按键结构制造技术

技术编号:17782033 阅读:62 留言:0更新日期:2018-04-22 11:58
本发明专利技术公开一种按键结构,其包括底板、键帽、第一支架、第二支架、第一磁性件、第二磁性件以及第一缓冲降噪材。第一磁性件设置于底板上,且位于第一支架与第二支架之间。第二磁性件对应第一磁性件设置于第一支架上。第一磁性件具有第一部位,第二支架具有第二中心端,第一部位与第二中心端相邻,键帽位于较高位置时,第一磁性件与第二磁性件相对靠近,第二磁性件具有与第一部位相抵接的第二部位以及与第二中心端相抵接的第三部位。第一缓冲降噪材设置于第一部位与第二部位之间及第二中心端与第三部位之间。本发明专利技术于两个构件的干涉处或摩擦处设有缓冲防噪材,避免碰撞或摩擦,减少构件间相对作动而产生的噪音,提高按键按压时的宁静性。

【技术实现步骤摘要】
按键结构
本专利技术是有关于一种按键结构,且特别是有关于一种具有减噪功效的按键结构。
技术介绍
键盘是常被使用的手打输入设备。为了让用户灵活使用键盘,磁吸式按键通常会设置支撑件及/或平衡杆以提高键帽的结构强度,且键帽能透过支撑件及/或平衡杆而相对于底板上下移动。然而,当键帽上下移动时,通常支撑件或平衡杆会与底板发生撞击而产生噪音,此外,支撑件或平衡杆与底板相接合处会产生摩擦,易产生噪音。另外,磁性件与支撑件在结构上相干涉也容易发生碰撞而产生噪音,有待进一步改善。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种按键结构,其于两个构件的干涉处或摩擦处设有缓冲防噪材,可避免碰撞或摩擦,以减少两个构件间相对作动而产生的噪音。为了达到上述目的,本专利技术提出一种按键结构,其包括底板、键帽、第一支架、第二支架、第一磁性件、第二磁性件以及第一缓冲降噪材。键帽设置于该底板之上;第一支架可枢转地设置于该底板与该键帽之间;第二支架可枢转地设置于该底板与该键帽之间,其中该键帽藉由该第一支架与该第二支架相对于该底板上下移动;第一磁性件设置于该底板上,且该第一磁性件位于该第一支架与该第二支架之间;第二磁性件对应该第一磁性件设置于该第一支架上,以使该键帽藉由该第一磁性件与该第二磁性件间的磁吸力由第一位置移动至第二位置,该第二位置高于该第一位置,其中该第一磁性件具有第一部位,该第二支架具有第二中心端,该第一部位与该第二中心端相邻,且该键帽位于该第二位置时,该第一磁性件与该第二磁性件相对靠近,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位与该第一部位相抵接,该第三部位与该第二中心端相抵接;第一缓冲降噪材设置于该第一部位与该第二部位之间以及该第二中心端与该第三部位之间。此外,本专利技术还提出另一种按键结构,其包括底板、键帽、第一支架、第二支架、第一磁性件、第二磁性件以及第一缓冲降噪材。该底板具有第一结合部与第二结合部;键帽设置于该底板之上;该第一支架具有第一中心端、第一外缘端与第三结合部,该第三结合部位于该第一中心端与该第一外缘端之间,该第三结合部可转动地耦合于该第一结合部,该第一外缘端可转动地耦合于该键帽;该第二支架具有第二中心端、第二外缘端与第四结合部,该第四结合部位于该第二中心端与该第二外缘端之间,该第四结合部可转动地耦合于该第二结合部,该第二外缘端可转动地耦合于该键帽,该键帽藉由该第一支架与该第二支架而能相对于该底板上下移动于第一位置与第二位置之间,该第二位置高于该第一位置;第一磁性件设置于该底板上,该第一磁性件具有第一部位;第二磁性件设置于该第一支架的该第一中心端,该第一磁性件与该第二磁性件间具有磁吸力,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位延伸于该第一磁性件上方,该第三部位延伸于该第二支架的该第二中心端上方;第一缓冲降噪材设置于该第二部位与该第一磁性件之间,及该第三部位与该第二支架之间;其中当该按键结构被外力按压,而使该键帽朝向该第一位置移动时,该第一磁性件与该第二磁性件相互远离,该第二磁性件与该第二支架的该第二中心端均向上移动,该第一缓冲降噪材降低该第二磁性件与该第二中心端间的撞击声响;其中当该外力消失,该磁吸力使该键帽朝向该第二位置移动时,该第一磁性件与该第二磁性件相互接近,该第二磁性件的该第二部位向下移动,该第一缓冲降噪材降低该第二部位与该第一磁性件的该第一部位间的撞击声响。