection between arrays, simpler fabrication process and smaller parasitic capacitance.

【技术实现步骤摘要】
一种并联微LED阵列
本技术涉及LED
，具体而言，涉及一种并联微LED阵列。
技术介绍
目前，随着LED照明系统的普及，利用LED作为光源的可见光通信技术随着LED的发展而高速发展。然而制约可见光通信的瓶颈是LED有限的调制带宽。相比传统大尺寸LED芯片，以微LED作为光源，具有电容小，响应速度快等优点，能够大幅度提高可见光通信调制宽带。另外，微LED的光源尺寸小，能够多通道并行通讯，更有利于可见光通信系统的微型化、集成化和便携化。新型微LED器件在可见光通信系统中的应用有巨大的潜力，成为可见光通信研究的一个重要方面。影响LED调制带宽的主要因素有：驱动电流大小、发光波长、器件的RC时间常数以及载流子复合寿命。近年来对微LED技术提高可见光通信速率的研究主要关注驱动电流、发光波长、芯片尺寸等对调制带宽的影响，且这些只针对单个微LED而言。多颗微LED组成的阵列具有更高的发光效率，其驱动模式主要是主动寻址微LED阵列，另有少量报道的线性级联阵列，但不足之处是连线庞杂，制备工艺复杂，寄生电阻电容大。有鉴于此，如何改善上述问题，是本领域技术人员关注的重点。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种并联微LED阵列，以改善现有技术中多颗微LED组成的阵列连线庞杂，制备工艺复杂，寄生电阻电容大的问题。为了实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：本技术实施例提供了一种并联微LED阵列，所述并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，所述基板、所述多个电极以及所述外延层逐层连接，所述多个电极包括多个P电极与多个N电极，所述外延层包括P型层与N型层，所述多个P电极共用P型层，所述多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。进一步地，所述并联微LED阵列包括倒装式并联微LED阵列与垂直式并联微LED阵列。进一步地，所述垂直式并联微LED阵列的外延层还包括量子阱层，所述垂直式并联微LED阵列还包括钝化层，所述基板包括导电基板，所述基板、所述多个N电极、所述N型层、所述量子阱层、所述P型层、所述钝化层以及所述多个P电极逐层连接。进一步地，所述倒装式并联微LED阵列的外延层还包括量子阱层，所述倒装式并联微LED阵列还包括钝化层与粘接层，所述基板、所述粘接层、所述P电极、所述钝化层、所述P型层、所述量子阱层、所述N型层以及所述N电极逐层连接。进一步地，其特征在于，所述量子阱层的厚度包括100nm-300nm。进一步地，其特征在于，制作所述钝化层的材料包括SiNx、SiO2、SiON、HfO2、ZrO2、MoS2。进一步地，制作所述电极的材料包括Ni/Ag、Ni/Au、Ti、Al、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au、Pt/Au、Cr/Pt、Cr/Au。相对现有技术，本技术具有以下有益效果：本技术提供的了一种并联微LED阵列，该并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，基板、多个电极以及外延层逐层连接，多个电极包括多个P电极与多个N电极，外延层包括P型层与N型层，多个P电极共用P型层，多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。由于本技术提供的并联微LED阵列的多个P电极共用P型层，多个N电极共N型层，所以阵列之间的连线简单，并且无需制作多个LED，制作工艺更加简单，并且寄生电容更小。为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本技术的实施例提供的垂直式并联微LED阵列的俯视图。图2出了本技术的实施例提供的垂直式并联微LED阵列的剖视图。图3示出了本技术的实施例提供的倒装式并联微LED阵列的俯视图。图4出了本技术的实施例提供的倒装式并联微LED阵列的剖视图。图标：100-并联微LED阵列；110-P电极；120-钝化层；130-P型层；140-量子阱层；150-N型层；160-N电极；170-保护层；180-导电衬底；190-衬底面电极；200-粘接层。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。下面结合附图，对本技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。请参照图1，本技术实施例提供了一种并联微LED阵列100，该并联微LED阵列100包括外延层、多个电极以及基板，基板、多个电极以及外延层逐层连接，多个电极包括多个P电极110与多个N电极160，外延层包括P型层130与N型层150，多个P电极110共用P型层130，多个N电极160共N型层150，以形成多个并联的LED。由于本实施采用多个P电极110共用P型层130，多个N电极160共N型层150，所以本实施例提供的并联微LED阵列100无需单独生产多个LED，然后再进行阵列布线，因此本实施例提供的并联微LED阵列100具有的连线更加简单，制备工艺更加简单且机身电阻电容小的优点。其中，制作P型层130与N型层150的材料包括GaN、GaAs、InGaN、AlGaN，当然地，在其它的一些实施例中，也可使用其它材料，本实施例对此并不做任何限定。并且，需要说明的是，在本实施例中，并联微LED阵列100的微发光区域可以是N面出光也可以是P面出光。进一步地，并联微LED阵列100的出光可以是蓝光、紫外光、三基色光或全光谱光，波长覆盖范围200nm-780nm，其根据P型层130与N型层150的材料以及表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种并联微LED阵列，其特征在于，所述并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，所述基板、所述多个电极以及所述外延层逐层连接，所述多个电极包括多个P电极与多个N电极，所述外延层包括P型层与N型层，所述多个P电极共用P型层，所述多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。

【技术特征摘要】
1.一种并联微LED阵列，其特征在于，所述并联微LED阵列包括外延层、多个电极以及基板，所述基板、所述多个电极以及所述外延层逐层连接，所述多个电极包括多个P电极与多个N电极，所述外延层包括P型层与N型层，所述多个P电极共用P型层，所述多个N电极共N型层，以形成多个并联的LED。2.如权利要求1所述的并联微LED阵列，其特征在于，所述并联微LED阵列包括倒装式并联微LED阵列与垂直式并联微LED阵列。3.如权利要求2所述的并联微LED阵列，其特征在于，所述垂直式并联微LED阵列的外延层还包括量子阱层，所述垂直式并联微LED阵列还包括钝化层，所述基板包括导电基板，所述基板、所述多个N电极、所述N型层、所述量子阱层、所述P型层、所述钝化层以及所述多个P电极逐层连接。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王君君，陈志涛，王巧，刘宁炀，刘久澄，张康，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：广东,44