QSFP四通道小型封装接口线制造技术

本发明专利技术公开了一种QSFP四通道小型封装接口线，包括八股线芯组、包覆于所述八股线芯组外的第一屏蔽层以及第一屏蔽层之外的第一外被，每个所述线芯组包括两条芯线、同时绕包所述两条芯线的第二屏蔽层以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被，所述芯线包括内导体及绕包于所述内导体之外的绝缘体层，所述绝缘体层为FEP材料，且绝缘体层的形状呈藕状多孔结构。本发明专利技术绝缘阻燃性高、高温特性好，且能大幅降低绝缘的介电常数和信号衰减损耗。

【技术实现步骤摘要】
QSFP四通道小型封装接口线
本专利技术涉及电子信号线材
，特别涉及一种QSFP四通道小型封装接口线。
技术介绍
QSFP（QuadSmallForm-factorPluggable）：四通道SFP接口(QSFP)，QSFP是为了满足市场对更高密度的高速可插拔解决方案的需求而诞生的。这种4通道的可插拔接口传输速率达到了40Gbps以上。中国专利ZL201520300136.4公开了一种低噪音QSFP传输线，包括八股线芯组、包覆于所述八股线芯组外的屏蔽层以及包覆于所述屏蔽层外的外被；每个所述线芯组包括两条芯线、同时绕包所述两条芯线的第一铝箔层以及绕包于所述第一铝箔层外的第一麦拉；所述芯线包括导体和绕包于所述导体外的绝缘层。目前，QSFP四通道小型封装接口线的所述绝缘层为采用PE绝缘层，其强度不足，介电常数较大，导致其衰减、回波损耗、差分转共模信号损耗高，且阻燃性差，不耐高低温冲击。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是根据上述现有技术的不足，提供一种绝缘阻燃性高、高温特性好，且能大幅降低绝缘的介电常数和信号衰减损耗的QSFP四通道小型封装接口线。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种QSFP四通道小型封装接口线，包括八股线芯组、包覆于所述八股线芯组外的第一屏蔽层以及第一屏蔽层之外的第一外被，每个所述线芯组包括两条芯线、同时绕包所述两条芯线的第二屏蔽层以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被，所述芯线包括内导体及绕包于所述内导体之外的绝缘体层，所述绝缘体层为FEP材料，且绝缘体层的形状呈藕状多孔结构。作为对本专利技术的进一步阐述：优先地，所述第一屏蔽层为铝箔层，厚度为6-25μm。优先地，所述第一外被为阻燃PVC材料外被。优先地，所述第一外被与第一屏蔽层之间还设有第三屏蔽层，所述第三屏蔽层为镀锡铜层，厚度为95-105μm。优先地，所述内导体为镀银铜导体，直径为40-511μm。优先地，所述第二屏蔽层为热熔自粘铝箔层，厚度为6-25μm.优先地，所述第二外被为热融PET带层，厚度为6-25μm。优先地，所述第二屏蔽层内还设有一地线，所述地线位于两条所述芯线夹缝一侧.优先地，所述地线为镀银铜导体，直径为40-511μm。优先地，所述八股线芯组分为两股内线芯组和六股外线芯组，所述两股内线芯组对称设置于接口线的中部，所述六股外线芯组环形均布于内线芯组的外侧。本专利技术的有益效果是：其一、芯线的绝缘体层为FEP材料，使得绝缘阻燃性高，且由于FEP材料的高温特性，可在高温200度环境下使用；其二、芯线的绝缘体层的形状呈藕状多孔结构，大幅降低了绝缘的介电常数，信号衰减损耗降低20%以上。附图说明图1为QSFP四通道小型封装接口线的截面结构示意图。图2为QSFP四通道小型封装接口线的单股芯线截面结构示意图。图中：1.线芯组；11.芯线；111.内导体；112.绝缘体层；12.第二屏蔽层；13.第二外被；14.地线；2.第一屏蔽层；3.第一外被；4.第三屏蔽层。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作进一步详细说明。