作为可选的技术方案,该第一缓冲降噪材为黏滞性胶体,该黏滞性胶体形成于该第一部位与该第二中心端上,其中该键帽移动至该第一位置时,该第一磁性件与该第二磁性件相对远离,以使该第一部位与该第二部位分离,且该第二磁性件与该第二支架藉由该黏滞性胶体相连为一体,以使该第二中心端与该第三部位不易分离。作为可选的技术方案,该第一部位与该第二中心端之间具有间隙,该黏滞性胶体覆盖该第一部位与该第二中心端之间的该间隙。作为可选的技术方案,该黏滞性胶体为非硅胶系的润滑脂,该黏滞性胶体的硬度于摄氏25度时介于285U.W~305U.W之间。作为可选的技术方案,该第一支架的该第一中心端具有凹槽,该第二磁性件具有本体部以及突出部,该本体部内嵌于该凹槽中,该突出部由该本体部延伸至该第二支架的该第二中心端上方,其中该第二部位与该第三部位位于该突出部,且该第二部位位于该第三部位与该凹槽之间。作为可选的技术方案,该按键结构进一步包括电路板,该电路板设置于该底板上,其中该电路板包括第一薄膜开关以及第二薄膜开关,该第一支架对应于该第一薄膜开关设有第一作动部,该第二支架对应于该第二薄膜开关设有第二作动部,该键帽受外力按压时,该第一作动部相对于该底板旋转而靠近该电路板并按压该第一薄膜开关组件,该第二作动部相对于该底板旋转而靠近该电路板并按压该第二薄膜开关组件。作为可选的技术方案,该底板包括第一定位部,第一定位部具有第一收纳空间,其中该按键结构进一步包括平衡杆,该平衡杆包括下端部,该下端部可活动地设置于该第一收纳空间中;该按键结构进一步包括第二缓冲降噪材,该第二缓冲降噪材设置于该第一收纳空间中,以减缓该下端部与该第一定位部间的撞击。作为可选的技术方案,该第一缓冲降噪材和该第二缓冲降噪材的材质相同,并藉由同一个制程同时涂布到该第二磁性件下方与该第一收纳空间中。作为可选的技术方案,该第二缓冲降噪材为黏滞性胶体,该黏滞性胶体为非硅胶系的润滑脂,该黏滞性胶体的硬度于摄氏25度时介于285U.W~305U.W之间。本专利技术的按键结构,其于两个构件的干涉处或摩擦处设有缓冲防噪材,可避免碰撞或摩擦,以减少构件间相对作动而产生的噪音,因此能提高按键按压时的宁静性。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述,但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1A绘示依照本专利技术一实施例的按键结构的组合示意图。图1B绘示依照本专利技术一实施例的按键结构的分解示意图。图2A绘示当未受外力按压时图1A的按键结构沿着A-A剖面线的剖面示意图。图2B绘示当被外力按压时图1A的按键结构沿着A-A剖面线的剖面示意图。图3A绘示依照本专利技术另一实施例的按键结构的组合示意图及局部放大示意图。图3B绘示依照本专利技术另一实施例的按键结构的分解示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。在以下实施例中,在不同的图中,相同部分是以相同标号表示。图1A绘示依照本专利技术一实施例的按键结构100的组合示意图,图1B绘示依照本专利技术一实施例的按键结构100的分解示意图。图2A绘示当未受外力按压时,图1A的按键结构100沿着A-A剖面线的剖面示意图;图2B绘示当被外力按压时,图1A的按键结构100沿着A-A剖面线的剖面示意图。请参照图1A及图1B,依照本专利技术一实施例的按键结构100,包括底板110、键帽120、第一支架130、第二支架140、第一磁性件150、第二磁性件160、电路板170以及第一缓冲降噪材180。底板110具有第一结合部112与第二结合部114。键帽120设置于底板110之上,且第一支架130可枢转地设置于底板110与键帽120之间,第二支本文档来自技高网...
