一种湿法磷酸槽清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种湿法磷酸槽清洗装置，包括湿法磷酸槽、管路、清洗进液设备及清洗排液设备；通过清洗进液设备向管路中通入氟化氢清洗溶液，实现对湿法磷酸槽的槽体、管路及连接于管路上的过滤芯的清洗，不需要拆卸管路就可以达到清洗净化管路、磷酸槽的槽体及过滤芯的目的，提高了湿法磷酸槽的洁净度，同时，提高了后续制备的芯片成品率和可靠性。

A cleaning device for wet process phosphoric acid bath

The utility model provides a cleaning device for a wet-process phosphoric acid tank, which comprises a wet-process phosphoric acid tank, a pipeline, a cleaning inlet device and a cleaning and discharging device; through the cleaning inlet device, a hydrogen fluoride cleaning solution is introduced into the pipeline to realize the cleaning of the groove body, pipeline and the filter element connected to the pipeline without demolition. The unloading pipeline can clean the purifying pipeline, the tank body and the filter core of the phosphoric acid tank, improve the cleanliness of the wet-process phosphoric acid tank, at the same time, improve the chip yield and reliability of the subsequent preparation.

【技术实现步骤摘要】
一种湿法磷酸槽清洗装置
本技术属于半导体湿法刻蚀装置领域，特别是涉及一种湿法磷酸槽清洗装置。
技术介绍
在半导体制造工艺中，在半导体基板上层叠有作为刻蚀对象的氮化膜(如氮化硅Si3N4)和作为刻蚀阻止层的氧化膜(如二氧化硅SiO2)，湿法刻蚀装置选择性地对半导体基板上的氮化膜和氧化膜进行刻蚀。在半导体刻蚀工艺中，常常采用磷酸水溶液对氮化膜和氧化膜进行湿法刻蚀，在刻蚀工艺中如若刻蚀阻止层的氧化膜消失，将对器件制造产生影响。对于氮化膜的刻蚀常常采用热磷酸湿法刻蚀，热磷酸对Si3N4及SiO2具有良好的均匀性和较高的选择比。常用的热磷酸刻蚀液由85％浓磷酸和15％的去离子水混合而成，并保持在160℃下对Si3N4进行刻蚀。由以下反应方程式可知，随着反应的进行，SiO2的浓度越来越高，积聚到一定量之后便会形成颗粒，并且由于SiO2的增多，根据勒沙特列原理，生成物SiO2会抑制Si3N4的刻蚀，反应将无法继续进行，刻蚀速率将会严重下降；同时，如果持续进行热磷酸水溶液的处理，则热磷酸水溶液蒸发，SiO2浓度也会上升，形成颗粒。目前的做法是利用浓度计监测SiO2浓度，并进行部分排液和补充新液的动作，确保刻蚀率和选择比。在湿法磷酸槽装置内，由于SiO2浓度升高，SiO2的固态物质会析出，形成颗粒，并附着在湿法磷酸槽装置槽体上，难以清除；为确保刻蚀率和选择比，需对湿法磷酸槽装置进行排液，在排液过程中，管路中会残余SiO2，由于清洗管路结构比较复杂，因此，管路中的SiO2常常无法排除干净；湿法磷酸槽装置内，用于除去流经管路的磷酸水溶液中异物的过滤芯也会沉积SiO2的固态物质，造成过滤芯的过滤效果降低；长时间的运作，SiO2颗粒浓度不断增高，SiO2颗粒会附着在半导体器件上，影响产品的后续制程，造成芯片成品率的损失和可靠性的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种湿法磷酸槽清洗装置，用于解决现有技术中湿法磷酸槽装置内，由于SiO2浓度升高，形成颗粒，附着在湿法磷酸槽装置槽体，难以清除；管路结构比较复杂，管路中的SiO2常常无法排除干净；过滤芯因沉积SiO2的固态物质，造成过滤效果降低；SiO2颗粒浓度不断增高，附着在半导体器件上，影响产品的后续制程，造成芯片成品率的损失和可靠性的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种湿法磷酸槽清洗装置，包括：湿法磷酸槽、管路、清洗进液设备及清洗排液设备，其中：所述湿法磷酸槽包含槽体及连接于所述槽体的槽进口及槽出口；所述管路包含第一端及第二端，所述第一端连接于所述槽出口，所述第二端连接于所述槽进口，所述管路自所述第一端至所述第二端依次连接有泵、加热器及过滤芯；所述清洗进液设备包括第一单向阀，所述第一单向阀连接于所述管路，用以向所述管路提供清洗液；所述清洗排液设备包括第二单向阀，所述第二单向阀连接于所述管路，用以排出所述管路内的所述清洗液。