一种TEOS炉管机台制造技术

本实用新型专利技术提供一种TEOS炉管机台，所述TEOS炉管机台包括反应腔室；安装于所述反应腔室下方、且与所述反应腔室贯通的转换器出口；及安装于所述转换器出口内的第一保护件。通过本实用新型专利技术提供的TEOS炉管机台，解决了现有TEOS炉管机台存在清理维护耗时长、且容易造成TEOS炉管机台损坏的问题。

A TEOS furnace tube table

The utility model provides a TEOS furnace tube table, which includes a reaction chamber, a converter outlet installed under the reaction chamber, and through the reaction chamber, and a first protector installed in the outlet of the converter. The TEOS furnace tube table provided by the utility model has solved the problem that the existing TEOS furnace tube table has long time consuming and easy to cause the damage of the TEOS furnace tube table.

【技术实现步骤摘要】
一种TEOS炉管机台
本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种TEOS炉管机台。
技术介绍
在半导体制造过程中，采用TEOS(四乙氧基硅烷)炉管机台形成二氧化硅薄膜时，会产生反应副产物；但由于反应腔室的温度较高，在680摄氏度左右，而转换器出口附近的温度较低，在110摄氏度左右，故产生的反应副产物会在转换器出口附近因遇冷凝结，直接堆积在转换器出口的内壁上，因此需要对所述TEOS炉管机台进行定期的清理维护。由于所述转换器出口的材料为合金，故在对所述TEOS炉管机台进行清理维护时，无法采用酸清洗堆积的反应副产物，只能依靠人力用螺丝刀或铲子之类的工具慢慢清理，但由于堆积在所述转换器出口内壁上的反应副产物硬度较高，极难清理，即使两个人一起也需要18小时左右，不仅浪费人力物力，而且使用工具清理转换器出口，会造成很大的震动，容易对所述TEOS炉管机台内的石英部件造成损坏。鉴于此，有必要设计一种新的TEOS炉管机台用于解决上述技术问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种TEOS炉管机台，解决了现有TEOS炉管机台存在清理维护耗时长、且容易造成TEOS炉管机台损坏的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种TEOS炉管机台，所述TEOS炉管机台包括：反应腔室；安装于所述反应腔室下方、且与所述反应腔室贯通的转换器出口；及安装于所述转换器出口内的第一保护件。优选地，所述第一保护件包括第一保护本体，及与所述第一保护本体连接的第二保护本体，其中，所述第一保护本体为圆台型，所述第二保护本体为圆环型。优选地，所述第一保护本体和第二保护本体的厚度均为2mm～3mm。优选地，圆台型第一保护本体中小圆的直径为55mm～65mm；圆台型第一保护本体中大圆的直径为75mm～85mm。优选地，圆环型第二保护本体中的内圆直径为75mm～85mm；圆环型第二保护本体中的外圆直径为90mm～95mm。优选地，所述第一保护件的材料包括石英、SiC或SiN。优选地，所述TEOS炉管机台还包括安装于所述转换器出口的连接管路，及安装于所述连接管路一端的冷却装置。优选地，所述TEOS炉管机台还包括设于所述连接管路内的第二保护件。优选地，所述第二保护件为中空圆柱型，其厚度为2mm～3mm。优选地，所述第二保护件的材料包括石英、SiC或SiN。如上所述，本技术的一种TEOS炉管机台，具有以下有益效果：1、本技术通过在所述转换器出口内设置第一保护件，防止反应副产物直接堆积在所述转换器出口内壁上，而是将反应副产物堆积在第一保护件上，使得在后期的清理维护中，直接更换第一保护件，降低了清理维护难度的同时，大大提高了清理维护的时间，将清理维护的时间缩短至13小时，更避免了对TEOS炉管机台造成损坏。2、本技术所述第一保护件及第二保护件可重复利用，减小清理维护成本。附图说明图1显示为本技术所述TEOS炉管机台的结构示意图。图2显示为图1所述带有第一保护件的转换器出口沿AA’方向的截面图。图3显示为本技术所述转换器出口的结构示意图。