瞬变高压脉冲能量吸收箔制造技术

本实用新型专利技术属于电子制造技术领域，具体涉及一种瞬变高压脉冲能量吸收箔，包括导体基础层，所述导体基础层上设有导体阵列层，导体阵列层与导体基础层之间电连接，所述导体阵列层上铺设有功能材料层，所述功能材料层上设有用于刻蚀电路板附铜线的导体面层，所述功能材料层为高分子复合纳米电压变阻材料。本实用新型专利技术用于解决现有技术中瞬变高压脉冲能量吸收板制作工艺要求高的问题，提供了一种制作简单、成本低廉的解决方案。成本低廉的解决方案。成本低廉的解决方案。

【技术实现步骤摘要】
瞬变高压脉冲能量吸收箔


[0001]本技术属于电子制造
，具体涉及一种瞬变高压脉冲能量吸收箔。

技术介绍

[0002]目前在电子电路的抗脉冲保护方案中，普遍采用在电路板的线路中对电压敏感器件引脚加装单体的脉冲电压释放器件。用的比较广泛的有压敏电阻、tvs管、自恢复式保险丝、高分子静电抑制器等贴片元件，这些非集成元件最大的问题是每个元件必须占用两个焊盘位，要增加保护必须增加电路板占用面积，不适应芯片集成度高速发展带来的电子电路抗脉冲保护量急剧增加的现实问题。
[0003]由我公司研发的集成化的脉冲防护技术《多层瞬变高压脉冲能量吸收双对称矩阵板和电路板及其制造方法》（公开号：CN110062519A），是将集成化的防护材料埋到电路板的夹层中构筑防护网络，它们有一个共同难点就是电路板表面需要保护的点与夹层中的网络构连呼应问题。该专利中的方法要么就是以通孔镀铜方式将表面线路需要进行脉冲防护的点与网络内相关点精确对准连接，要么就是在夹层与表层之间制作一对对精确对应关联焊盘，这些都给制作工艺带来极高的要求，使制造成本变高，也容易出现偏差降低成品率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种瞬变高压脉冲能量吸收箔，本技术，不用改变电路板结构，采用压附式结构将吸收箔与电路板结合，用于解决现有技术中瞬变高压脉冲能量吸收板制作工艺要求高的问题，提供了一种制作简单、成本低廉的解决方案。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种瞬变高压脉冲能量吸收箔，其特征在于：包括导体基础层1，所述导体基础层1上设有导体阵列层2，导体阵列层2与导体基础层1之间电连接，所述导体阵列层2上铺设有功能材料层3，所述功能材料层3上设有用于刻蚀电路板附铜线的导体面层4，所述功能材料层3为高分子复合纳米电压变阻材料。
[0007]进一步地，所述导体面层4为镀铜层。
[0008]进一步地，所述导体基础层1为铜箔。
[0009]进一步地，所述导体阵列层2为导电银浆在导体基础层1表面印刷而成。
[0010]进一步地，所述导体阵列层2主要由若干独立的导体阵列单元纵横排列而成。
[0011]进一步地，所述导体阵列单元为矩形。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：本技术制作了一种独立的吸收箔，压附在电路板表面，不需要通孔镀铜连接，也无需夹层与表面的精准对位，使功能的实现及其简单，用于解决现有技术中瞬变高压脉冲能量吸收板制作工艺要求高的问题，从而使电路板上敏感电子器件得到高压脉冲保护；提供了一种制作简单、成本低廉的解决方案。
附图说明
[0013]图1是瞬变高压脉冲能量吸收箔的示意图。
[0014]图2是瞬变高压脉冲能量吸收箔的示意图。
[0015]图中：1、导体基础层；2、导体阵列层；3、功能材料层；4、导体面层。
具体实施方式
