一种基于BGA的电子器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种基于BGA的电子器件及其制作方法，涉及电子技术领域。本发明专利技术提供的电子器件包括的绝缘基板上设置有多个通孔，通孔内填充有导电结构，导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成，电子元件与导电结构的一端电连接，绝缘基板的一面上设置有多个导电球，导电球由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成，导电球与导电结构的另一端电连接，印刷电路板与导电球电连接；按重量百分比计，室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成。本发明专利技术的技术方案能够使基于BGA的电子器件的制作方法简单，且成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种基于BGA的电子器件及其制作方法
本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种基于BGA的电子器件及其制作方法。
技术介绍
为了使电子器件的集成度更高，目前存在一种BGA(BallGridArray，球栅阵列)封装技术，在基于BGA的电子器件中均采用了“多孔基板-焊锡球”这一结构。这一结构中，基板为绝缘材料，在基板上钻通孔并使用电镀法使通孔金属化满足导电需要，再将焊锡球熔焊在焊盘上形成触点。专利技术人发现，在电镀过程中，首先在通孔的内壁上进行种子层的附着，然后再在种子层上电镀铜，以使通孔导电，工艺较复杂，且成本高。
技术实现思路
本专利技术提供一种基于BGA的电子器件及其制作方法，可以使基于BGA的电子器件的制作方法简单，且成本较低。第一方面，本专利技术提供一种基于BGA的电子器件，采用如下技术方案：一种基于BGA的电子器件包括：绝缘基板，所述绝缘基板上设置有多个通孔，所述通孔内填充有导电结构，所述导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；至少一个电子元件，所述电子元件与所述导电结构的一端电连接；多个导电球，所述导电球位于所述绝缘基板的一面上，且与所述导电结构的另一端电连接，所述导电球由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；印刷电路板，所述印刷电路板与所述导电球电连接；其中，按重量百分比计，所述室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成；所述低熔点金属的熔点在30摄氏度以下，所述高熔点粉末的熔点在500摄氏度以上。可选地，所述低熔点金属为镓单质或者镓铟合金。可选地，所述低熔点金属为镓铟合金，按重量百分比计，所述镓铟合金由75％～85％镓和15％～25％铟组成。可选地，所述高熔点粉末为高熔点金属粉末，所述高熔点金属粉末包括镍粉、铁粉中的一种或两种。可选地，所述高熔点金属粉末为镍粉，按重量百分比计，所述室温自固化导电复合材料由75％～83％的低熔点金属，以及17％～25％的镍粉部分合金化形成。可选地，所述高熔点金属粉末的粒径为10nm～1μm。第二方面，本专利技术实施例提供一种基于BGA的电子器件的制作方法，采用如下技术方案：所述制作方法包括：步骤S1、按重量百分比计，称取70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末，并使二者进行部分合金化形成室温自固化导电复合材料，其中，所述低熔点金属的熔点在30摄氏度以下，所述高熔点粉末的熔点在500摄氏度以上；步骤S2、提供一绝缘基板，在所述绝缘基板上形成多个通孔；步骤S3、在所述通孔内填充室温自固化导电复合材料，且在所述通孔一端使室温自固化导电复合材料堆积成球形；步骤S4、使所述通孔内填充的室温自固化导电复合材料在室温下自固化，形成导电结构，且使堆积成球形的室温自固化导电复合材料在室温下自固化，形成导电球；步骤S5、提供至少一个电子元件；步骤S6、使所述电子元件与所述导电结构的一端电连接；步骤S7、提供印刷电路板，使所述印刷电路板通过所述导电球与所述导电结构的另一端电连接。可选地，在步骤S4中，通过超声、加热或通直流电流的方式，加速自固化。可选地，步骤S3中，通过微针头挤压的方式在所述通孔内填充室温自固化导电复合材料。可选地，步骤S1中，通过将所述低熔点金属和所述高熔点粉末混合后进行球磨或者立式捏合的方式，使二者进行部分合金化形成室温自固化导电复合材料。本专利技术提供了一种基于BGA的电子器件及其制作方法，该基于BGA的电子器件中，绝缘基板上设置有多个通孔，通孔内填充有导电结构，导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成，按重量百分比计，室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成，低熔点金属的熔点在30摄氏度以下，高熔点粉末的熔点在500摄氏度以上，从而使得在基于BGA的电子器件的制作过程中，在通孔内填充室温自固化导电复合材料，使通孔内填充的室温自固化导电复合材料在室温下自固化，即可形成导电结构，相比于现有技术中的电镀工艺，本专利技术的技术方案能够使基于BGA的电子器件的制作方法简单，且成本较低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的基于BGA的电子器件的截面示意图；图2为本专利技术实施例提供的基于BGA的电子器件的制作方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下本专利技术实施例中的各技术特征均可以相互结合。