制绒后硅片清洗检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及硅片制绒工艺处理技术领域，尤其是一种制绒后硅片清洗检测装置，包括PLC控制器、电阻率测试仪、报警器及装有纯水的慢提拉槽体，慢提拉槽体的上端具有溢流口，慢提拉槽体的溢流口处连通有溢流管，电阻率测试仪用于检测溢流管中液体的电阻率，PLC控制器分别与电阻率测试仪及报警器信号连接，本实用新型专利技术通过将硅片放入到装有纯水的慢提拉槽体中，然后巧妙的利用电阻率测试仪检测慢提提拉槽体中所溢流出的液体的电阻率是否发生变化，从而获知硅片是否清洗干净，确保制绒后的硅片经水洗、酸洗及再次水洗其表面不在残留化学药液，有效的避免了后续制绒后的硅片被污染的问题及对后续工艺造成影响，进而提高太阳能电池的转换效率。

Cleaning and testing device for silicon wafer after cashmere production

The utility model relates to the technical field of silicon wafer processing, in particular to a silicon wafer cleaning and testing device after the production, which comprises a PLC controller, a resistivity tester, an alarm and a slow-pulling trough body with pure water. The upper end of the slow-pulling trough body has an overflow port, and the overflow pipe and the resistance are connected at the overflow port of the slow-pulling trough body. The resistivity tester is used to detect the resistivity of the liquid in the overflow pipe. The PLC controller is respectively connected with the resistivity tester and the alarm signal. The utility model detects the resistivity of the overflowing liquid in the slow-lift trough by placing the silicon wafer into the slow-lift trough with pure water, and then ingeniously uses the resistivity tester to detect the resistivity of the liquid in the slow-lift trough. Whether the silicon wafer has changed, so as to know whether the silicon wafer has been cleaned, to ensure that the surface of the silicon wafer after washing, pickling and re-washing is not residual chemical liquid, effectively avoiding the problem of silicon wafer contamination after subsequent cashmere making and affecting the subsequent process, thereby improving the conversion efficiency of solar cells.

【技术实现步骤摘要】
制绒后硅片清洗检测装置
本技术涉及硅片制绒工艺处理
，尤其是一种制绒后硅片清洗检测装置。
技术介绍
目前太阳能电池制备流程通常为清洗制绒、扩散、刻蚀、去磷硅玻璃、PEVCD、印刷及烧结等，其中，制绒工艺包括上料、预处理工艺、水漂洗、制绒、水洗、酸洗、水洗、慢提拉、烘干及下料；在制绒工艺中硅片经制绒步骤后，需要经过水洗、酸洗(一方面去除硅片表面氧化物，另一方面去除硅片表面的金属离子)及再次水洗后，经过慢提拉脱水，才能烘干进入下道工序，然而现有技术中，制绒后的硅片很难得知其经过水洗、酸洗及再次水洗后硅片表面是否还残留酸或碱等化学药液或金属离子未清洗干净，如果硅片表面有残余的化学药液或金属离子并未冲洗干净，会污染慢提拉槽体，因为制绒后的硅片均会经过慢提拉槽进行脱水，一旦慢提拉槽被污染，那么后续制绒后的硅片都会被污染。硅片表面被污染后，一方面会影响到电池的转换效率，另一方面也会导致电池漏电，影响电池的成品率。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：为了解决现有技术中无法监控制绒后的硅片经水洗、酸洗及再次水洗后硅片表面是否还残留酸或碱等化学药液的问题，现提供一种制绒后硅片清洗检测装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种制绒后硅片清洗检测装置，包括PLC控制器、电阻率测试仪、报警器及装有纯水的慢提拉槽体，所述慢提拉槽体的上端具有溢流口，所述慢提拉槽体的溢流口处连通有溢流管，所述电阻率测试仪用于检测溢流管中液体的电阻率，所述PLC控制器分别与电阻率测试仪及报警器信号连接。优选地，所述报警器为声光报警器。具体地，所述慢提拉槽体的下端连通有进水管，所述进水管上设置有水泵。本技术的有益效果是：本技术的制绒后硅片清洗检测装置通过将硅片放入到装有纯水的慢提拉槽体中，然后巧妙的利用电阻率测试仪检测慢提提拉槽体中所溢流出的液体的电阻率是否发生变化，从而获知硅片是否清洗干净，确保后续制绒后的硅片经水洗、酸洗及再次水洗其表面不在残留化学药液或金属离子，有效的避免了后续制绒后的硅片被污染，从而保证太阳能电池的转换效率以及电池的成品率。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术制绒后硅片清洗检测装置的示意图。图中：1、PLC控制器，2、电阻率测试仪，3、报警器，4、慢提拉槽体，4-1、溢流口，5、溢流管，6、进水管，7、水泵，8、花篮。具体实施方式现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成，方向和参照(例如，上、下、左、右、等等)可以仅用于帮助对附图中的特征的描述。因此，并非在限制性意义上采用以下具体实施方式，并且仅仅由所附权利要求及其等同形式来限定所请求保护的主题的范围。实施例1如图1所示，一种制绒后硅片清洗检测装置，包括PLC控制器1、电阻率测试仪2、报警器3及装有纯水的慢提拉槽体4，所述慢提拉槽体4的上端具有溢流口4-1，所述慢提拉槽体4的溢流口4-1处连通有溢流管5，所述电阻率测试仪2用于检测溢流管5中液体的电阻率，所述PLC控制器1分别与电阻率测试仪2及报警器3信号连接。优选地，所述报警器3为声光报警器，声光报警器可同时发出声和光两种报警信号，便于在线工作人员的及时获知。具体地，所述慢提拉槽体4的下端连通有进水管6，所述进水管6上设置有水泵7，通过水泵7向慢提拉槽体4中在线泵入纯水，慢提拉槽体4中的液体会从溢流口4-1流出，实现实时更换慢提拉槽体4中的液体。上述制绒后硅片清洗检测装置的工作原理如下：由于慢提拉槽体4中预先装的是纯水，纯水的电导率(电阻率的倒数)是一定的，因此在PLC控制器1中根据纯水的电阻率设定一个参考电阻率范围；当硅片放入到慢提拉槽体4内时，如果慢提拉槽体4内的纯水中含有化学药液或金属离子，电导率会发生明显的变化，进而可以说明由于硅片表面残余其他药液带入到了慢提拉槽体4内，引起慢提拉槽体4中液体的电导率变化，从而可表明硅片表面未清洗干净；具体过程如下：本方案中制绒后的硅片经水洗、酸洗及再次水洗后，通过将硅片连同花篮8一起放入到慢提拉槽体4中，慢提拉槽体4中的液面会升高至液体从溢流口4-1处流出，并经过溢流管5；然后通过电阻率测试仪2实时检测溢流管5中液体的电阻率，并将所检测的溢流管5中液体的电阻率实时反馈给PLC控制器1；PLC控制器1会将电阻率测试仪2实时反馈的电阻率与预先设定的参考电阻率范围进行对比，如电阻率测试仪2实时反馈的电阻率相对参考电阻率范围出现偏大或偏小的情况时，PLC控制器1会立即控制报警器3报警，待在线工作人员作异常处理。上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制绒后硅片清洗检测装置，其特征在于：包括PLC控制器(1)、电阻率测试仪(2)、报警器(3)及装有纯水的慢提拉槽体(4)，所述慢提拉槽体(4)的上端具有溢流口(4‑1)，所述慢提拉槽体(4)的溢流口(4‑1)处连通有溢流管(5)，所述电阻率测试仪(2)用于检测溢流管(5)中液体的电阻率，所述PLC控制器(1)分别与电阻率测试仪(2)及报警器(3)信号连接。

【技术特征摘要】
1.一种制绒后硅片清洗检测装置，其特征在于：包括PLC控制器(1)、电阻率测试仪(2)、报警器(3)及装有纯水的慢提拉槽体(4)，所述慢提拉槽体(4)的上端具有溢流口(4-1)，所述慢提拉槽体(4)的溢流口(4-1)处连通有溢流管(5)，所述电阻率测试仪(2)用于检测溢流管(5)中液体的电阻率，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡琴，吴家宏，张凯胜，姚伟忠，孙铁囤，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32