一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决现有的显示装置中，采用单层信号传输线容易影响产品品质以及信赖性的问题。所述显示基板的制造方法包括在衬底基板上制作信号传输线的步骤，在制作所述信号传输线的步骤之前，所述显示基板的制造方法还包括：在所述衬底基板上形成延伸方向与所述信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构；所示制作所述信号传输线的步骤包括：在所述凹凸结构上形成所述信号传输线。本发明专利技术提供的显示基板的制造方法用于制作显示基板。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置。
技术介绍
有源矩阵驱动有机发光二极管(英文Active-matrixorganiclightemittingdiode，以下简称AMOLED)显示装置是一种将驱动电路与有机发光二极管有效结合，利用开关器件，写入需要的信号，从而控制每个像素的发光亮度的显示装置，以其可折叠、轻、薄、色域广、纯固态等优点得到广泛关注和迅速发展。AMOLED在正常工作时，通过扫描线控制驱动电路中的薄膜晶体管开启，使数据信号可以通过薄膜晶体管写入各像素单元对应的存储电容中，并配合公共电极及其余薄膜晶体管器件控制流过有机发光二极管的电流大小，从而显示不同的亮度。由此可见，用于传输数据信号的信号传输线作为显示装置内部重要的功能走线，对显示装置的正常工作是不可或缺的。目前，常规AMOLED产品的设计中均为单层的信号传输线，这样在大尺寸、高分辨率的AMOLED产品中，由于信号传输线较长，且信号传输线的宽度及膜厚受限等因素，容易使信号传输线的电阻过大，数据信号在信号传输线上长距离传输时会产生较大压降和延时，进而导致显示装置远端画面显示异常，影响产品品质以及后续信赖性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置，用于解决现有的显示装置中，采用单层信号传输线容易影响产品品质以及信赖性的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术的第一方面提供一种显示基板的制造方法，包括在衬底基板上制作信号传输线的步骤，在制作所述信号传输线的步骤之前，所述显示基板的制造方法还包括：在所述衬底基板上形成延伸方向与所述信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构；制作所述信号传输线的步骤包括：在所述凹凸结构上形成所述信号传输线。进一步地，所述凹凸结构包括贯穿绝缘层的过孔，在所述衬底基板上形成多个凹凸结构包括：形成所述绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔；制作所述信号传输线的步骤具体包括：在形成有所述过孔的绝缘层上沉积金属薄膜；对所述金属薄膜进行构图，形成所述信号传输线。进一步地，所述信号传输线包括数据线，形成所述绝缘层之前，所述制造方法还包括：在所述衬底基板上形成与所述数据线的延伸方向相同的互补数据线，所述互补数据线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，所述互补数据线通过所述过孔与所述数据线连接。进一步地，形成所述互补数据线包括：通过一次构图工艺形成所述互补数据线和所述显示基板的薄膜晶体管的有源层。进一步地，所述通过一次构图工艺形成所述互补数据线和所述显示基板的薄膜晶体管的有源层的步骤具体包括：沉积多晶硅层；对所述多晶硅层进行构图，形成用于形成所述互补数据线的过渡图形和所述薄膜晶体管的有源层；同时对所述过渡图形、所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行重掺杂，重掺杂后的所述过渡图形形成所述互补数据线。进一步地，所述对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔包括：通过一次构图工艺形成所述过孔和所述薄膜晶体管中的源极过孔和漏极过孔；形成所述信号传输线包括：通过一次构图工艺形成所述数据线以及所述薄膜晶体管的源极和漏极，其中，所述源极通过所述源极过孔与所述源极接触区连接，所述漏极通过所述漏极过孔与所述漏极接触区连接。进一步地，所述显示基板的扫描线与所述数据线交叉设置，所述制造方法还包括：对所述显示基板的扫描线在所述数据线上的第一投影区域进行构图，使位于所述第一投影区域的所述数据线为镂空图形；和/或，对所述显示基板的扫描线在所述互补数据线上的第二投影区域进行构图，使位于所述第二投影区域的所述互补数据线为镂空图形。基于上述显示基板的制造方法的技术方案，本专利技术的第二方面提供一种显示基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的凹凸结构；设置在所述凹凸结构上的信号传输线，所述信号传输线的延伸方向与所述凹凸结构的延伸方向相同。进一步地，所述显示基板还包括绝缘层，所述凹凸结构包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述信号传输线位于所述绝缘层上。进一步地，所述信号传输线包括数据线，所述显示基板还包括：与所述数据线的延伸方向相同的互补数据线，所述互补数据线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，所述互补数据线通过所述过孔与所述数据线连接。进一步地，所述显示基板还包括：与所述互补数据线同层设置的薄膜晶体管的有源层，所述互补数据线、所述有源层的源极接触区和所述有源层的漏极接触区均为重掺杂的多晶硅薄膜。