声波谐振器及制造声波谐振器的方法技术

本发明专利技术提供一种声波谐振器及制造声波谐振器的方法，所述声波谐振器包括：中央部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上；延伸部，从所述中央部向外延伸；及插入层，在所述延伸部中设置在所述压电层下方，其中，所述压电层包括压电部和弯曲部，所述压电部设置在所述中央部中，所述弯曲部设置在所述延伸部中并且根据所述插入层的形状从所述压电部倾斜地延伸。

Acoustic resonator and method for manufacturing acoustic resonator

The invention provides an acoustic resonator and a method for manufacturing the acoustic resonator, which comprises a central part in which the first electrode, the piezoelectric layer and the second electrode are sequentially stacked on the substrate; an extension part extending outward from the central part; and an insertion layer arranged in the extension part. Under the piezoelectric layer, the piezoelectric layer comprises a piezoelectric part and a bending part arranged in the central part, the bending part arranged in the extension part and inclined from the piezoelectric part according to the shape of the insertion layer.

【技术实现步骤摘要】
声波谐振器及制造声波谐振器的方法本申请要求分别于2017年3月2日和2017年6月1日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0027271号和第10-2017-0068648号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
下面的描述涉及一种声波谐振器及制造声波谐振器的方法。
技术介绍
根据无线通信装置的小型化趋势，已经积极地需要高频组件的小型化技术。例如，使用半导体薄膜制造技术的体声波(BAW)谐振器式滤波器可设置在无线通信装置中。体声波(BAW)谐振器是一种利用沉积在硅晶圆(被构造为半导体基板)上的压电介电材料的压电特性产生谐振的薄膜式元件。BAW谐振器实现为滤波器。BAW谐振器可用在诸如移动通信装置或化学和生物装置的小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件或声学谐振质量传感器的装置中。已经进行了用于改善BAW谐振器的特性和性能的几种结构形状和功能的研究。此外，对制造体声波谐振器的方法的研究也在不断地进行。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对选择的构思进行介绍，下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面，一种声波谐振器包括：中央部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上；延伸部，从所述中央部向外延伸；及插入层，在所述延伸部中设置在所述压电层下方，其中，所述压电层包括：压电部，设置在所述中央部中；及弯曲部，设置在所述延伸部中，并且根据所述插入层的形状从所述压电部倾斜地延伸。所述插入层可包括倾斜表面，使得所述插入层具有随着距所述中央部的距离增大而增大的厚度。所述弯曲部可包括倾斜部，所述倾斜部设置在所述插入层的所述倾斜表面上。所述插入层的部分可设置在所述第一电极下方或者设置在所述第一电极与所述压电层之间。所述第二电极的部分可设置在所述延伸部中。所述第二电极的设置在所述延伸部中的所述部分可形成在所述倾斜部的倾斜表面上，并且可具有比所述倾斜部的所述倾斜表面的面积小的面积。所述第二电极的设置在所述延伸部中的所述部分可形成在所述倾斜部的整个倾斜表面之上。所述压电层的所述弯曲部可包括从所述倾斜部向外延伸的延伸部。所述第二电极可设置在所述倾斜部和所述延伸部上。所述声波谐振器还可包括设置在所述基板与所述中央部之间的腔。所述声波谐振器还可包括蚀刻防止部，所述蚀刻防止部沿着所述腔的边界设置且限定所述腔的水平面积。所述第二电极可包括沿着所述中央部的边界形成的沟槽。所述声波谐振器还可包括：保护层，设置在所述第二电极上，其中，所述保护层包括沿着所述中央部的边界形成的沟槽。所述插入层可利用与压电层的材料不同的材料形成。所述插入层可利用介电材料形成。在另一总体方面，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板上形成第一电极；形成压电层，所述压电层包括堆叠在所述第一电极上的压电部以及从所述压电部的边界倾斜地延伸的弯曲部；及在所述压电层上形成第二电极。所述方法还可包括：在形成所述压电层之前，在所述弯曲部下方形成插入层，其中，所述弯曲部包括倾斜表面，所述倾斜表面具有根据所述插入层的形状的构造。在所述压电层上形成所述第二电极的步骤可包括在所述压电部的整个上表面上以及所述弯曲部的所述倾斜表面的部分上形成所述第二电极。在另一总体方面，一种声波谐振器包括：中央部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上；延伸部，从所述中央部向外延伸；及插入层，在所述延伸部中设置在所述压电层下方，其中，所述压电层的设置在所述延伸部中的部分包括由所述插入层产生的倾斜部。所述倾斜部可设置在所述插入层的倾斜表面上。所述倾斜部和所述倾斜表面可倾斜相同的角度。所述倾斜表面可倾斜5°至70°的角度。所述中央部和所述延伸部可设置在所述声波谐振器的谐振部中。在另一总体方面，一种制造声波谐振器的方法包括：在基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成插入层；在所述第一电极和所述插入层上形成压电层，使得所述压电层的位于所述声波谐振器的谐振部中的外周部分相对于所述压电层的位于所述谐振部中的中央部倾斜；及在所述压电层上形成第二电极。所述压电层的所述外周部分可设置在所述插入层的倾斜表面上。所述倾斜表面可倾斜5°至70°的角度。所述外周部分可倾斜5°至70°的角度。通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。附图说明图1是根据实施例的声波谐振器的平面图。图2是沿着图1的I-I′线截取的截面图。图3是沿着图1的II-II′线截取的截面图。图4是沿着图1的III-III′线截取的截面图。图5至图8是示出根据实施例的制造声波谐振器的方法的示图。图9和图10是示出根据另一实施例的声波谐振器的示意性截面图。图11至图13是示出根据其他实施例的声波谐振器的示意性截面图。图14是示出根据另一实施例的声波谐振器的示意性截面图。图15是示出根据另一实施例的声波谐振器的示意性截面图。图16是示出根据另一实施例的声波谐振器的示意性截面图。图17是示出根据另一实施例的声波谐振器的示意性截面图。图18是示出根据实施例的声波谐振器的根据声波谐振器的第二电极结构的衰减的曲线图。在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，这里所描述的操作的顺序仅仅是示例，其并不限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。这里所描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于这里所描述的示例。更确切地说，已经提供了这里所描述的示例仅用于示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现这里描述的方法、设备和/或系统的诸多可行方式中的一些方式。在整个说明书中，当元件(诸如，层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件、“结合到”另一元件、“在”另一元件“之上”或“覆盖”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件、“结合到”另一元件、“在”另一元件“之上”或“覆盖”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件、“直接结合到”另一元件、“直接在”另一元件“之上”或“直接覆盖”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括所列出的相关项中的任何一项和任何两项或更多项的任何组合。尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各个构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分相区分。因此，在不脱离示例的教导的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声波谐振器，包括：中央部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上；延伸部，从所述中央部向外延伸；及插入层，在所述延伸部中设置在所述压电层下方，其中，所述压电层包括：压电部，设置在所述中央部中；及弯曲部，设置在所述延伸部中，并且根据所述插入层的形状从所述压电部倾斜地延伸。

【技术特征摘要】
2017.03.02 KR 10-2017-0027271;2017.06.01 KR 10-2011.一种声波谐振器，包括：中央部，在所述中央部中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠在基板上；延伸部，从所述中央部向外延伸；及插入层，在所述延伸部中设置在所述压电层下方，其中，所述压电层包括：压电部，设置在所述中央部中；及弯曲部，设置在所述延伸部中，并且根据所述插入层的形状从所述压电部倾斜地延伸。2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述插入层包括倾斜表面，使得所述插入层具有随着距所述中央部的距离增大而增大的厚度，并且所述弯曲部包括倾斜部，所述倾斜部设置在所述插入层的所述倾斜表面上。3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述插入层的部分设置在所述第一电极下方或者设置在所述第一电极与所述压电层之间。4.根据权利要求2所述的声波谐振器，其中，所述第二电极的部分设置在所述延伸部中。5.根据权利要求4所述的声波谐振器，其中，所述第二电极的设置在所述延伸部中的所述部分形成在所述倾斜部的倾斜表面上，并且具有比所述倾斜部的所述倾斜表面的面积小的面积。6.根据权利要求4所述的声波谐振器，其中，所述第二电极的设置在所述延伸部中的所述部分形成在所述倾斜部的整个倾斜表面之上。7.根据权利要求4所述的声波谐振器，其中，所述压电层的所述弯曲部包括从所述倾斜部向外延伸的延伸部，并且所述第二电极设置在所述倾斜部和所述延伸部上。8.根据权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括设置在所述基板与所述中央部之间的腔。9.根据权利要求8所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括蚀刻防止部，所述蚀刻防止部沿着所述腔的边界设置且限定所述腔的水平面积。10.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第二电极包括沿着所述中央部的边界形成的沟槽。11.根据权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括：保护层，设置在所述第二电极上，其中，所述保护层包括沿着所述中央部的边界形成的沟槽。12....

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，韩源，金泰润，金锺云，李文喆，林昶贤，尹湘基，李华善，丁大勋，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR