光学隔离模块制造技术

用于光刻工具的光源包括：被配置为发出第一光束和第二光束的源，第一光束具有第一波长，并且第二光束具有第二波长，第一波长和第二波长不同；放大器，被配置为将第一光束和第二光束放大，以分别产生第一放大光束和第二放大光束；以及光源与放大器之间的光学隔离器，光学隔离器包括：多个二向色光学元件以及两个二向色光学元件之间的光学调制器。

Optical isolation module

The light source for the photolithography tool includes: the source of the first beam and the second beam is configured, the first beam has a first wavelength, and the second beam has second wavelengths, the first and the second wavelengths are different; the amplifier is configured to enlarge the first beam and the second beam to produce the first magnified beam and the first light beam respectively. Second magnified beam; and optical isolator between the light source and the amplifier. The optical isolator includes a plurality of two color optical elements and two optical modulators between two color optical elements.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学隔离模块相关申请的交叉引用本申请要求于2015年10月1日提交的题为“OPTICALISOLATIONMODULE”的美国临时申请号62/236,056的权益以及于2015年12月15日提交的题为“OPTICALISOLATIONMODULE”的美国序列号14/970,402的权益，其通过引用并入本文。
本公开涉及光学隔离模块。光学隔离模块能够被用在极紫外(EUV)光源中。
技术介绍
极紫外(“EUV”)光(例如，具有大约50nm或更小的波长的电磁辐射(有时也称为软x射线)并且包括波长约13nm的光)可以用于光刻过程以在衬底(例如，硅晶圆)中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不必限于利用处于等离子体状态的EUV范围中的发射谱线将具有元素(例如，氙、锂或锡)的材料进行转换。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的这样的方法中，可以通过照射例如以材料的微滴、板、带、流或集群的形式的目标材料，利用可以被称为驱动激光器的经放大的光束来产生所需的等离子体。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测设备对其进行监测。
技术实现思路
在一个整体方面，用于光刻工具的光源包括：被配置为发出第一光束和第二光束的源，第一光束具有第一波长，并且第二光束具有第二波长，第一波长和第二波长不同；放大器，被配置为将第一光束和第二光束放大，以分别产生第一放大光束和第二放大光束；以及源和放大器之间的光学隔离器，光学隔离器包括：多个二向色光学元件以及两个二向色光学元件之间的光学调制器。实施方案可以包括以下特征中的一个或多个。光学调制器可以包括声光调制器。二向色光学元件中的每一个可以被配置为反射具有第一波长的光并且透射具有第二波长的光；并且声光调制器可以被定位在两个二向色光学元件之间的射束路径上，声光调制器可以被定位为接收来自两个二向色光学元件的反射光，声光调制器可以被配置为当所接收到的光相对于声光调制器在第一方向上传播时透射所接收到的光并且当所接收到的光相对于声光调制器在第二方向上传播时使得所接收到的光偏离射束路径，第二方向不同于第一方向。第一光束和第二光束可以是脉冲光束。第一放大光束的能量可以小于第二放大光束的能量。第一放大光束可以具有足以使得目标材料微滴中的目标材料变形为经修改的目标的能量，经修改的目标包括几何分布中的目标材料，几何分布与目标材料微滴中目标材料的分布不同，目标材料包括当处于等离子体状态时发射极紫外(EUV)光的材料，并且第二放大光束具有足以将经修改的目标中的至少一些目标材料转化为发射EUV光的等离子体的能量。声光调制器可以被定位在两个二向色光学元件之间的射束路径上，并且可以被定位为接收从两个二向色光学元件反射的光，声光调制器可以被配置为接收触发信号，并且声光调制器可以被配置为响应于接收到触发信号而将从射束路径所接收到的光偏转，并且被配置为以其他方式将所接收到的光传输到射束路径上。光源还可以包括在源和放大器之间的第二光学调制器。第二光学调制器在两个二向色光学元件之间，并且第二光学调制器在与光学调制器不同的射束路径上。源可以包括激光源。源可以包括多个源，第一光束由源中的一个源产生，并且第二光束由源中的另一个源产生。源可以包括一个或多个前置放大器。在另一整体方面，用于极紫外(EUV)光源的设备包括：多个二向色光学元件，二向色光学元件中的每一个二向色光学元件被配置为反射具有第一波长带中的波长的光并且透射具有第二波长带中的波长的光；以及位于两个二向色光学元件之间的射束路径上的光学调制器，光学调制器被定位为接收从两个二向色光学元件所反射的光，并且光学调制器被配置为当所接收到的光在射束路径上以第一方向传播时透射所接收到的光，并且当所接收到的光在射束路径上以第二方向传播时，将所接收到的光偏离射束路径，第二方向不同于第一方向，其中第一波长带包括预脉冲光束的波长，并且第二波长带包括主射束的波长。实施方案可以包括以下特征中的一个或多个。光学调制器可以是声光调制器。设备还可以包括控制系统，控制系统被配置为向声光调制器提供触发信号，并且声光调制器可以被配置为响应于接收到触发信号而将光偏转离开射束路径，并且以其他方式将光传输到射束路径上。设备还可以包括第二光学调制器，其中第二光学调制器位于两个二向色光学元件之间，并且第二光学调制器被定位为接收由两个二向色光学元件透射的光。光学调制器和第二光学调制器可以位于相同的两个二向色光学元件之间，并且第二光学调制器可以位于不同于射束路径的第二射束路径上。在另一整体方面，方法包括：在第一二向色光学元件处反射第一光束，所反射的第一光束穿过光学调制器和放大器来产生放大的第一光束；将第二光束透射通过第一二向色光学元件、第二二向色光学元件和放大器来产生放大的第二光束；在第二二向色光学元件处接收经放大的第一光束的反射，其中经放大的第一光束的反射和第二二向色光学元件之间的相互作用将所反射的经放大的第一光束引导至光学调制器；以及在光学调制器处将经放大的第一光束的反射偏转，从而将经放大的第一光束的反射引导远离第一光束的源。实施方案可以包括以下特征中的一个或多个。在第一光束通过光学调制器之后且在经放大的第一光束在光学调制器处被反射之前，可以向光学调制器提供触发信号。触发信号可以使得光学调制器处于光学调制器将入射光偏转的状态。放大的第一光束可以朝向初始目标区域传播。可以通过第一放大光束与初始目标区域中的目标材料微滴之间的相互作用而产生第一放大光束的反射。第二放大光束可以朝向目标区域传播，并且目标材料与第二放大光束之间的相互作用可以产生第二放大光束的反射，方法还包括：将第二放大光束的反射透射通过第二二向色光学元件，以及在第二光学调制器处将第二放大光束的反射偏转，从而将第二放大光束的反射引导远离第二光束的源。第一光束的源和第二光束的源可以是相同的源。第一光束的源可以是源中的第一光学子系统，而第二光束的源可以是源中的第二光学子系统。上述任何技术的实施方案可以包括用于改造现有EUV光源的方法、过程、光学隔离器、套件或预组装系统，或设备。在附图和下面的描述中阐述了一个或多个实施方案的细节。其他特征从说明书和附图以及权利要求中显而易见。附图说明图1和图2是示例性光学系统的框图。图3和图6是示例性光学隔离器的框图。图4A和图4B是可以在图3和图6的光学隔离器中使用的示例性光学布置的框图。图5A和图5B是与示例性光学调制器相关联的时序图。图7是示例性控制系统的框图。图8A和图8B是用于极紫外(EUV)光源的驱动激光系统的框图。图9、图10A、图10B、图11A、图11B、图12A-图12C和图13A-图13C是在具有和不具有光学隔离器的情况下收集的实验数据的示例。具体实施方式参考图1，示出了一个示例性光学系统100的框图。光学系统100是极紫外(EUV)光源的一部分。