图4显示为本技术所述第一保护件的结构示意图。图5显示为本技术所述第二保护件的结构示意图。元件标号说明10TEOS炉管机台11反应腔室12转换器出口121转换器外壳122出口管路13第一保护件131第一保护本体132第二保护本体14连接管路15第二保护件16冷却装置具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图5。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例一如图1和图2所示，本实施例提供一种TEOS炉管机台，所述TEOS炉管机台10包括：反应腔室11；安装于所述反应腔室11下方、且与所述反应腔室11贯通的转换器出口12；及安装于所述转换器出口12内的第一保护件13。作为示例，如图3所示，所述转换器出口12包括转换器外壳121，及位于所述转换器外壳121内的出口管路122。优选地，所述出口管路122呈方型结构。作为示例，如图4所示，所述第一保护件13包括第一保护本体131，及与所述第一保护本体131连接的第二保护本体132，其中，所述第一保护本体131为圆台型，所述第二保护本体132为圆环型。需要说明的是，为了便于制作，本实施例将所述第一保护本体的形状制作为圆台型；但本实施例所述第一保护本体的形状并不仅限于圆台型，其可以为实现本技术所述之功能的任一形状，其中，最为优选的方案则是所述第一保护本体的形状与所述出口管路的形状完全适配。作为示例，所述第一保护件13的材料包括但不限于石英、SiC或SiN。优选地，在本实施例中，所述第一保护件13的材料为石英。需要说明的是，在清理维护时，更换下来的第一保护件13可以采用氢氟酸水溶液进行清洗，以去除堆积在所述第一保护件内的反应副产物，实现第一保护件的重复利用，减小清理维护成本。作为示例，所述第一保护本体131和第二保护本体132的厚度均为2mm～3mm。优选地，在本实施例中，所述第一保护本体131和所述第二保护本体132的厚度均为2.5mm；当然，在其它实施例中，所述第一保护本体131和所述第二保护本体132的厚度还可以为2mm、2.1mm、2.2mm、2.3mm、2.4mm、2.6mm、2.7mm、2.8mm、2.9mm或3mm等。作为示例，如图4所示，圆台型第一保护本体中小圆的直径Ra为55mm～65mm。优选地，在本实施例中，圆台型第一保护本体中小圆的直径Ra为60mm；当然，在其它实施例中，圆台型第一保护本体中小圆的直径Ra还可以为55mm、56mm、57mm、58mm、59mm、61mm、62mm、63mm、64mm或65mm等。圆台型第一保护本体中大圆的直径Rb为75mm～85mm。优选地，在本实施例中，圆台型第一保护本体中大圆的直径Rb为80mm；当然，在其它实施例中，圆台型第一保护本体中大圆的直径Rb还可以为75mm、76mm、77mm、78mm、79mm、81mm、82mm、83mm、84mm或85mm等。作为示例，如图4所示，圆环型第二保护本体中的内圆直径Rb为75mm～85mm。优选地，在本实施例中，圆环型第二保护本体中的内圆直径Rb为80mm；当然，在其它实施例中，圆环型第二保护本体中的内圆直径Rb还可以为75mm、76mm、77mm、7本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TEOS炉管机台，其特征在于，所述TEOS炉管机台包括：反应腔室；安装于所述反应腔室下方、且与所述反应腔室贯通的转换器出口；及安装于所述转换器出口内的第一保护件；其中，所述第一保护件包括第一保护本体，及与所述第一保护本体连接的第二保护本体，其中，所述第一保护本体为圆台型，所述第二保护本体为圆环型。

【技术特征摘要】
1.一种TEOS炉管机台，其特征在于，所述TEOS炉管机台包括：反应腔室；安装于所述反应腔室下方、且与所述反应腔室贯通的转换器出口；及安装于所述转换器出口内的第一保护件；其中，所述第一保护件包括第一保护本体，及与所述第一保护本体连接的第二保护本体，其中，所述第一保护本体为圆台型，所述第二保护本体为圆环型。2.根据权利要求1所述的TEOS炉管机台，其特征在于，所述第一保护本体和第二保护本体的厚度均为2mm～3mm。3.根据权利要求1所述的TEOS炉管机台，其特征在于，圆台型第一保护本体中小圆的直径为55mm～65mm；圆台型第一保护本体中大圆的直径为75mm～85mm。4.根据权利要求1所述的TEOS炉管机台，其特征在于，圆环型第二保护本体中...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹广丰，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50