\u672c\u53d1\u660e\u63d0\u4f9b\u4e00\u79cdESD\u5168\u5c4f\u853d\u529f\u80fd\u7b94\u3001ESD\u5168\u5c4f\u853d\u529f\u80fd\u7b94\u7535\u8def\u677f\u53ca\u5236\u9020\u65b9\u6cd5\uff0c\u672c\u53d1\u660e\u7684\u6838\u5fc3\u662fESD\u5168\u5c4f\u853d\u529f\u80fd\u7b94\uff0c\u5b83\u5305\u62ec\u529f\u80fd\u6750\u6599\u5c42\uff0c\u5728\u529f\u80fd\u6750\u6599\u5c42\u7684\u4e0a\u91d1\u5c5e\u5c42\u523b\u8680\u591a\u884c\u3001\u591a\u5217\u6761\u5f62\u91d1\u5c5e\u5757\u6784\u6210\u6761\u5f62\u91d1\u5c5e\u5757\u9635\u5217\u5c42\uff1b\u4e0b\u91d1\u5c5e\u5c42\u523b\u8680\u6210\u7528\u4e8e\u63a5\u5730\u7684\u91d1\u5c5e\u5730\u7ebf\uff0c\u91d1\u5c5e\u5730\u7ebf\u7531\u5e73\u884c\u7684\u7b49\u95f4\u9694\u63a5\u5730\u7ebfA\u3001B\u3001C\u3001D\u2026 And connect A, B, C, D... M line, equal interval grounding wire A, B, C, D... It is located at the transverse spacers of the strip metal block, and overlaps with the ends of the strip metal blocks corresponding to each other, so that each row of strip metal blocks is overlapped with the ground wire, and an electrostatic pulse absorbing tunnel is formed at the overlap. The ESD fully shielded foil layer is placed in any layer of PCB board, and the instantaneous electric energy release network is constructed, so that the components on the circuit board can shield the instantaneous high-voltage electrical pulse energy.
【技术实现步骤摘要】
ESD全屏蔽功能箔、ESD全屏蔽功能箔电路板及制造方法
本专利技术涉及一种ESD全屏蔽功能箔、ESD全屏蔽功能箔电路板及制造方法,属于电子制造
,为电子产品的PCB板制造提供一种全新的ESD全屏蔽功能产品。
技术介绍
本专利技术是以中国专利ZL201410195406.X的技术专利技术《一种具有吸收瞬间高压的电路板芯板及制造方法》为基础,以解决电子设备的电子电路全系统抗瞬间高压脉冲为核心,以解决现实加工工艺难以克服的具体问题为目的而提供一种特殊的功能箔。在电子设备的电路中,为防止瞬间高压脉冲能量,如静电、浪涌及瞬变电势场感应能量的冲击,大都设置有这些瞬变能量的吸收电路,以免因这些瞬变能量击毁敏感电子元器件。目前这些吸收电路都是以分立元件如TVS管、陶瓷压敏电阻、高分子静电抑制器、等保护器中设置在电路中来完成。由于这些分立器件设置在电路中会占用大量的PCB板面积,所以在电子设备的保护上只有在缩小设备体积和提高设备电路保护中进行平衡取舍。这也是当今电子设备的电子电路没有得到全方位的抗瞬间高压电脉冲冲击保护的原因。也因为从制造成本考虑,不可能对电路中的所有敏感器件的所有引脚全面提供保护。中国专利ZL201220475284.6《一种具有全方位抗静电功能的印刷电路板》,采取表贴高分子复合纳米电压变阻软薄膜的方法,可以完全解决单层电路板或双面板及较低密度小规模布线设备的电子电路的抗瞬间高压电脉冲能量的冲击问题,但对大规模、高密度布线的电子电路及多层电路板,这种方案显然是力不从心的。中国专利(ZL201410195406.X),《一种具有吸收瞬间高压电脉冲能量的 ...