优选地，所述清洗进液设备还包括贮存部、进液管及动力股入部；所述进液管连接所述贮存部及所述动力股入部，所述动力股入部通过所述进液管连接所述第一单向阀。优选地，所述动力股入部包括磁力泵。优选地，所述清洗排液设备还包括连接于所述第二单向阀的排液管。优选地，所述进液管或所述排液管包括聚四氟乙烯软管。优选地，所述清洗液包括氟化氢溶液。优选地，还包括回收部，所述回收部连接于所述清洗排液设备。优选地，所述回收部还连接于所述清洗进液设备。优选地，所述回收部连接有浓度检测部，用以检测所述回收部中的溶液浓度。优选地，所述第一单向阀及所述第二单向阀包括旋启式单向阀和升降式单向阀中的一种或组合。优选地，所述第一单向阀位于所述过滤芯与所述槽进口之间，所述第二单向阀位于所述泵与所述加热器之间。如上所述，本技术的湿法磷酸槽清洗装置，具有以下有益效果：采用氟化氢溶液作为清洗液，通过清洗进液设备及清洗排液设备，实现了不需要拆卸内部管路就可以达到清洗净化湿法磷酸槽的槽体、管路及过滤芯的目的，从而，提高了换液后湿法磷酸槽的洁净度，提高了后续制备的芯片成品率和可靠性。附图说明图1显示为本技术中的湿法磷酸槽清洗装置的结构示意图。元件标号说明100湿法磷酸槽101副槽200管路300泵400加热器500过滤芯600清洗进液设备601贮存部602进液管603动力股入部604第一单向阀700清洗排液设备701第二单向阀702排液管具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。如图1所示，显示为本技术中的湿法磷酸槽清洗装置的结构示意图。本技术提供一种湿法磷酸槽清洗装置，包括湿法磷酸槽100、管路200、清洗进液设备600及清洗排液设备700。具体的，所述湿法磷酸槽100用于储存磷酸水溶液，包含槽体、槽进口及槽出口(未图示)。所述槽进口用以向所述湿法磷酸槽100内通入溶液；所述槽出口用以将所述湿法磷酸槽100内的溶液导出。本实施例中，所述湿法磷酸槽100具有1个所述槽进口及1个所述槽出口。另一实施例中，所述槽进口可以为N个，其中N＞1，所述槽出口也可以为M个，其中M＞1，本领域技术人员可根据生产需要进行设置，此处不作限制。具体的，所述湿法磷酸槽100还包括浓度检测设备、温度检测设备以及副槽101。本实施例中，所述湿法磷酸槽100包含2个所述副槽101，分别用于装设磷酸溶液及水溶液，从而调控所述湿法磷酸槽100内部磷酸水溶液中的SiO2浓度，确保刻蚀率和选择比。另一实施例中，所述湿法磷酸槽100也可包含用于装设SiO2的副槽101，用于调节所述湿法磷酸槽100内部磷酸水溶液中的所述SiO2浓度，此处不作要求。所述浓度检测设备用于检测所述湿法磷酸槽100内部磷酸水溶液中的SiO2浓度；所述温度检测设备用于检测所述湿法磷酸槽100内部磷酸水溶液的温度。具体的，所述管路200包含第一端及第二端，所述第一端连接于所述槽出口，所述第二端连接于所述槽进口，自所述第一端至所述第二端依次连接有泵300、加热器400及过滤芯500。所述管路200包括聚四氟乙烯软管，所述聚四氟乙烯软管具有优良的化学稳定性，耐腐蚀、电绝缘性和抗老化能力，可用于输送高温下的强腐蚀介质。所述泵300构成磷酸水溶液循环驱动源，驱动磷酸水溶液在所述管路200中移动。所述加热器400对流经所述管路200内的磷酸水溶液进行加热。所述过滤芯500用于除去流经所述管路200的磷酸水溶液中的异物。具体的，所述清洗进液设备600包括进液管6本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法磷酸槽清洗装置，其特征在于，包括：湿法磷酸槽、管路、清洗进液设备及清洗排液设备，其中：所述湿法磷酸槽包含槽体及连接于所述槽体的槽进口及槽出口；所述管路包含第一端及第二端，所述第一端连接于所述槽出口，所述第二端连接于所述槽进口，所述管路自所述第一端至所述第二端依次连接有泵、加热器及过滤芯；所述清洗进液设备包括第一单向阀，所述第一单向阀连接于所述管路，用以向所述管路提供清洗液；所述清洗排液设备包括第二单向阀，所述第二单向阀连接于所述管路，用以排出所述管路内的所述清洗液。

【技术特征摘要】
1.一种湿法磷酸槽清洗装置，其特征在于，包括：湿法磷酸槽、管路、清洗进液设备及清洗排液设备，其中：所述湿法磷酸槽包含槽体及连接于所述槽体的槽进口及槽出口；所述管路包含第一端及第二端，所述第一端连接于所述槽出口，所述第二端连接于所述槽进口，所述管路自所述第一端至所述第二端依次连接有泵、加热器及过滤芯；所述清洗进液设备包括第一单向阀，所述第一单向阀连接于所述管路，用以向所述管路提供清洗液；所述清洗排液设备包括第二单向阀，所述第二单向阀连接于所述管路，用以排出所述管路内的所述清洗液。2.根据权利要求1所述的湿法磷酸槽清洗装置，其特征在于：所述清洗进液设备还包括贮存部、进液管及动力股入部；所述进液管连接所述贮存部及所述动力股入部，所述动力股入部通过所述进液管连接所述第一单向阀，所述进液管包括聚四氟乙烯软管。3.根据权利要求2所述的湿法磷酸槽清洗装置，其特征在于：所述动力股入部包括磁力泵。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔亚东，张文福，高英哲，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32