本专利技术实施例提供一种基于BGA的电子器件，如图1所示，图1为本专利技术实施例提供的基于BGA的电子器件的截面示意图，该基于BGA的电子器件包括：绝缘基板1，绝缘基板1上设置有多个通孔2，通孔2内填充有导电结构3，导电结构3由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；至少一个电子元件4，电子元件4与导电结构3的一端电连接；多个导电球5，导电球5位于绝缘基板1的一面上，且与导电结构3的另一端电连接；印刷电路板6，印刷电路板6与导电球5电连接；其中，按重量百分比计，室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成；其中，低熔点金属的熔点在30℃以下，高熔点粉末的熔点在500℃以上。上述导电球5可以与导电结构3的材质相同，即导电球5也由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成，如此设置可以使得导电球5和导电结构3可以在一次工艺中形成，简化电子器件的制作工艺，且导电球5和导电结构3之间无界面，电子传输性能较好。室温自固化导电复合材料中含有三种成分，即低熔点金属、高熔点粉末以及两者的合金反应物。上述室温自固化导电复合材料实现室温自固化的原理如下：上述三种成分中，合金成分可诱发剩余的低熔点金属与剩余的高熔点粉末在室温下逐步发生合金反应，使得合金反应物在室温自固化导电复合材料中占比逐渐增大，进而使得室温自固化导电复合材料由粘稠状变化为固体。示例性地，低熔点金属的重量百分比可以为：72％、74％、76％、78％、80％、82％、84％或者86％；高熔点粉末的重量百分比可以为：14％、16％、18％、20％、22％、24％、26％或者28％。电子元件4与导电结构3的一端电连接的方式可以有多种，例如二者直接电连接，或者，二者通过在绝缘基板1上的走线(例如铜箔)电连接。基于BGA的电子器件具有如上所述的结构时，在基于BGA的电子器件的制作过程中，在通孔2内填充室温自固化导电复合材料，使通孔2内填充的室温自固化导电复合材料在室温下自固化，即可形成导电结构3，相比于现有技术中的电镀工艺，本专利技术的技术方案能够使基于BGA的电子器件的制作方法简单，且成本较低。本专利技术实施例中的绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于BGA的电子器件，其特征在于，包括：绝缘基板，所述绝缘基板上设置有多个通孔，所述通孔内填充有导电结构，所述导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；至少一个电子元件，所述电子元件与所述导电结构的一端电连接；多个导电球，所述导电球位于所述绝缘基板的一面上，且与所述导电结构的另一端电连接，所述导电球由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；印刷电路板，所述印刷电路板与所述导电球电连接；其中，按重量百分比计，所述室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成；所述低熔点金属的熔点在30摄氏度以下，所述高熔点粉末的熔点在500摄氏度以上。

【技术特征摘要】
1.一种基于BGA的电子器件，其特征在于，包括：绝缘基板，所述绝缘基板上设置有多个通孔，所述通孔内填充有导电结构，所述导电结构由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；至少一个电子元件，所述电子元件与所述导电结构的一端电连接；多个导电球，所述导电球位于所述绝缘基板的一面上，且与所述导电结构的另一端电连接，所述导电球由室温自固化导电复合材料在室温下自固化形成；印刷电路板，所述印刷电路板与所述导电球电连接；其中，按重量百分比计，所述室温自固化导电复合材料由70％～88％的低熔点金属，以及12％～30％的高熔点粉末部分合金化形成；所述低熔点金属的熔点在30摄氏度以下，所述高熔点粉末的熔点在500摄氏度以上。2.根据权利要求1所述的基于BGA的电子器件，其特征在于，所述低熔点金属为镓单质或者镓铟合金。3.根据权利要求2所述的基于BGA的电子器件，其特征在于，所述低熔点金属为镓铟合金，按重量百分比计，所述镓铟合金由75％～85％镓和15％～25％铟组成。4.根据权利要求1所述的基于BGA的电子器件，其特征在于，所述高熔点粉末为高熔点金属粉末，所述高熔点金属粉末包括镍粉、铁粉中的一种或两种。5.根据权利要求4所述的基于BGA的电子器件，其特征在于，所述高熔点金属粉末为镍粉，按重量百分比计，所述室温自固化导电复合材料由75％～83％的低熔点金属，以及17％～25％的镍粉部分合金化形成。6.根据权利要求4所述的基于BGA的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宇，郑翰，白安洋，于洋，
申请(专利权)人：北京梦之墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11