发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件，包括：导电衬底；第一电极层，布置在所述导电衬底上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、以及布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：金属电极层，布置在所述导电衬底上；透明电极层，布置在所述金属电极层上；以及多个接触部，从所述金属电极层延伸，所述接触部竖直穿过所述透明电极层并且接触所述发光结构，其中所述接触部彼此间隔开预定距离。

Light emitting device

The invention discloses a light-emitting device, which comprises a conductive substrate, a first electrode layer arranged on the conductive substrate, a light-emitting structure arranged on the first electrode layer, the light-emitting structure comprising a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a first semiconductor layer and a second semiconductor layer arranged on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. An active layer between them; and a second electrode layer electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the first electrode layer comprises a metal electrode layer arranged on the conductive substrate; a transparent electrode layer arranged on the metal electrode layer; and a plurality of contact parts extending from the metal electrode layer, the contact. The part vertically passes through the transparent electrode layer and contacts the luminescent structure. The contact parts are spaced at a predetermined distance from each other.

【技术实现步骤摘要】
发光器件相关申请的交叉引用本申请请求2013年1月30日提交于韩国知识产权局的申请号为10-2013-0010621的韩国专利申请的优先权和2013年6月3日提交于韩国知识产权局的申请号为10-2013-0063614的韩国专利申请的优先权，其内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种发光器件。
技术介绍
作为发光器件的代表性示例的发光二极管（LED）是使用化合物半导体的特性将电信号转换成红外光、可见光或光的器件。现在，LED应用于诸如家用电器、远程控制器、电子招牌、显示器、各种自动化电器等器件，并且其应用不断扩大。一般而言，微型LED被制造成表面安装器件以便直接安装到印刷电路板（PCB）。因此，用作显示器件的LED灯也被开发成表面安装器件。这样的表面安装器件可以取代传统的简单照明灯（luminaire），并且用作发光显示器、字符显示器、图像显示器等，呈现不同的颜色。随着LED应用范围的扩展，日常使用灯光和遇险信号灯光所需的亮度有增加。因此，提高LED的亮度很重要。另外，发光器件的电极应具有良好的附着性和电性能。此外，正在研究如何提高发光器件的亮度并降低工作电压。
技术实现思路
实施例提供了一种降低正向电压（VF）并且提高发光效率的发光器件。在一个实施例中，一种发光器件，包括：导电衬底；第一电极层，布置在所述导电衬底上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层以及布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：金属电极层，布置在所述导电衬底上；透明电极层，布置在所述金属电极层上；以及多个接触部，从所述金属电极层延伸，所述接触部竖直穿过所述透明电极层并且接触所述发光结构，其中所述接触部彼此间隔开预定距离。在所述发光结构接触接触部的部分中可以形成含有Be的扩散区。所述透明电极层的平面面积可以大于所述接触部的平面面积。所述金属电极层的材料可以与所述接触部的材料相同。所述发光结构还可以包括接触所述第一电极层的窗口层。所述接触部可以接触所述窗口层的下表面。通过使用Be和构成所述发光结构的材料的至少部分元素的混合物，可以在所述发光结构中形成所述扩散区。所述扩散区可以从发光结构突出。所述接触部可以包括AuBe、Ag或Ag合金。附图说明通过下面结合附图的详细说明，可以更清楚地理解实施例的细节，附图中：图1是示出根据实施例的发光器件的剖面图；图2是沿图1的A-A线截取的第一电极层的剖面俯视图；图3是示出根据另一实施例的发光器件的剖面图；图4是示出根据另一实施例的发光器件的剖面图；图5是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的立体图；图6是示出包括根据本实施例的发光器件的发光器件封装的剖面图；图7是示出包括根据实施例的发光器件的照明系统的分解立体图；图8是示出图7的照明系统的横截面C-C'的剖面图；图9是示出包括根据一个实施例的发光器件的液晶器件的分解立体图；以及图10是示出包括根据另一实施例的发光器件的液晶器件的分解立体图。具体实施方式现在详细参照实施例，附图示出其示例。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开充分而完整，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。本公开仅由权利要求的范围来限定。在某些实施例中，可以省略对本领域已知的器件结构或方法的详细描述，以避免阻碍本领域普通技术人员对本公开的理解。附图中尽量通篇使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”或“上面”的空间相对术语来描述附图中所示的一个元件和另一元件的关系。应理解的是，空间相对术语旨在涵盖器件的除附图中描述的方位之外的不同方位。例如，如果翻转一个附图，则描述为在另一元件的“下面”或“下方”的元件方位将为在另一元件的“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下方”可以涵盖上方和下方的方位。由于器件方位可以在另一方向上，所以可以根据器件的方位来解释空间相对术语。本公开中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不用于限制本公开。如在本公开和所附权利要求中所使用的，单数形式的“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外指明。还应理解的是，在本说明书中使用的术语“包括”和/或“包括着”表明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。除非另有定义，否则本文使用的所有术语（包括科技术语）具有与本领域普通技术人员所通常理解的相同的含义。还应理解的是，诸如在常用字典中定义的那些术语应解释成与其在现有技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的方式解释，除非本文另有定义。在附图中，为方便描述和清楚起见，会夸大、省略或示意性示出各层的厚度或者尺寸。而且，各构成元件的尺寸或面积并不完全反映其实际尺寸。用于描述根据实施例的发光器件的结构的角度或方向基于附图所示的角度或方向。在本说明书中除非没有用于描述发光器件的结构中的角位置关系的参照点的定义，可以参照相关附图。图1是示出根据实施例的发光器件的剖面图，而图2是沿图1的A-A线截取的第一电极层的剖面俯视图。参照图1，根据本实施例的发光器件100的包括：导电衬底110；布置在导电衬底110上的第一电极层120；布置在第一电极层120上方的发光结构140，包括第一半导体层141、第二半导体层145以及布置在第一半导体层141和第二半导体层145之间的有源层143；以及电连接到第二半导体层145的第二电极层150。导电衬底110支撑发光结构140，并且导电衬底110与第二电极层150一起向发光结构140供电。导电衬底110可以由高导热材料或导电材料形成，例如选自由以下构成的群组中的至少一个：金（Au）、镍（Ni）、钨（W）、钼（Mo）、铜（Cu）、铝（Al）、钽（Ta）、银（Ag）、铂（Pt）、铬（Cr）、Si、Ge、GaAs、ZnO、GaN、Ga2O3、SiC、SiGe和CuW，或者其两个或更多个的合金，或者其两个或更多个不同物质的堆叠。也就是说，导电衬底110可以实现为载体晶片。导电衬底110有利于从发光器件100发出的热量的传导，从而提高发光器件100的热稳定性。在本实施例中，导电衬底110具有导电性。然而，导电衬底也可以不具有导电性，但本公开不限于此。发光器件包括布置在导电衬底110上的第一电极层120，其用于供电。下文将给出第一电极层120的详细描述。发光结构140包括第一半导体层141、第二半导体层145和设置在第一半导体层141和第二半导体层145之间的有源层143。第二半导体层145可以为n型半导体层，并且该n型半导体层可以掺杂具有化学式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的半导体材料，例如选自由以下构成的群组中的至少一个：GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN，或者该n型半导体层可以掺杂n型掺杂剂，诸如Si、Ge、Sn、Se或Te。此外，第二半导体层145可以选自具有化学式(AlXGa1-X)0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：导电衬底；第一电极层，布置在所述导电衬底上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层以及布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：金属电极层，布置在所述导电衬底上；透明电极层，布置在所述金属电极层上；以及多个接触部，从所述金属电极层延伸，所述接触部竖直穿过所述透明电极层并且接触所述发光结构，其中所述接触部彼此间隔开预定距离，并且在所述发光结构的与接触部接触的部分中形成含有Be的扩散区，其中所述扩散区形成在第一半导体层的整个下表面中。

