一种新型多路光电耦合器电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种新型多路光电耦合器电路，其特征在于：包括二极管、电阻、钽电容、光电耦合器和三极管，所述二极管D1和D2并联后与电阻R1串联，电阻R1的后端与钽电容C1的正极相连，钽电容C1的负极接地GND1；所述光电耦合器的阳极与钽电容C1的正极相连，光电耦合器的阴接地GND1，光电耦合器的集电极连接电源；所述下拉电阻R2与电阻R3并联后连接光电耦合器的发射极。本实用新型专利技术利用光电耦合器的结构和工作环境特点，通过增加三极管和电阻来提高其工作稳定性、抗干扰能力以及负载能力，同时解决了多路光电耦合器同时工作相互之间干扰的安全隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种新型多路光电耦合器电路
本技术涉及一种新型多路光电耦合器电路，属于光电耦合器件电路

技术介绍
光耦合器(Photo-coupler)通过其内部的发光芯片与光感芯片的搭配，完成将电信号转为光信号、光信号再转为电信号的转换，因而适可用作一种电路安全装置。通过光耦合器的使用，可以避免来源端的电信号发生突波、不稳定等状况时，使得接收端的电路因直接电性连接该来源端，而产生譬如晶体管烧毁或电路无法正常运作等情形。目前市场上很多企业生产的光电耦合器主要有1通道、2通道、4通道等，其经常出现稳定性较差、抗干扰能力不强和负载能力差等问题，给产品的使用造成了很大的安全隐患，也给制造企业的声誉造成不小的损失。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种新型多路光电耦合器电路，该新型多路光电耦合器电路利用光电耦合器的结构和工作环境特点，通过增加三极管和电阻来解决以上所述问题。本技术通过以下技术方案得以实现。本技术提供的一种新型多路光电耦合器电路，包括二极管、电阻、钽电容、光电耦合器和三极管，所述二极管D1和D2并联后与电阻R1串联，电阻R1的后端与钽电容C1的正极相连，钽电容C1的负极接地GND1；所述光电耦合器的阳极与钽电容C1的正极相连，光电耦合器的阴接地GND1，光电耦合器的集电极连接电源；所述下拉电阻R2与电阻R3并联后连接光电耦合器的发射极；所述电阻R3的后端与三极管的基极B连接，三极管的发射极E接地GND2。所述三极管为NPN型。所述三极管的参数为0.6A，180V。所述二极管D1和D2的参数为1A，1000V。所述电阻R1为3K欧、R2为4.7K欧、R3为910欧。所述电阻R1功率大于等于0.5W，电阻R2、R3功率大于等于1/8W。所述钽电容C1的参数为10UF，5V。本技术的有益效果在于：利用光电耦合器的结构和工作环境特点，通过增加三极管和电阻来提高其工作稳定性、抗干扰能力以及负载能力，同时解决了多路光电耦合器同时工作相互之间干扰的安全隐患。附图说明图1是本技术的电路原理图；图2是本技术光电耦合器的结构示意图；图3是本技术光电耦合器的部分结构示意图。具体实施方式下面进一步描述本技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。如图1所示，一种新型多路光电耦合器电路，包括二极管、电阻、钽电容、光电耦合器和三极管，所述二极管D1和D2并联后与电阻R1串联，电阻R1的后端与钽电容C1的正极相连，钽电容C1的负极接地GND1；所述光电耦合器的阳极与钽电容C1的正极相连，光电耦合器的阴接地GND1，光电耦合器的集电极连接电源；所述下拉电阻R2与电阻R3并联后连接光电耦合器的发射极；所述电阻R3的后端与三极管的基极B连接，三极管的发射极E接地GND2。