【技术保护点】
一种ESD全屏蔽功能箔,包括基本功能箔,基本功能箔有一层功能材料层(1)和功能材料层(1)上下表面附着的金属层,其特征在于:在功能材料层(1)的上金属层刻蚀多行、多列条形金属块构成条形金属块阵列,条形金属块阵列的行、列之间是纵向间隔条L、横向间隔条H,间隔规整排列的条形金属块构成条形金属块阵列层(2);下金属层刻蚀成用于接地的金属地线,金属地线由平行的等间隔接地线A、B、C、D…和连接A、B、C、D…的M线,等间隔接地线A、B、C、D…位于条形金属块阵列的横向间隔条H处,且与各自相对应的条形金属块的一端有重叠,使每一行条形金属块都与地线有重叠,重叠处形成静电脉冲吸收隧道,等间隔接地线A、B、C、D…和M线构成静电脉冲吸收隧道层(3);功能材料层(1)、条形金属块阵列层(2)和静电脉冲吸收隧道层(3)构成ESD全屏蔽功能箔层(4)。在PCB板任何一层夹层中放置ESD全屏蔽功能箔层(4)。
【技术特征摘要】
1.一种ESD全屏蔽功能箔,包括基本功能箔,基本功能箔有一层功能材料层(1)和功能材料层(1)上下表面附着的金属层,其特征在于:在功能材料层(1)的上金属层刻蚀多行、多列条形金属块构成条形金属块阵列,条形金属块阵列的行、列之间是纵向间隔条L、横向间隔条H,间隔规整排列的条形金属块构成条形金属块阵列层(2);下金属层刻蚀成用于接地的金属地线,金属地线由平行的等间隔接地线A、B、C、D…和连接A、B、C、D…的M线,等间隔接地线A、B、C、D…位于条形金属块阵列的横向间隔条H处,且与各自相对应的条形金属块的一端有重叠,使每一行条形金属块都与地线有重叠,重叠处形成静电脉冲吸收隧道,等间隔接地线A、B、C、D…和M线构成静电脉冲吸收隧道层(3);功能材料层(1)、条形金属块阵列层(2)和静电脉冲吸收隧道层(3)构成ESD全屏蔽功能箔层(4)。在PCB板任何一层夹层中放置ESD全屏蔽功能箔层(4)。2.根据权利要求1所述的ESD全屏蔽功能箔层,其特征在于:所述条形金属块阵列层(2)的条形金属块长1.2mm、宽0.6mm,条形金属块阵列的纵向间隔条宽L等于横向间隔条宽H=0.08mm。3.根据权利要求1或2所述的ESD全屏蔽功能箔层,其特征在于:所述静电脉冲吸收隧道层(3)的等间隔接地线A、B、C、D…的宽度等于所述条形金属块阵列层(2)上间隔条的宽度加上重叠部分宽度,每一行条形金属块与地线重叠的宽度相等,重叠部分宽度为S=0.6mm;所述等间隔接地线A、B、C、D…的长度以覆盖住最边上一块条形金属块的底边为限;M线位于等间隔接地线A、B、C、D…的一端,不覆盖条形金属块。4.一种ESD全屏蔽功能箔电路板,包括PCB板其它层(8)、绝缘连接层(5)、中间附铜线层(6)、上导电附铜线层(7)和下导电附铜线层(9),其特征在于:在PCB板任何一层夹层中放置ESD全屏蔽功能箔层(4),ESD全屏蔽功能箔层(4)包括功能材料层(1)、条形金属块阵列层(2)和静电脉冲吸收隧道层(3),条形金属块阵列层(2)是在功能材料层(1)的上部由金属层刻蚀的多行、多列条形金属块阵列,条形金属块阵列的行、列之间是纵、横向间隔条,间隔规整排列的条形金属块构成条形金属块阵列层(2);静电脉冲吸收隧道层(3)是在功能材料层(1)的下部金属层刻蚀成用于接地的金属地线,金属地线由平行的等间隔接地线A、B、C、D…和连接A、B、C、D…的M线,等间隔接地线A、B、C、D…位于条形金属块阵列的横向间隔条处,且与各自相对应的条形金属块的一端有重叠,使每一行条形金属块都与地线有重叠,重叠处形成静电脉冲吸收隧道,等间隔接地线A、B、C、D…和M线构成静电脉冲吸收隧道层(3);中间附铜线层(6)、上导电附铜线层(7)和下导电附铜线层(9)上的每一根非接地线通过镀铜孔连接条形金属块阵列层(2)的至少一个条形金属块;静电脉冲吸收隧道层(3)的金属地线通过镀铜孔与电路板表面主接地线连接。5.根据权利要求4所述的ESD全屏蔽功能箔电路板,其特征在于:所述条形金属块阵列层(2)的条形金属块长1.2mm、宽0.6mm,条形金属块阵列的纵、横向间隔条宽为0.08mm。6.根据权利要求4或5所述的ESD全屏蔽功能箔电路板,其特征在于:所述静电脉冲吸收隧道层(3)的等间隔接地线A、B、C、D…的宽度等于所述条形金属块阵列层(2)上间隔条的宽度加上重叠部分宽度,每一行条形金属块与地线重叠的宽度相等,重叠部分宽度为0.6mm;所述等间隔接地线A、B、C、D…的长度以覆盖住最边上一块条形金属块的底边为限;M线位于等间隔接地线A、B、C、D…的一端,不覆盖条形金属块。7.一种权利要求1~3之一的ESD全屏蔽功能箔层的制作方法,步骤如下:1)制造基本功能箔层:将二张厚度为0.005mm的金属箔表面以普通物理方式或化学方法进行去油污及分子活化处理;将高分子复合纳米电压变阻软薄膜置于两张经处理的金属箔之间,然后一同置于压力热覆机中,热压后取出自然冷却,获得基本功能箔层;2)将基本功能箔层的一面的金属箔以普通刻蚀方式刻蚀成若干个长1.2mm、宽0.6mm,纵、横向间隔条为0.08mm的条形金属块,形成a1—an、b—bn、c1—cn、d1—dn、e1—en、f1—fn.....的条形金属块阵列;3)将基本功能箔的另一面金属箔刻蚀成等间隔接地线形成A、B、C、D和M;位于上下边的接地线的A.D线宽度为0.68mm,分别与a1—an和f1—fn的一端重叠0.6mm,构成连接a1—an、f1—fn至M的静电脉冲吸收隧道;中间的接地线B、C线宽度为1.28mm分别与b1—bn,C1—Cn和d1—dn,e1—en的一端重叠0.6mm,构成连接b—bn、c1—cn、d1—dn、e1—en至M的静电脉冲吸收隧道;多个重叠部分构成多个潜在的脉冲吸收遂道,完成后得到ESD全屏蔽功能箔。8.一种权利要求1~3之一的ESD全屏蔽功能箔层的制作方法,步骤如下:1)将二张...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚德权,王晶,
申请(专利权)人:武汉芯宝科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。