薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于薄膜晶体管技术领域，其可至少部分解决现有的薄膜晶体管的开态电流小，且会导致显示装置亮度低、功耗高的问题。本发明专利技术的薄膜晶体管包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的栅极、栅绝缘层、有源区、刻蚀阻挡层、源极和漏极；在刻蚀阻挡层中设有第一过孔和第二过孔，其中，第一过孔连通至有源区的顶面和第一侧面，第二过孔连通至有源区的顶面和第二侧面；源极通过第一过孔与有源区的顶面和第一侧面接触，漏极通过第二过孔与有源区的顶面和第二侧面接触。

Thin film transistor and its preparation method, array substrate and display device

The invention provides a thin film transistor and its preparation method, an array substrate and a display device, belonging to the technical field of thin film transistors, which can at least partially solve the problems of low on-state current of the existing thin film transistors, low brightness and high power consumption of the display device. The thin film transistor of the invention comprises a substrate and a gate, a gate insulating layer, an active region, an etching barrier layer, a source and a drain arranged sequentially in a direction away from the substrate; and a first through hole and a second through hole are arranged in the etching barrier layer, wherein the first through hole is connected to the top and the first side of the active region and the second through hole is connected to the second through hole. The source contacts the top and the first side of the active region through the first hole, and the drain contacts the top and the second side of the active region through the second hole.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
本专利技术属于薄膜晶体管
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)是显示装置的阵列基板中常用的电子元件，其分为共面型，背沟道刻蚀型、刻蚀阻挡型等形式。如图1所示，在刻蚀阻挡型的薄膜晶体管中，栅极1位于有源区3下方，并通过栅绝缘层2与有源区3隔开，有源区3被刻蚀阻挡层4(ESL,EtchStopLayer)覆盖，源极51和漏极52均分别通过刻蚀阻挡层4中的过孔与有源区3的顶面连接。由于刻蚀阻挡层4可保护有源区3不受源漏极刻蚀液的影响，且能起到阻隔水氧的作用，故刻蚀阻挡型的薄膜晶体管得到了广泛应用。如图1所示，现有刻蚀阻挡型的薄膜晶体管中，栅极1是位于有源区3下方的，故其形成的电场主要影响有源区3下部，进而载流子主要也在有源区3下部产生，即具有较强导电能力的导电沟道(图1中麻点区域)也是位于有源区3下部的；相对的，源极51、漏极52则都是与有源区3的顶面接触的。因此，若源极51、漏极52之间要导通，则电流必须在厚度方向上经过一段弱导电区才能进入导电性能良好的导电沟道，这导致薄膜晶体管的开态电流小，且使用该薄膜晶体管的显示装置亮度低、功耗高。
技术实现思路
本专利技术至少部分解决现有的薄膜晶体管的开态电流小，且会导致显示装置亮度低、功耗高的问题，提供一种开态电流大，且可使显示装置亮度提高、功耗降低的薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的栅极、栅绝缘层、有源区、刻蚀阻挡层、源极和漏极，在刻蚀阻挡层中设有第一过孔和第二过孔，其中，第一过孔连通至有源区的顶面和第一侧面，第二过孔连通至有源区的顶面和第二侧面；源极通过第一过孔与有源区的顶面和第一侧面接触，漏极通过第二过孔与有源区的顶面和第二侧面接触。优选的是，所述第一侧面和第二侧面为有源区的两个相对侧面。优选的是，所述有源区由单晶半导体材料构成。进一步优选的是，所述单晶半导体材料为单晶硅。优选的是，所述有源区的厚度在20nm～200nm之间。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供基底；形成栅极；形成覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成有源区；形成覆盖有源区的刻蚀阻挡层，并通过构图工艺在刻蚀阻挡层中形成第一过孔和第二过孔，其中，第一过孔连通至有源区的顶面和第一侧面，第二过孔连通至有源区的顶面和第二侧面；形成源极和漏极，其中源极通过第一过孔与有源区的顶面和第一侧面接触，漏极通过第二过孔与有源区的顶面和第二侧面接触。优选的是，所述有源区由单晶半导体材料构成。优选的是，所述有源区的厚度在20nm～200nm之间。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括：多个薄膜晶体管，其中至少部分所述薄膜晶体管为上述的薄膜晶体管。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括：上述的阵列基板。本专利技术的薄膜晶体管中，刻蚀阻挡层仍然覆盖有源区的绝大部分位置，故其可很好的起到防止有源区被刻蚀、隔绝水氧的作用，使有源区受到很好的保护；同时，源极、漏极均与有源区的侧面接触，也就是直接与有源区下部形成的导电性能良好的导电沟道(图2中麻点区域)接触，因此，源极、漏极导通时电流不需要经过弱导电区，可有效增大开态电流，并保证使用该薄膜晶体管的显示装置亮度高、功耗低。附图说明图1为现有的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图；图2为本专利技术的实施例的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图；图3为本专利技术的实施例的一种薄膜晶体管在形成刻蚀阻挡层后的剖面结构示意图；图4为本专利技术的实施例的一种薄膜晶体管在刻蚀阻挡层中形成第一过孔和第二过孔后的剖面结构示意图；图5为本专利技术的实施例的一种薄膜晶体管在形成源极、漏极后的剖面结构示意图；其中，附图标记为：1、栅极；2、栅绝缘层；3、有源区；4、刻蚀阻挡层；41、第一过孔；42、第二过孔；51、源极；52、漏极；6、钝化层；9、基底。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。在本专利技术中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。实施例1：如图2至图5所示，本实施例提供一种薄膜晶体管，其包括基底9，以及在远离基底9的方向上依次设置的栅极1、栅绝缘层2、有源区3、刻蚀阻挡层4、源极51和漏极52。该薄膜晶体管(TFT)中，具有设于基底9上的栅极1(Gate)、栅绝缘层2(GI)、有源区3(ACT)、刻蚀阻挡层4(ESL)、源极51(S)、漏极52(D)等常规结构，且其为底栅型薄膜晶体管，即栅极1位于有源区3下方(即比有源区3更靠近基底9)。与常规薄膜晶体管不同，本实施例的薄膜晶体管的刻蚀阻挡层4中设有第一过孔41和第二过孔42，其中，第一过孔41连通至有源区3的顶面和第一侧面，第二过孔42连通至有源区3的顶面和第二侧面；源极51通过第一过孔41与有源区3的顶面和第一侧面接触，漏极52通过第二过孔42与有源区3的顶面和第二侧面接触。也就是说，以上薄膜晶体管中，源极51、漏极52通过刻蚀阻挡层4中的过孔(第一过孔41、第二过孔42)接触有源区3；且如图4所示，该第一过孔41、第二过孔42并非仅连通至有源区3的顶面(即远离基底9的面)，而是连通至有源区3的边缘处，从而过孔的一部分连通至有源区3的顶面，另一部分则连通至有源区3的侧面；进而，如图2所示，源极51和漏极52中的每一者，也都是同时与有源区3的顶面和侧面接触。本实施例的薄膜晶体管中，刻蚀阻挡层4仍然覆盖有源区3的绝大部分位置，故其可很好的起到防止有源区3被刻蚀、隔绝水氧的作用，使有源区3受到很好的保护；同时，源极51、漏极52均与有源区3的侧面接触，也就是直接与有源区3下部形成的导电性能良好的导电沟道(图2中麻点区域)接触，因此，源极51、漏极52导通时电流不需要经过弱导电区，可有效增大开态电流，并保证使用该薄膜晶体管的显示装置亮度高、功耗低。优选的，第一侧面和第二侧面为有源区3的两个相对侧面。显然，作为最常用的形式，源极51和漏极52是位于有源区3的两个相对侧的，故与它们接触的第一侧面和第二侧面优选也是两个相对的侧面。优选的，有源区3由单晶半导体材料构成，更优选单晶半导体材料为单晶硅。相对非晶半导体材料，单晶半导体材料(尤其是单晶硅)在许多方面具有更好的性能，但在未充分形成导电沟道的区域(弱导电区)中，单晶半导体材料的导电性能也更差，故其在现有薄膜晶体管中更容易导致开态电流小的问题，因此，本专利技术的方式更适用于以单晶半导体材料为有源区3的薄膜晶体管中。优选的，有源区3的厚度在20nm～200nm之间。有源区3的厚度越大，则源极51、漏极52通过其顶面导通时电流经过的弱导电区长度也越大，对薄膜晶体管性能的影响也就越严重。而在本实施例中，由于源极51、漏极52在有源区3侧面与导电沟道直接接触，故有源区3可具有更大的厚度。本实施例还提供一种上述薄膜晶体管的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的栅极、栅绝缘层、有源区、刻蚀阻挡层、源极和漏极；其特征在于，在刻蚀阻挡层中设有第一过孔和第二过孔，其中，第一过孔连通至有源区的顶面和第一侧面，第二过孔连通至有源区的顶面和第二侧面；源极通过第一过孔与有源区的顶面和第一侧面接触，漏极通过第二过孔与有源区的顶面和第二侧面接触。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的栅极、栅绝缘层、有源区、刻蚀阻挡层、源极和漏极；其特征在于，在刻蚀阻挡层中设有第一过孔和第二过孔，其中，第一过孔连通至有源区的顶面和第一侧面，第二过孔连通至有源区的顶面和第二侧面；源极通过第一过孔与有源区的顶面和第一侧面接触，漏极通过第二过孔与有源区的顶面和第二侧面接触。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一侧面和第二侧面为有源区的两个相对侧面。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源区由单晶半导体材料构成。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述单晶半导体材料为单晶硅。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源区的厚度在20nm～200nm之间。6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏同上，王东方，成军，王庆贺，闫梁臣，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11