其中，所述三极管为NPN型，输出时放大了接受到的电信号，仍然遵循能量守恒，只是把电源的能量转换成电信号的能量；所述三极管的参数为0.6A，180V，可转换频率最大为100MHz，功率最大为350mW；所述二极管D1和D2的参数为1A，1000V，用于防反电路、整流电路、检波电路和稳压电路；所述电阻R1为3K欧、R2为4.7K欧、R3为910欧；所述电阻R1功率大于等于0.5W，电阻R2、R3功率大于等于1/8W；所述钽电容C1的参数为10UF，5V。进一步地，选择电阻R1为3K欧、功率大于等于0.5W，是因为光电耦合器输入端内部的输入电阻小，承受电流能力有限，外部输入的电流冲击容易致其损坏，在输入端加上一个3K欧的电阻R1能够使其得到很好的保护，使用寿命也得到延长，选择功率大于等于0.5W的原因是根据此产品的参数特性，并使光耦模块的工作可靠性、安全性得到进一步保障；选择电阻R2为4.7K欧、功率大于等于1/8W，是因为光电耦合器输出端内部的输出电阻小，承受电流能力有限，外部输入的电流冲击容易致其损坏，在输出端加上一个4.7K欧的电阻R2能够使其得到很好的保护，使用寿命也得到延长，同时也能够为后面的三极管提供一个稳定偏置电压，选择功率大于等于1/8W的原因是根据此产品的参数特性，并使光耦模块的工作可靠性、安全性得到进一步保障；选择电阻R3为910欧、功率大于等于1/8W，是因为输出端内部的三极管的具有一定的驱动能力，如果光耦一旦有高电平输出就很容易形成三极管的饱和导通，易造成负载的损坏，在三极管B极加上一个910欧的电阻R3能够使负载得到很好的保护，使用寿命也得到延长,选择功率大于等于1/8W的原因是根据此产品的参数特性，并使光耦模块的工作可靠性、安全性得到进一步保障；选择钽电容C1参数为10UF，5V，是因为光耦模块在工作时经常出现有外部干扰的情况，加上电容之后可以去除一部分干扰，并使光耦模块的工作可靠性、安全性得到进一步保障。综上所述，本技术的光电耦合器为八路光电耦合器，如图2所示，且每一路光电耦合器之间工作互不干扰，每一路的工作原理相同，所以只选取其中一路作为介绍，单路光电耦合器的结构为：左边的input1、input2和GND为输入端引脚，input1、input2为电信号输入引脚，GND为输入端电源负极，右边为输出端，VCC、output2、GND2为输出端引脚，VCC为电源正极、output2为OC门输出引脚、GND2输出电源负极，如图3所示。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型多路光电耦合器电路，其特征在于：包括二极管、下拉电阻R2、钽电容、光电耦合器和三极管，所述二极管D1和D2并联后与电阻R1串联，电阻R1的后端与钽电容C1的正极相连，钽电容C1的负极接地GND1；所述光电耦合器的阳极与钽电容C1的正极相连，光电耦合器的阴接地GND1，光电耦合器的集电极连接电源；所述下拉电阻R2与电阻R3并联后连接光电耦合器的发射极；所述电阻R3的后端与三极管的基极B连接，三极管的发射极E接地GND2。

【技术特征摘要】
1.一种新型多路光电耦合器电路，其特征在于：包括二极管、下拉电阻R2、钽电容、光电耦合器和三极管，所述二极管D1和D2并联后与电阻R1串联，电阻R1的后端与钽电容C1的正极相连，钽电容C1的负极接地GND1；所述光电耦合器的阳极与钽电容C1的正极相连，光电耦合器的阴接地GND1，光电耦合器的集电极连接电源；所述下拉电阻R2与电阻R3并联后连接光电耦合器的发射极；所述电阻R3的后端与三极管的基极B连接，三极管的发射极E接地GND2。2.如权利要求1所述的新型多路光电耦合器电路，其特征在于：所述三极管为NPN型。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：方明洪，王强，姚良智，彭庆珺，周卓，田国东，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：新型
国别省市：贵州,52