光学系统100包括产生光束110的光源102。从光源102发出光束110并且光束110在方向z上沿路径112向目标区域115传播。目标区域115接收目标120，目标120包括转换为等离子体时发出EUV光的材料。目标120在光束110的一个或多个波长处是反射性的。因为目标120是反射性的，所以当光束110与目标120相互作用时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于光刻工具的光源，所述光源包括：被配置为发出第一光束和第二光束的源，所述第一光束具有第一波长，并且所述第二光束具有第二波长，所述第一波长和所述第二波长不同；放大器，被配置为将所述第一光束和所述第二光束放大，以分别产生第一放大光束和第二放大光束；以及所述源和所述放大器之间的光学隔离器，所述光学隔离器包括：多个二向色光学元件，以及所述二向色光学元件中的两个二向色光学元件之间的光学调制器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.01 US 62/236,056;2015.12.15 US 14/970,4021.一种用于光刻工具的光源，所述光源包括：被配置为发出第一光束和第二光束的源，所述第一光束具有第一波长，并且所述第二光束具有第二波长，所述第一波长和所述第二波长不同；放大器，被配置为将所述第一光束和所述第二光束放大，以分别产生第一放大光束和第二放大光束；以及所述源和所述放大器之间的光学隔离器，所述光学隔离器包括：多个二向色光学元件，以及所述二向色光学元件中的两个二向色光学元件之间的光学调制器。2.根据权利要求1所述的光源，其中所述光学调制器包括声光调制器。3.根据权利要求2所述的光源，其中，所述二向色光学元件中的每一个二向色光学元件被配置为反射具有所述第一波长的光，并且透射具有所述第二波长的光；并且所述声光调制器位于所述二向色光学元件中的两个二向色光学元件之间的射束路径上，所述声光调制器被定位为接收来自所述二向色光学元件中的所述两个二向色光学元件的反射光，所述声光调制器被配置为当所接收到的光相对于所述声光调制器沿第一方向传播时，将所接收到的光透射，并且被配置为当所接收到的光相对于所述声光调制器沿第二方向传播时，将所接收到的光偏离所述射束路径，所述第二方向不同于所述第一方向。4.根据权利要求3所述的光源，其中所述第一光束是脉冲光束，并且所述第二光束是脉冲光束。5.根据权利要求4所述的光源，其中所述第一放大光束的能量小于所述第二放大光束的能量。6.根据权利要求5所述的光源，其中，所述第一放大光束具有足以使得目标材料微滴中的目标材料变形为经修改的目标的能量，所述经修改的目标包括几何分布中的目标材料，所述几何分布与所述目标材料微滴中的所述目标材料的分布不同，所述目标材料包括当处于等离子体状态时发射极紫外(EUV)光的材料，并且所述第二放大光束具有足以将所述经修改的目标中的至少一些目标材料转化为发射EUV光的所述等离子体的能量。7.根据权利要求2所述的光源，其中，所述声光调制器位于所述二向色光学元件中的两个二向色光学元件之间的射束路径上，并且被定位成接收从所述二向色光学元件中的所述两个二向色光学元件反射的光，所述声光调制器被配置为接收触发信号，并且响应于接收所述触发信号，所述声光调制器将来自所述射束路径的所接收到的光偏转，并且以其他方式将所接收到的光传输到所述射束路径上。8.根据权利要求1所述的光源，还包括所述源和所述放大器之间的第二光学调制器。9.根据权利要求8所述的光源，其中所述第二光学调制器位于所述二向色光学元件中的两个二向色光学元件之间，并且所述第二光学调制器位于与所述光学调制器不同的射束路径上。10.根据权利要求1所述的光源，其中所述源包括激光源。11.根据权利要求1所述的光源，其中所述源包括多个源，所述第一光束由所述源中的一个源产生，并且所述第二光束由所述源中的另一个源产生。12.根据权利要求1所述的光源，其中所述源包括一个或多个前置放大器。13.一种用于极紫外(EUV)光源的设备，所述设备包括：多个二向色光学元件，所述二向色光学元件中的每一个二向色光学元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶业争，D·J·W·布朗，A·A·沙夫甘斯，P·P·达斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL