The width of the mask element (710) between the film (8) of the substrate (9) is adjacent to each other as the width of the mask gap (G), and the reference information is prepared for each gap width in the width of a plurality of gap gaps, and the reference information indicates the relationship between the upper surface gap width (GT) and the lower surface gap width (GB). The width of the upper surface gap (GT) is the gap width between the upper surface of (810), which is formed by the mask elements and etched on the membrane. The width of the lower surface gap (GB) is the gap width between the lower surface. In the substrate, the width of the upper surface gap of each pattern element is obtained by using a plurality of mask elements with multiple gap width respectively. Using the measured value and referring to reference information, the width of the lower surface gap of multiple gap width is obtained. Based on this value, the design data of the pattern of the film are corrected. Thereby, it is easy to realize the correction of design data based on the lower surface of the pattern of the film.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】数据修正装置、描绘装置、配线图案形成系统、检查装置、数据修正方法及配线基板的制造方法
本专利技术是关于一种数据修正装置、描绘装置、配线图案形成系统、检查装置、数据修正方法及配线基板的制造方法。
技术介绍
过去以来,在印刷基板(以下简称为“基板”)的制造步骤中,对基板实施各种处理。例如,通过在形成有铜等的导体膜的基板的表面上形成抗蚀剂的图案,实施蚀刻,从而在基板上形成该导体膜的图案(配线图案)。在蚀刻中,因图案要素配置的疏密等,而存在形成于基板上的图案形状与设计数据不同的情形。因此,在日本专利特开2001-230323号公报及日本特开2005-202949号公报中,揭示有通过数值模拟,算出配线的最终宽度,进行设计数据的修正的方法。然而,在形成于基板上的导体膜的图案要素中,已知其剖面形状为梯形。由于可容易地获取图案要素的上表面的图像,故亦可利用该图像而容易地测定该上表面的形状。另一方面,因从图案要素的山脚部获得的光(照明光的反射光)的量不充分,故图案要素的下表面的形状的测定并非容易。因此,难以进行将导体膜的图案的下表面设为基准的设计数据的修正、或将导体膜的图案的下表面设为基准的检查。
技术实现思路
本专利技术是关于一种数据修正装置,其修正利用蚀刻液蚀刻已在基板的表面形成的导体膜从而形成的图案的设计数据。本专利技术的数据修正装置具备:设计数据存储部,存储在形成有导体膜的基板上通过规定条件下的蚀刻而形成的所述导体膜的图案的设计数据;参照信息存储部,其将在基板的导体膜上彼此邻接而形成的光罩要素对之间的间隙宽度作为光罩间隙宽度,针对多个光罩间隙宽度中的每一个光罩间隙宽度存 ...
【技术保护点】
一种数据修正装置,修正图案的设计数据,该图案是利用蚀刻液对在基板的表面形成的导体膜进行蚀刻而形成的图案,其中,该数据修正装置具备:设计数据存储部,存储在形成有导体膜的基板上通过规定条件下的蚀刻而形成的所述导体膜的图案的设计数据,参照信息存储部,将在基板的导体膜上彼此邻接而形成的光罩要素对之间的间隙宽度作为光罩间隙宽度,针对多个光罩间隙宽度中的每一个光罩间隙宽度存储参照信息,该参照信息表示上表面间隙宽度和下表面间隙宽度的关系,该上表面间隙宽度是利用所述光罩要素对并通过蚀刻在所述导体膜形成的图案要素对的上表面间的间隙宽度,该下表面间隙宽度是所述图案要素对的下表面间的间隙宽度,下表面间隙宽度获取部,在利用分别设定有所述多个光罩间隙宽度的多个光罩要素对并进行了所述规定条件下的蚀刻的处理完成基板中,获取与所述多个光罩要素对相对应的多个图案要素对中的每一个图案要素对的上表面间隙宽度的测定值,利用所述测定值并参照所述参照信息,由此针对所述处理完成基板,获取所述多个光罩间隙宽度下的多个下表面间隙宽度的值,以及数据修正部,基于所述多个光罩间隙宽度下的所述多个下表面间隙宽度的值,修正所述设计数据;针对所述 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.25 JP 2015-1879801.一种数据修正装置,修正图案的设计数据,该图案是利用蚀刻液对在基板的表面形成的导体膜进行蚀刻而形成的图案,其中,该数据修正装置具备:设计数据存储部,存储在形成有导体膜的基板上通过规定条件下的蚀刻而形成的所述导体膜的图案的设计数据,参照信息存储部,将在基板的导体膜上彼此邻接而形成的光罩要素对之间的间隙宽度作为光罩间隙宽度,针对多个光罩间隙宽度中的每一个光罩间隙宽度存储参照信息,该参照信息表示上表面间隙宽度和下表面间隙宽度的关系,该上表面间隙宽度是利用所述光罩要素对并通过蚀刻在所述导体膜形成的图案要素对的上表面间的间隙宽度,该下表面间隙宽度是所述图案要素对的下表面间的间隙宽度,下表面间隙宽度获取部,在利用分别设定有所述多个光罩间隙宽度的多个光罩要素对并进行了所述规定条件下的蚀刻的处理完成基板中,获取与所述多个光罩要素对相对应的多个图案要素对中的每一个图案要素对的上表面间隙宽度的测定值,利用所述测定值并参照所述参照信息,由此针对所述处理完成基板,获取所述多个光罩间隙宽度下的多个下表面间隙宽度的值,以及数据修正部,基于所述多个光罩间隙宽度下的所述多个下表面间隙宽度的值,修正所述设计数据;针对所述多个光罩间隙宽度中的每一个光罩间隙宽度,以时间的多项式将从所述导体膜被蚀刻至所述基板的表面的状态起所述导体膜沿着所述表面被蚀刻时的图案要素对的形状的变化予以公式化,并通过使用在进行了规定时间的蚀刻的测试基板中的图案要素对的形状的测定值的拟合来确定所述多项式的系数,由此获取所述参照信息。2.如权利要求1所记载的数据修正装置,其中,在所述处理完成基板上的多个对象位置中的每一个对象位置,形成有与所述多个光罩间隙宽度对应的多个图案要素对;所述下表面间隙宽度获取部针对各光罩间隙宽度,参照同一参照信息,来获取所述多个对象位置处的多个下表面间隙宽度的值;所述数据修正部基于所述多个对象位置处的所述多个下表面间隙宽度的值,修正所述设计数据。3.一种描绘装置,在基板上描绘图案,其中,包含:权利要求1或2所记载的数据修正装置;光源;光调制部,基于经所述数据修正装置修正的设计数据,调制来自所述光源的光;以及扫描机构,在基板上扫描经所述光调制部调制的光。4.一种配线图案形成系统,包含:权利要求1或2所记载的数据修正装置;以及配线图案形成单元,基于经所述数据修正装置修正的设计数据,在基板上形成配线图案。5.一种检查装置,检查由蚀刻液对在基板的表面形成的导体膜进行蚀刻而形成的图案,其中,该检查装置具备:设计数据存储部,存储在形成有导体膜的基板上通过蚀刻而形成的所述导体膜的图案的设计数据,参照信息存储部,将在基板的导体膜上彼此邻接而形成的光罩要素对之间的间隙宽度作为光罩间隙宽度,针对多个光罩间隙宽度中的每一个光罩间隙宽度存储参照信息,该参照信息表示上表面间隙宽度和下表面间隙宽度的关系,该上表面间隙宽度是利用所述光罩要素对并通过蚀刻在所述导体膜形成的图案要素对的上表面间的间隙宽度,该下表面间隙宽度是所述图案要素对的下表面间的间隙宽度,实际图像存储部,存储检查图像数据,该检查图像数据是通过使用了基于所...
【专利技术属性】
技术研发人员:小松崎孝雄,山本哲平,
申请(专利权)人:株式会社斯库林集团,日立化成株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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