【技术实现步骤摘要】
按键结构
本专利技术是有关于一种按键结构,且特别是有关于一种具有减噪功效的按键结构。
技术介绍
键盘是常被使用的手打输入设备。为了让用户灵活使用键盘,磁吸式按键通常会设置支撑件及/或平衡杆以提高键帽的结构强度,且键帽能透过支撑件及/或平衡杆而相对于底板上下移动。然而,当键帽上下移动时,通常支撑件或平衡杆会与底板发生撞击而产生噪音,此外,支撑件或平衡杆与底板相接合处会产生摩擦,易产生噪音。另外,磁性件与支撑件在结构上相干涉也容易发生碰撞而产生噪音,有待进一步改善。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种按键结构,其于两个构件的干涉处或摩擦处设有缓冲防噪材,可避免碰撞或摩擦,以减少两个构件间相对作动而产生的噪音。为了达到上述目的,本专利技术提出一种按键结构,其包括底板、键帽、第一支架、第二支架、第一磁性件、第二磁性件以及第一缓冲降噪材。键帽设置于该底板之上;第一支架可枢转地设置于该底板与该键帽之间;第二支架可枢转地设置于该底板与该键帽之间,其中该键帽藉由该第一支架与该第二支架相对于该底板上下移动;第一磁性件设置于该底板上,且该第一磁性件位于该第一支架与该第二支架之间;第二磁性件对应该第一磁性件设置于该第一支架上,以使该键帽藉由该第一磁性件与该第二磁性件间的磁吸力由第一位置移动至第二位置,该第二位置高于该第一位置,其中该第一磁性件具有第一部位,该第二支架具有第二中心端,该第一部位与该第二中心端相邻,且该键帽位于该第二位置时,该第一磁性件与该第二磁性件相对靠近,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位与该第一部位相抵接,该第三部位与该第二中心端相抵接;第一缓 ...
【技术保护点】
一种按键结构,其特征在于包括:底板;键帽,设置于该底板之上;第一支架,可枢转地设置于该底板与该键帽之间;第二支架,可枢转地设置于该底板与该键帽之间,其中该键帽藉由该第一支架与该第二支架相对于该底板上下移动;第一磁性件,设置于该底板上,且该第一磁性件位于该第一支架与该第二支架之间;第二磁性件,对应该第一磁性件设置于该第一支架上,以使该键帽藉由该第一磁性件与该第二磁性件间的磁吸力由第一位置移动至第二位置,该第二位置高于该第一位置,其中该第一磁性件具有第一部位,该第二支架具有第二中心端,该第一部位与该第二中心端相邻,且该键帽位于该第二位置时,该第一磁性件与该第二磁性件相对靠近,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位与该第一部位相抵接,该第三部位与该第二中心端相抵接;以及第一缓冲降噪材,设置于该第一部位与该第二部位之间以及该第二中心端与该第三部位之间。
【技术特征摘要】
1.一种按键结构,其特征在于包括:底板;键帽,设置于该底板之上;第一支架,可枢转地设置于该底板与该键帽之间;第二支架,可枢转地设置于该底板与该键帽之间,其中该键帽藉由该第一支架与该第二支架相对于该底板上下移动;第一磁性件,设置于该底板上,且该第一磁性件位于该第一支架与该第二支架之间;第二磁性件,对应该第一磁性件设置于该第一支架上,以使该键帽藉由该第一磁性件与该第二磁性件间的磁吸力由第一位置移动至第二位置,该第二位置高于该第一位置,其中该第一磁性件具有第一部位,该第二支架具有第二中心端,该第一部位与该第二中心端相邻,且该键帽位于该第二位置时,该第一磁性件与该第二磁性件相对靠近,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位与该第一部位相抵接,该第三部位与该第二中心端相抵接;以及第一缓冲降噪材,设置于该第一部位与该第二部位之间以及该第二中心端与该第三部位之间。2.一种按键结构,其特征在于包括:底板,该底板具有第一结合部与第二结合部;键帽,设置于该底板之上;第一支架,该第一支架具有第一中心端、第一外缘端与第三结合部,该第三结合部位于该第一中心端与该第一外缘端之间,该第三结合部可转动地耦合于该第一结合部,该第一外缘端可转动地耦合于该键帽;第二支架,该第二支架具有第二中心端、第二外缘端与第四结合部,该第四结合部位于该第二中心端与该第二外缘端之间,该第四结合部可转动地耦合于该第二结合部,该第二外缘端可转动地耦合于该键帽,该键帽藉由该第一支架与该第二支架而能相对于该底板上下移动于第一位置与第二位置之间,该第二位置高于该第一位置;第一磁性件,设置于该底板上,该第一磁性件具有第一部位;第二磁性件,设置于该第一支架的该第一中心端,该第一磁性件与该第二磁性件间具有磁吸力,该第二磁性件具有第二部位与第三部位,该第二部位延伸于该第一磁性件上方,该第三部位延伸于该第二支架的该第二中心端上方;以及第一缓冲降噪材,设置于该第二部位与该第一磁性件之间,及该第三部位与该第二支架之间;其中当该按键结构被外力按压,而使该键帽朝向该第一位置移动时,该第一磁性件与该第二磁性件相互远离,该第二磁性件与该第二支架的该第二中心端均向上移动,该第一缓冲降噪材降低该第二磁性件与该第二中心端间的撞击声响;其中当该外力消失,该磁吸力使该键帽朝向该第二位置移动时,该第一磁性件与该第二磁性件相互接近,该第二磁性件的该第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨淞富,张镇安,
申请(专利权)人:苏州达方电子有限公司,达方电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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