The invention discloses an array substrate and its preparation method, display panel and display device, the electrostatic shielding grounding is disposed between the substrate and the drive control circuit, and is the projection of electrostatic shielding layer on a substrate substrate covering at least the driving control circuit of thin film transistor active layer in the substrate in the orthographic projection the substrate, which can be prepared on a substrate thin film transistor drive control circuit and the preparation of the film layer, active layer of thin film transistor to electrostatic shielding effect, in order to avoid the array substrate preparation damage problem of static outside production equipment generated in the process of thin film transistor.
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展,显示面板越来越向着高集成度和低成本的方向发展。其中,阵列基板行驱动(GateDriveronArray,GOA)技术将薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)栅极驱动电路集成在显示面板的阵列基板上以形成对显示面板的扫描驱动,从而可以省去栅极集成电路(IntegratedCircuit,IC)的绑定(Bonding)区域以及扇出(Fan-out)区域的布线空间。显示面板在制造和使用过程中容易产生静电,使得栅极驱动电路中的薄膜晶体管容易受到静电的影响而损坏,从而导致栅极驱动电路出现工作异常的问题。目前,为了防护静电对栅极驱动电路的影响,一般在阵列基板中设置由开关薄膜晶体管构成的静电释放(Electro-Staticdischarge,静电释放)保护电路来进行静电防护。然而,该ESD保护电路需要在阵列基板完成所有制备过程形成显示面板后才能发挥其静电防护的作用,而无法在阵列基板制备中对薄膜晶体管起静电防护作用,从而导致在阵列基板制备过程中,无法解决由于生产设备产生的静电对薄膜晶体管的损伤问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置,用以解决现有技术中在阵列基板制程中,无法解决由于生产设备产生的静电对薄膜晶体管的损伤问题。因此,本专利技术实施例提供了一种阵列基板,包括:衬底基板、以及位于所述衬底基板上用于驱动的驱动控制电路;其中,所述驱动控制电路包括 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,包括:衬底基板、以及位于所述衬底基板上用于驱动的驱动控制电路;其中,所述驱动控制电路包括多个薄膜晶体管;其特征在于,所述阵列基板还包括:接地的静电屏蔽层;所述静电屏蔽层位于所述衬底基板与所述驱动控制电路之间,且所述静电屏蔽层在所述衬底基板的正投影覆盖所述驱动控制电路中的薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板的正投影。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括:衬底基板、以及位于所述衬底基板上用于驱动的驱动控制电路;其中,所述驱动控制电路包括多个薄膜晶体管;其特征在于,所述阵列基板还包括:接地的静电屏蔽层;所述静电屏蔽层位于所述衬底基板与所述驱动控制电路之间,且所述静电屏蔽层在所述衬底基板的正投影覆盖所述驱动控制电路中的薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板的正投影。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:黑矩阵;所述静电屏蔽层与所述黑矩阵同材质且同层设置。3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述静电屏蔽层为镂空结构,且所述静电屏蔽层在所述衬底基板的正投影覆盖所述驱动控制电路中的各薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板的正投影;或者,所述静电屏蔽层为一整层结构。4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述静电屏蔽层为镂空结构时,所述阵列基板还包括:与所述薄膜晶体管的源漏极层同材质且同层设置的接地线,以及与所述静电屏蔽层同层同材质且电连接设置的静电连接总线;所述接地线通过多个第一过孔与所述静电连接总线电连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:辛利文,张伟,郝延顺,方业周,王广帅,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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