【技术特征摘要】
2013.01.30 KR 10-2013-0010621;2013.06.03 KR 10-2011.一种发光器件，包括：导电衬底；第一电极层，布置在所述导电衬底上；发光结构，布置在所述第一电极层上，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层以及布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层；以及第二电极层，电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一电极层包括：金属电极层，布置在所述导电衬底上；透明电极层，布置在所述金属电极层上；以及多个接触部，从所述金属电极层延伸，所述接触部竖直穿过所述透明电极层并且接触所述发光结构，其中所述接触部彼此间隔开预定距离，并且在所述发光结构的与接触部接触的部分中形成含有Be的扩散区，其中所述扩散区形成在第一半导体层的整个下表面中。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层包括In2O3、SnO2、ZnO、ITO、CTO、CuAlO2、CuGaO2和SrCu2O2至少之一。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层的平面面积大于所述接触部的平面面积。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述接触部的平面面积为相对于所述透明电极层的平面面积的10％至25％。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述金属电极层的材料与所述接触部的材料相同。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述接触部具有柱形或多棱形形状。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述接触部具有10μm至20μm的宽度。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中包括所述接触部的相邻接触部之间的距离为35μm至50μm。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中使用Be与构成所述发光结构的材料的至少部...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴范斗，金台镇，金珉奭，成永运，李尚俊，李泰庸，洪起勇，黄善教，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR