一种掩膜板及其制备方法以及蒸镀方法技术

本发明专利技术涉及OLED制备工艺技术领域，具体公开了一种掩膜板及其制备方法以及蒸镀方法，所述的掩膜板采用图案化后的光刻胶膜，而传统的掩膜板通常是采用殷瓦合金(INVAR，又称殷钢)材质，通过湿法刻蚀的方法制备而成，不但工艺复杂，而且工艺难度大，并且价格昂贵，本发明专利技术采用图案化后的光刻胶膜作为掩膜板，在保证蒸镀效果的同时，大大降低了制造成本，简化了制备工艺；所述的上述掩膜板的制备方法，首先形成光刻胶层，然后通过光刻工艺对形成的光刻胶层进行图案化，制备流程简单，缩短了制备时间，降低了掩膜板的制备成本。

Mask plate, preparation method and evaporation method thereof

The invention relates to the technical field of OLED preparation, in particular to a mask plate and its preparation method and evaporation plating method. The mask plate is made of patterned photoresist film, while the traditional mask plate is usually made of Invar alloy (INVAR, also known as Invar steel) by wet etching method. The process is complicated, the process is difficult, and the price is expensive. The photoresist film after patterning is used as the mask plate in the invention. While ensuring the evaporation effect, the manufacturing cost is greatly reduced and the preparation process is simplified. The preparation method of the mask plate is first to form a photoresist layer, and then through the photolithography process. The patterning of the formed photoresist layer can simplify the preparation process, shorten the preparation time and reduce the preparation cost of the mask plate.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板及其制备方法以及蒸镀方法
本专利技术涉及OLED制备工艺
，具体涉及一种掩膜板及其制备方法以及蒸镀方法。
技术介绍
有机电致发光装置(英文全称为OrganicLight-EmittingDisplay，简称为OLED)是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流照明技术和显示技术。当前高像素密度的OLED显示面板的生产需要采用厚度很薄、热膨胀系数小的精细金属掩膜板(FineMetalMask，FMM)来作为掩膜板(或称荫罩板)，用来蒸镀OLED显示面板像素单元内的有机发光体和载流子功能材料。在有机电致发光装置中，特别是显示装置中，掩膜板的精度决定了显示装置的分辨率，因此，现有工艺对掩膜板的制作精度要求很高。现有工艺中，常用掩膜板通常为殷瓦合金(INVAR，又称殷钢)材质，一般通过湿法刻蚀的方法来制备。首先在殷瓦合金表面涂覆感光膜，通过曝光的方式将掩膜板的精细图案转移在感光膜上，再通过显影和湿法刻蚀的方式最后制成精细金属掩膜板；不但工艺复杂，而且工艺难度大，十分昂贵。鉴于此，对于研发中的及量产实验验证的产品来说，采用精细金属掩膜板需要耗费大量的资源。因此，如何降低掩膜板的制造成本且保证蒸镀效果是本
急需解决的问题之一。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的是现有技术中，掩膜板的制造成本高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术提供一种掩膜板，包括图案化后的光刻胶膜。可选地，所述光刻胶膜厚度为0.12～0.25mm。可选地，所述光刻胶膜贴附在离型膜上，所述离型膜厚度为0.1～0.2mm。可选地，所述光刻胶膜包括基体材料和掺杂在所述基体材料中的光敏剂。可选地，所述基体材料为聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种；所述光敏剂为水杨脂酸苯脂和/或重氮萘醌磺酸酯。可选地，所述光敏剂占所述基体材料的质量比为0.1wt％～5wt％。本专利技术还提供一种上述掩膜板的制备方法，包括以下步骤：形成光刻胶层；通过光刻工艺对所述光刻胶层进行图案化。可选地，还包括将图案化后的所述光刻胶层进行离型膜封装的步骤。本专利技术还提供一种蒸镀方法，包括以下步骤：将上述掩膜板贴附于待蒸镀屏体上；蒸发蒸发源中的材料，在所述屏体上形成蒸镀层；对所述掩膜板进行紫外光照射、剥离。可选地，所述紫外光的亮度大于100mW/cm2，照射量大于300mJ/cm2。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：传统的掩膜板通常是采用殷瓦合金(INVAR，又称殷钢)材质，通过湿法刻蚀的方法制备而成。首先在殷瓦合金表面涂覆感光膜，通过曝光的方式将掩膜板的精细图案转移在感光膜上，再通过显影和湿法刻蚀的方式最后制成精细金属掩膜板。如此，不但工艺复杂，而且工艺难度大，并且价格昂贵。