改良型太阳能电池片扩散炉制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池扩散技术领域，尤其涉及一种改良型太阳能电池片扩散炉，将硅片槽倾斜设置后，硅片能够倾斜设置在炉管内，炉尾端的进气口放在炉尾端的上部，抽气口仍然放在炉的下部，硅片沿气流方向倾斜，优化扩散炉管内气场氛围，提高了携源氮气与硅片中间区域的接触，减小硅片中间方阻和边缘方阻的差值，改善扩散方阻的片内均匀性。

Improved solar cell diffuser

The invention relates to the technical field of solar cell diffusion, in particular to an improved solar cell diffusion furnace. After the silicon wafer groove is inclined, the silicon wafer can be inclined in the furnace tube, the air inlet at the tail end of the furnace is placed at the upper part of the tail end of the furnace, the air outlet is still placed at the lower part of the furnace, and the silicon wafer is inclined along the direction of air flow. The atmosphere in the diffuser tube improves the contact between the carrier nitrogen and the middle area of the silicon wafer, reduces the difference between the middle and the edge resistance of the silicon wafer, and improves the uniformity of the diffuser resistance in the silicon wafer.

【技术实现步骤摘要】
改良型太阳能电池片扩散炉
本专利技术涉及太阳能电池扩散
，尤其涉及一种改良型太阳能电池片扩散炉。
技术介绍
扩散制作P-N结是晶硅太阳能电池的核心，是电池质量好坏的关键之一。对于扩散工序而言，确保高效电池的高产能面临的最大问题在于如何保障扩散的均匀性。扩散较均匀性好的电池，其后续工艺参数的可控性高，可以较好地保证电池性能和参数的稳定性。目前扩散炉管内的气场主要是片子表面垂直与气体流动方向(如图1所示)，携源氮气与硅片边缘的接触远远大于硅片中间，这使得片子中间方阻高于边缘方阻，这使得片子方阻的均匀性变差。当中间方阻过高时，会导致后续烧结工序烧不透，造成EL黑斑异常。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：为了解决现有技术中携源氮气与硅片表面接触时，携源氮气与硅片边缘的接触远远大于硅片中间的技术问题，本专利技术提供一种改良型太阳能电池片扩散炉。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改良型太阳能电池片扩散炉，包括炉管、石英舟、源瓶、源瓶进气管和源瓶出气管，石英舟设置在炉管内，炉管的炉口处设置有炉盖，源瓶出气管的一端和源瓶内部相连通，源瓶出气管的另一端从炉管尾端的上部通入炉管内部，源瓶进气管的一端和源瓶内部相连通，源瓶进气管的另一端通入氮气，炉管内的底部设置有水平的出气管，出气管从炉管尾端的下部穿出，所述石英舟上开设有多个均匀的硅片槽，所述硅片槽倾斜设置，硅片槽的槽口相对于硅片槽的底部更靠近炉管尾端。进一步的，所述硅片槽的槽壁和石英舟底面的夹角为α，α范围为85°＜α＜90°。倾角太大容易使得错过硅片顶部的气体较多，影响扩散效果，而且占用炉管体积较大，倾角太小不利于气体向硅片中心运动。作为优选，所述硅片槽的槽壁和石英舟底面的夹角α为87°。本专利技术的有益效果是，本专利技术的改良型太阳能电池片扩散炉，将硅片槽倾斜设置后，硅片能够倾斜设置在炉管内，炉尾端的进气口放在炉尾端的上部，抽气口仍然放在炉的下部，硅片沿气流方向倾斜，优化扩散炉管内气场氛围，提高了携源氮气与硅片中间区域的接触，减小硅片中间方阻和边缘方阻的差值，改善扩散方阻的片内均匀性。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是现有技术中扩散通源装置的结构示意图。图2是本专利技术最优实施例的结构示意图。。图中：1、炉管，11、炉盖，12、出气管，2、石英舟，21、硅片槽，3、源瓶，31、源瓶进气管，311、源瓶进气阀，32、源瓶出气管，321、源瓶出气阀，4、硅片。具体实施方式现在结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。如图2所示，是本专利技术最优实施例，一种改良型太阳能电池片扩散炉，包括炉管1、石英舟2、源瓶3、源瓶进气管31和源瓶出气管32，石英舟2设置在炉管1内，炉管1的炉口处设置有炉盖11，源瓶出气管32的一端和源瓶3内部相连通，源瓶出气管32的另一端从炉管1尾端的上部通入炉管1内部，源瓶进气管31的一端和源瓶3内部相连通，源瓶进气管31的另一端通入氮气，炉管1内的底部设置有水平的出气管12，出气管12的出口从炉管1尾端的下部穿出，出气管12的进口，靠近炉管1的炉口，石英舟2上开设有多个均匀的硅片槽21，硅片槽21倾斜设置，硅片槽21的槽口相对于硅片槽21的底部更靠近炉管1尾端，即硅片槽21的槽口向氮气进气口倾斜。硅片槽21的槽壁和石英舟2底面的夹角为α，α范围为85°＜α＜90°。硅片槽21的槽壁和石英舟2底面的夹角α为87°。工作模式为：工艺进行到扩散步时，PLC控制外部高纯氮气由源瓶进气管31通过源瓶进气阀311进入三氯氧磷源瓶3，并携带出三氯氧磷，经过源瓶出气阀321和炉管1尾部上方的源瓶进气管31进入炉管1内，在气压作用下，携源氮气进一步向炉盖11处的出气管12的进口运动，出气管12的出口连接有抽气装置。在此过程中携源氮气将穿过石英舟2上倾斜放置的硅片4。硅片4的上端向源瓶进气管31倾斜，有助于气体向硅片4中间运动，气场氛围的优化能提高携源氮气与硅片4中间区域的接触，减小硅片4中间方阻和边缘方阻的差值，改善扩散方阻的片内均匀性。现有的扩散炉和改良型太阳能电池片扩散炉试验测试结果如下：测试条件用切片同一批硅片，取2000片硅片分成两组。在同一台清洗机台做清洗。之后一组在现有的扩散炉做扩散；一组在改良型太阳能电池片扩散炉做扩散。每根管个取5个温区测试方阻。方阻测试仪为德仪测试仪，每片硅片测试九点的方阻值。实验结果:由下表可见，本专利技术改良型太阳能电池片扩散炉的片内极差值减小了16％-31％；片内均匀性也相应得到改善。以上述依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项专利技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改良型太阳能电池片扩散炉，其特征在于：包括炉管(1)、石英舟(2)、源瓶(3)、源瓶进气管(31)和源瓶出气管(32)，石英舟(2)设置在炉管(1)内，炉管(1)的炉口处设置有炉盖(11)，源瓶出气管(32)的一端和源瓶(3)内部相连通，源瓶出气管(32)的另一端从炉管(1)尾端的上部通入炉管(1)内部，源瓶进气管(31)的一端和源瓶(3)内部相连通，源瓶进气管(31)的另一端通入氮气，炉管(1)内的底部设置有水平的出气管(12)，出气管(12)从炉管(1)尾端的下部穿出，所述石英舟(2)上开设有多个均匀的硅片槽(21)，所述硅片槽(21)倾斜设置，硅片槽(21)的槽口相对于硅片槽(21)的底部更靠近炉管(1)尾端。

【技术特征摘要】
1.一种改良型太阳能电池片扩散炉，其特征在于：包括炉管(1)、石英舟(2)、源瓶(3)、源瓶进气管(31)和源瓶出气管(32)，石英舟(2)设置在炉管(1)内，炉管(1)的炉口处设置有炉盖(11)，源瓶出气管(32)的一端和源瓶(3)内部相连通，源瓶出气管(32)的另一端从炉管(1)尾端的上部通入炉管(1)内部，源瓶进气管(31)的一端和源瓶(3)内部相连通，源瓶进气管(31)的另一端通入氮气，炉管(1)内的底部设置有水平的出气管(12)，出...

【专利技术属性】
技术研发人员：贡江涛，符亮，张凯胜，姚伟忠，孙铁囤，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32