[0016]下面将结合具体实施例对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]如图1所示，一种瞬变高压脉冲能量吸收箔，包括导体基础层1，导体基础层1上印制有导体阵列层2，导体阵列层2上铺设有功能材料层3，在功能材料层3上表面电镀（电镀技术或溅镀技术）一层用于刻蚀电路板附铜线的铜箔层（即导体面层4），厚度为15um—30um。
[0018]所述导体基础层1为优选厚度为15—30um的铜箔。
[0019]如图2所示，所述导体阵列层2由若干独立的导体阵列单元纵横排列而成，为采用现有丝网印刷技术在导体基础层1的表面将导电银浆印刷成满幅的纵横整齐排列的小矩形格。小矩形格的边长为0.3—1.8mm，厚度为40um，间隔为0.1mm。
[0020]所述功能材料优选为本公司于2012年开发的高分子复合纳米电压变阻材料软薄膜，公开在本公司申请的以下专利中：《高分子复合纳米电压变阻软薄膜及其制作方法》申请号201210314982.2、《具有吸收瞬间高压电脉冲能量的功能电路板芯板及制造方法》申请号201410195406.X、《ESD全屏蔽功能箔、ESD全屏蔽功能箔电路板及制造方法》申请号201710644436.8等。
[0021]所述功能材料层3采用为现有丝网印刷技术将一层功能材料印刷到导体阵列层2表面，然后采用150℃高温经60min固化后形成一层薄膜，在导体阵列层2面上的厚度为20—50um，在各小矩形格的间隔处厚度为60—90um，其中功能材料厚度＞50um的位置是完全绝缘关系，功能材料≤50um的部位可形成电子隧道结关系。
[0022]功能材料的特性：在正常电压下为绝缘体，当材料两端有一个异常高压出现时，它变为导体，当这个异常电压过后它又恢复为绝缘体。
[0023]使用及原理说明：
[0024]（1）将上述吸收箔压附在电路板表面，导体基础层1接地，对导体面层4刻蚀出电路板的附铜线，再安装电子元件。电路板上需要保护的敏感电子元件的引脚的焊盘落在功能材料层3上的无论哪个部位，都必有至少一个导体阵列层2的阵列点与之对应；
[0025]在导体面层4的附铜线线路下面由于导体基础层1平面上凸起的小矩形格的表面和小矩形格四边的沟壑中填满一定厚度的功能材料后，产生的平面与内部结构的落差造就了能量吸收阵列，使阵列上的任一个点都通过功能材料与线路都有自然形成相呼应的对应关系；其中功能材料厚度＞50um的位置是完全绝缘关系，功能材料≤50um的部位可形成电子隧道结关系。当线路任何一点出现异常高电压时，这一点的电子隧道结就会被触发打开，这个异常电压就会以电流的形势通过电子隧道被下面的这个阵列点吸收掉（向电路板的地线瞬间释放），从而保护电路板上的敏感电子器件不受高压脉冲的影响；
[0026]（2）当元件的连接附铜线线宽≤0.3mm时（导体面层4刻蚀出的附铜线），可在对应附铜线上任选一位置预留一个边长为0.3—1.8mm矩形铜盘，此时这条附铜线上的元件引脚就通过这个铜盘与电路板中的某个阵列点建立了对应关系；
[0027]（3）当元件焊盘大于矩形铜盘尺寸时，连接附铜线则不需要预留铜盘，元件焊盘本身已起到铜盘的作用。
[0028]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种瞬变高压脉冲能量吸收箔，其特征在于：包括导体基础层（1），所述导体基础层（1）上设有导体阵列层（2），导体阵列层（2）与导体基础层（1）之间电连接，所述导体阵列层（2）上铺设有功能材料层（3），所述功能材料层（3）上设有用于刻蚀电路板附铜线的导体面层（4），所述功能材料层（3）为高分子复合纳米电压变阻材料。2.根据权利要求1所述的瞬变高压脉冲能量吸收箔，其特征在于：所述导体面层（4）为镀铜层。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，龚德权，吴丰顺，马浩轩，罗磐，
申请(专利权)人：武汉芯宝科技有限公司，
类型：新型
国别省市：