如图1和图2所示，本专利技术为一种QSFP四通道小型封装接口线，包括八股线芯组1、包覆于所述八股线芯组1外的第一屏蔽层2以及第一屏蔽层之外的第一外被3，每个所述线芯组1包括两条芯线11、同时绕包所述两条芯线11的第二屏蔽层12以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被13，所述芯线11包括内导体111及绕包于所述内导体之外的绝缘体层112，所述绝缘体层112为FEP材料，且绝缘体层112的形状呈藕状多孔结构。四通道小型可插拔（QSFP+）模块具有四个独立的全双工收发通道。它的设计初衷是用高密度的模块替代单通道的SFP+,QSFP+只比标准的单通道SFP+模块大30%，而每通道的传输速率完全媲美单通道的SFP+,这意味着在相同面板上可以配置更多的端口数量。采用多孔藕状结构绝缘更降低了20%的衰减损耗。如图1所示，所述第一屏蔽层2为铝箔层，厚度为6-25μm。如图1所示，所述第一外被3为阻燃PVC材料外被。如图1所示，所述第一外被3与第一屏蔽层2之间还设有第三屏蔽层4，所述第三屏蔽层4为镀锡铜层，厚度为95-105μm，屏蔽率大于80%。如图1和图2所示，所述内导体111为镀银铜导体，直径为40-511μm。如图1和图2所示，所述第二屏蔽层12为热熔自粘铝箔层，厚度为6-25μm.如图1和图2所示，所述第二外被13为热融PET带层，厚度为6-25μm。如图1和图2所示，所述第二屏蔽层12内还设有一地线14，所述地线14位于两条所述芯线11夹缝一侧。优选地，所述地线14为镀银铜导体，直径为40-511μm。如图1所示，所述八股线芯组1分为两股内线芯组和六股外线芯组，每股线芯组1外均设有线号标记15；所述两股内线芯组对称设置于接口线的中部，所述六股外线芯组环形均布于内线芯组的外侧。线材结构紧凑，传输速度可以高达40Gbps，满足了人们更快的数据传输速度的需求，同时防止了信号噪音。以上所述，仅是本专利技术较佳实施方式，凡是依据本专利技术的技术方案对以上的实施方式所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均属于本专利技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
QSFP四通道小型封装接口线，包括八股线芯组、包覆于所述八股线芯组外的第一屏蔽层以及第一屏蔽层之外的第一外被，每个所述线芯组包括两条芯线、同时绕包所述两条芯线的第二屏蔽层以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被，所述芯线包括内导体及绕包于所述内导体之外的绝缘体层，其特征在于：所述绝缘体层为FEP材料，且绝缘体层的形状呈藕状多孔结构。

【技术特征摘要】
1.QSFP四通道小型封装接口线，包括八股线芯组、包覆于所述八股线芯组外的第一屏蔽层以及第一屏蔽层之外的第一外被，每个所述线芯组包括两条芯线、同时绕包所述两条芯线的第二屏蔽层以及绕包于所述第二屏蔽层外的第二外被，所述芯线包括内导体及绕包于所述内导体之外的绝缘体层，其特征在于：所述绝缘体层为FEP材料，且绝缘体层的形状呈藕状多孔结构。2.根据权利要求1所述的QSFP四通道小型封装接口线，其特征在于：所述第一屏蔽层为铝箔层，厚度为6-25μm。3.根据权利要求1所述的QSFP四通道小型封装接口线，其特征在于：所述第一外被为阻燃PVC材料外被。4.根据权利要求1所述的QSFP四通道小型封装接口线，其特征在于：所述第一外被与第一屏蔽层之间还设有第三屏蔽层，所述第三屏蔽层为镀锡铜层，厚度为95-105μm。5.根据权利要求1所述的QSFP四通道小型封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾利宾，于国庆，李军，
申请(专利权)人：东莞金信诺电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44