进一步地，所述显示基板的扫描线与所述数据线交叉设置，所述扫描线在所述数据线上存在第一投影区域，所述数据线位于所述第一投影区域的部分为镂空图形；和/或，所述扫描线在所述互补数据线上存在第二投影区域，所述互补数据线位于所述第二投影区域的部分为镂空图形。基于上述显示基板的技术方案，本专利技术的第三方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。本专利技术提供的技术方案中，将信号传输线形成在与其延伸方向相同的凹凸结构上，使得信号传输线增加了爬坡部分，由于该爬坡部分同样参与信号的传输，相当于增加了信号传输线的宽度，降低了信号传输线整体的电阻，因此，利用本专利技术提供的制造方法制作的显示基板中，信号传输线的电阻较小，信号在该信号传输线上长距离传输时不会产生较大压降和延时，避免了显示基板远端画面显示异常，保证了显示基板自身的品质和信赖性。而且，由于信号传输线的电阻较小，对驱动芯片的驱动能力要求较低，因此，采用较低驱动能力的芯片即可满足显示基板的工作需要，从而很好的降低了显示基板的功耗。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为现有技术中显示基板的截面示意图；图2为现有技术中显示基板的俯视图；图3为本专利技术实施例提供的在显示基板中形成过孔的示意图；图4为本专利技术实施例提供的在显示基板中形成数据线的示意图；图5为本专利技术实施例提供的位于第一投影区域的数据线形成为镂空图形的示意图；图6为本专利技术实施例提供的沿图5中A-A＇方向的截面示意图；图7为本专利技术实施例提供的沿图5中B-B＇方向的截面示意图；图8为本专利技术实施例提供的位于第二投影区域的互补数据线形成为镂空图形的示意图；图9为本专利技术实施例提供的在衬底基板上形成缓冲层的示意图；图10为本专利技术实施例提供的在衬底基板上形成过渡图形和源极的示意图；图11为本专利技术实施例提供的进行重掺杂的示意图；图12为本专利技术实施例提供的在衬底基板上形成第二绝缘层的示意图；图13为本专利技术实施例提供的显示基板的截面示意图。附图标记：1-衬底基板，2-缓冲层，3-有源层，31-源极接触区，32-漏极接触区，4-第一绝缘层，5-栅极，6-第二绝缘层，7-保护层，8-源极过孔，9-漏极过孔，10-数据线，11-源极，12-漏极，13-平坦层，14-阳极，15-像素界定层，16-隔垫物层，17-过孔，18-互补数据线，19-过渡图形，20-镂空图形，21-扫描线。具体实施方式为了进一步说明本专利技术实施例提供的显示基板的制造方法、显示基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。如图1和图2所示，现有技术中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括在衬底基板上制作信号传输线的步骤，在制作所述信号传输线的步骤之前，所述显示基板的制造方法还包括：在所述衬底基板上形成延伸方向与所述信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构；制作所述信号传输线的步骤包括：在所述凹凸结构上形成所述信号传输线。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括在衬底基板上制作信号传输线的步骤，在制作所述信号传输线的步骤之前，所述显示基板的制造方法还包括：在所述衬底基板上形成延伸方向与所述信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构；制作所述信号传输线的步骤包括：在所述凹凸结构上形成所述信号传输线。2.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述凹凸结构包括贯穿绝缘层的过孔，在所述衬底基板上形成多个凹凸结构包括：形成所述绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔；制作所述信号传输线的步骤具体包括：在形成有所述过孔的绝缘层上沉积金属薄膜；对所述金属薄膜进行构图，形成所述信号传输线。3.根据权利要求2所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述信号传输线包括数据线，形成所述绝缘层之前，所述制造方法还包括：在所述衬底基板上形成与所述数据线的延伸方向相同的互补数据线，所述互补数据线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，所述互补数据线通过所述过孔与所述数据线连接。4.根据权利要求3所述的显示基板的制造方法，其特征在于，形成所述互补数据线包括：通过一次构图工艺形成所述互补数据线和所述显示基板的薄膜晶体管的有源层。5.根据权利要求4所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成所述互补数据线和所述显示基板的薄膜晶体管的有源层的步骤具体包括：沉积多晶硅层；对所述多晶硅层进行构图，形成用于形成所述互补数据线的过渡图形和所述薄膜晶体管的有源层；同时对所述过渡图形、所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行重掺杂，重掺杂后的所述过渡图形形成所述互补数据线。6.根据权利要求5所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔包括：通过一次构图工艺形成所述过孔和所述薄膜晶体管中的源极过孔和漏极过孔；形成所述信号传输线包括：通过一次构图工艺形成所述数据线以及所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云泽，杨妮，王小元，陈雪芳，李辉，刘梦秋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11