一种用于薄膜蒸镀的装置制造方法及图纸
A device for thin film evaporation
The invention relates to a device for film evaporation, which consists of a vacuum chamber, a steam source, a sample table, a condensing device, a vacuum acquisition device, a gas supply device and a plate valve. The invention adopts a stainless steel cavity wall, and uses a molecular pump + a mechanical pump air extraction device. The background vacuum can reach 10.
【技术实现步骤摘要】
一种用于薄膜蒸镀的装置
：本专利技术涉及薄膜生长或薄膜制备领域，更确切地说涉及薄膜蒸镀的装置。
技术介绍
：现代科学和技术需要使用大量功能各异的薄膜材料，如石墨烯、六角氮化硼、金属薄膜等。一般来讲，为了达到所需的性能，这些功能材料必须是高纯的。而为了得到高纯度的产品，科学界、工艺界也专利技术了很多制备方法。其中，化学气相淀积法（CVD）、分子束外延生长法（MBE）等都是近几十年发展起来的制备高纯度材料的新技术。目前所使用的蒸镀金属薄膜的装置多为石英管式炉，对生长过程的控制存在以下问题：1）气压的控制性。石英管式炉的气压测量和控制一般是通过流量计和在关口的气压计完成。石墨烯的生长机理与气体的流量没有直接关系，而是同金属表面的气压有关。而该装置气路狭窄，通过流量计与管口所测量的数据不能直接表达金属表面的气压，而是具有很大的差异和延迟。2）温度的控制性。对薄膜生长过程有影响的为金属薄膜表面的温度，而实际上在石英管式炉中往往测量的是管壁外的温度，存在较大差异与延迟。3）本底杂质的控制性。石英管内杂质气体的本底真空相对比较高，一般在10-4mbar以上，这就意味着金属表面每个原子每秒钟平均约有100次来自杂质气体的碰撞。这些杂质气体所带来的影响是复杂的不容易预知的，通常来讲会造成两个问题：一是制备方法的转移性不好，在一个系统上优化的制备方法在转移到不同生产设备的时候，由于不同系统所存在差异，相同的制备参数所给出的金属表面的气压与温度可能相差很多；二是对薄膜的生长机理理解欠佳，由于测量过程中参数的延迟与差异以及杂质气体的影响，很难通过最基本的表面科学知识解释所得到的结...
【技术保护点】
一种用于蒸镀的装置，其特征在于，所述装置由真空腔体（1）、蒸发源（2）、样品台（4）、冷凝装置、真空获得装置、供气装置及插板阀（14）组成。
【技术特征摘要】
1.一种用于蒸镀的装置，其特征在于，所述装置由真空腔体（1）、蒸发源（2）、样品台（4）、冷凝装置、真空获得装置、供气装置及插板阀（14）组成。2.根据权利要求1所述的用于蒸镀的装置，其特征在于：所述的真空腔体（1）通过真空获得装置达到真空状态。3.根据权利要求1所述的用于蒸镀的装置，其特征在于：所述的蒸发源（2）通过CF法兰接口与真空腔体（1）连接，最高可加热至1900℃，坩埚（3）用于放置待蒸镀样品，体积最高可达5ml。4.根据权利要求1所述的用于蒸镀的装置，其特征在于：所述的样品台（4）用于放置基底材料（5），坩埚（3）内的待蒸镀样品加热后蒸镀至基底材料（5）表面。5.根据权利要求1所述的用于蒸镀的装置，其特征在于：所述的冷凝装置由循环水机（6）、过...
【专利技术属性】
技术研发人员：董国材，唐琪雯，张祥，
申请(专利权)人：江南石墨烯研究院，常州碳维纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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