按键结构

【技术保护点】
一种按键结构,其特征在于包括:底板;键帽,设置于该底板之上;第一支架,可枢转地设置于该底板与该键帽之间;第二支架,可枢转地设置于该底板与该键帽之间,其中该键帽藉由该第一支架与该第二支架相对于该底板上下移动;第一磁性件,设置于该底板上,且该第一磁性件位于该第一支架与该第二支架之间;第二磁性件,对应该第一磁性件设置于该第一支架上,以使该键帽藉由该第一磁性件与该第二磁性件间的磁吸力由第一位置移动至第二位置,该第二位置高于该第一位置,其中该第一磁性件具有第一部位,该第二支架具有第二中心端,该第一部位与该第二中心端相邻,且该键帽位于该第二位置时,该第一磁性件与该第二磁性件相对靠近,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位与该第一部位相抵接,该第三部位与该第二中心端相抵接;以及第一缓冲降噪材,设置于该第一部位与该第二部位之间以及该第二中心端与该第三部位之间。

【技术特征摘要】
1.一种按键结构,其特征在于包括:底板;键帽,设置于该底板之上;第一支架,可枢转地设置于该底板与该键帽之间;第二支架,可枢转地设置于该底板与该键帽之间,其中该键帽藉由该第一支架与该第二支架相对于该底板上下移动;第一磁性件,设置于该底板上,且该第一磁性件位于该第一支架与该第二支架之间;第二磁性件,对应该第一磁性件设置于该第一支架上,以使该键帽藉由该第一磁性件与该第二磁性件间的磁吸力由第一位置移动至第二位置,该第二位置高于该第一位置,其中该第一磁性件具有第一部位,该第二支架具有第二中心端,该第一部位与该第二中心端相邻,且该键帽位于该第二位置时,该第一磁性件与该第二磁性件相对靠近,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位与该第一部位相抵接,该第三部位与该第二中心端相抵接;以及第一缓冲降噪材,设置于该第一部位与该第二部位之间以及该第二中心端与该第三部位之间。2.一种按键结构,其特征在于包括:底板,该底板具有第一结合部与第二结合部;键帽,设置于该底板之上;第一支架,该第一支架具有第一中心端、第一外缘端与第三结合部,该第三结合部位于该第一中心端与该第一外缘端之间,该第三结合部可转动地耦合于该第一结合部,该第一外缘端可转动地耦合于该键帽;第二支架,该第二支架具有第二中心端、第二外缘端与第四结合部,该第四结合部位于该第二中心端与该第二外缘端之间,该第四结合部可转动地耦合于该第二结合部,该第二外缘端可转动地耦合于该键帽,该键帽藉由该第一支架与该第二支架而能相对于该底板上下移动于第一位置与第二位置之间,该第二位置高于该第一位置;第一磁性件,设置于该底板上,该第一磁性件具有第一部位;第二磁性件,设置于该第一支架的该第一中心端,该第一磁性件与该第二磁性件间具有磁吸力,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位延伸于该第一磁性件上方,该第三部位延伸于该第二支架的该第二中心端上方;以及第一缓冲降噪材,设置于该第二部位与该第一磁性件之间,及该第三部位与该第二支架之间;其中当该按键结构被外力按压,而使该键帽朝向该第一位置移动时,该第一磁性件与该第二磁性件相互远离,该第二磁性件与该第二支架的该第二中心端均向上移动,该第一缓冲降噪材降低该第二磁性件与该第二中心端间的撞击声响;其中当该外力消失,该磁吸力使该键帽朝向该第二位置移动时,该第一磁性件与该第二磁性件相互接近,该第二磁性件的该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨淞富张镇安
申请(专利权)人:苏州达方电子有限公司达方电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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