本专利技术采用图案化后的光刻胶膜作为掩膜板，在保证蒸镀效果的同时，大大降低了制造成本，简化了制备工艺。本专利技术实施例提供的上述掩膜板的制备方法，首先形成一层光刻胶层，然后通过光刻工艺对形成的光刻胶层进行图案化，便完成了掩膜板的制备，制备流程非常简单，大大缩短了制备时间，简化了工艺，降低了掩膜板的制备成本。本专利技术实施例提供的蒸镀方法，首先将上述掩膜板贴附于待蒸镀屏体，然后通过蒸发蒸发源中的材料，在屏体上形成蒸镀层，最后通过紫外光照射掩膜板，进行掩膜板的剥离。由于掩膜板为图案化后的光刻胶膜，因此，本专利技术提供的掩膜板能够与屏体之间形成良好的紧密的贴附，从而保证了掩膜效果和后续的蒸镀效果；当蒸镀完之后，通过紫外光的照射，剥离掉掩膜板的工艺比较成熟，如此，本专利技术提供的蒸镀方法，既简化了蒸镀工艺，又保证了蒸镀效果，利于广泛推广使用。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中图1为实施例1提供的掩膜板的结构示意图；图2为实施例8提供的蒸镀原理示意图。图中附图标记表示为：1-光刻胶膜；2-屏体；3-蒸发源；4-离型膜。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的实施方式作进一步地详细描述。本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本专利技术的构思充分传达给本领域技术人员，本专利技术将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。实施例1本专利技术实施例提供了一种掩膜板，如图1所示，包括图案化后的光刻胶膜1,光刻胶膜1贴附在离型膜4上。作为本专利技术的实施例，光刻胶膜1厚度为0.12～0.25mm；离型膜4厚度为0.1～0.2mm，离型膜4可以选用其他能够实现相同功能的材质。作为本专利技术的实施例，光刻胶膜1包括基体材料和掺杂在基体材料中的光敏剂。其中，基体材料选自聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种，但不限于上述材料，任何可实现相同功能的材质均属于本专利技术的保护范围；光敏剂选用水杨脂酸苯脂或重氮萘醌磺酸酯，但不限于上述材料，任何可实现相同功能的材质均属于本专利技术的保护范围。本专利技术实施例中，水杨脂酸苯脂以0.1wt％～5wt％掺杂比例掺杂入聚酰亚胺中。本专利技术实施例提供的掩膜板，采用图案化后的光刻胶膜1，而传统的掩膜板通常是采用殷瓦合金(INVAR，又称殷钢)材质，通过湿法刻蚀的方法制备而成，首先在殷瓦合金表面涂覆感光膜，通过曝光的方式将掩膜板的精细图案转移在感光膜上，再通过显影和湿法刻蚀的方式最后制成精细金属掩膜板，如此，不但工艺复杂，而且工艺难度大，并且价格昂贵，本专利技术采用图案化后的光刻胶膜1作为掩膜板，在保证蒸镀效果的同时，大大降低了制造成本，简化了制备工艺。本专利技术还提供一种上述掩膜板的制备方法，包括以下步骤：S11、形成光刻胶层。作为本专利技术的一个实施例，本实施例中，光刻胶层包括基体材料和掺杂在基体材料中的光敏剂；光刻胶层的制备工艺主要包括将光敏剂掺杂进基体材料中，然后进行搅拌、涂布、固化等步骤。S12、作为本专利技术的一个实施例，本实施例中，通过光刻工艺对光刻胶层进行图案化，形成光刻胶膜1。S13、对光刻胶膜1进行离型膜4封装的步骤，同现有离型膜封装工艺。本专利技术实施例提供的上述掩膜板的制备方法，首先形成一层光刻胶层，然后通过光刻工艺对形成的光刻胶层进行图案化，形成光刻胶膜1，便完成了掩膜板的制备，制备流程非常简单，大大缩短了制备时间，简化了工艺，降低了掩膜板的制备成本。实施例2本实施例提供了一种掩膜板，包括图案化后的光刻胶膜1。本实施例中，光刻胶膜1厚度为0.2mm；光刻胶膜1贴附在离型膜4上，离型膜4厚度为0.15mm，离型膜4选用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质。本实施例中，光刻胶膜1包括基体材料和掺杂在基体材料中的光敏剂。其中，基体材料选自聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种或多种，但不限于上述材料，任何可实现相同功能的材质均属于本专利技术的保护范围。光敏剂选用水杨脂酸苯脂和/或重氮萘醌磺酸酯，但不限于上述材料，任何可实现相同功能的材质均属于本专利技术的保护范围。本实施例中，光刻胶膜1由水杨脂酸苯脂以2.5wt％的掺杂比例掺杂入聚酰亚胺中制得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括图案化后的光刻胶膜(1)。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括图案化后的光刻胶膜(1)。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述光刻胶膜(1)厚度为0.12～0.25mm。3.根据权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述光刻胶膜(1)贴附在离型膜(4)上，所述离型膜(4)厚度为0.1～0.2mm。4.根据权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述光刻胶膜(1)包括基体材料和掺杂在所述基体材料中的光敏剂。5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述基体材料为聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种；所述光敏剂为水杨脂酸苯脂和/或重氮萘醌磺酸酯。6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张秀玉，党鹏乐，张小宝，高美玲，顾宇，朱晖，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32