一种超大功率COB光源及其制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种超大功率COB光源，包括铜基板、氮化铝陶瓷基板及倒装晶片，氮化铝陶瓷基板包括陶瓷基板、第一铜层、金属层及第二铜层，第一铜层覆于陶瓷基板的上表面，金属层覆于第一铜层的上表面，倒装晶片设于金属层的上方并与金属层，第二铜层覆于陶瓷基板的下表面，铜基板设于第二铜层的下方并与第二铜层连接。本发明专利技术还提供了一种超大功率COB光源的制作工艺。本发明专利技术提供的超大功率COB光源及其制作工艺，其结构、工艺简单，最大限度地发挥了各结构导热的优点，良好的导热性能、优越的热阻结构更适用于超大电流高密度光源的应用，从而更好地适用于户内和户外大功率灯具的需求。

An ultra high power COB light source and its fabrication process

The invention discloses a high-power COB light source, including copper substrate, aluminum nitride ceramic substrate and flip chip, aluminum nitride ceramic substrate comprises a ceramic substrate, a first copper layer and a metal layer and the two layer of copper, copper coated on the first ceramic substrate on the surface of metal coated on the surface of copper in the first layer. In the above flip chip metal layer and metal layer under the surface of the second copper coated on ceramic substrate, below the copper substrate is arranged on the second copper layer and connected with the second copper layer. The invention also provides a manufacturing process of a super power COB light source. Super power COB light source and its producing process provided by the invention, the simple structure and process, to maximize the advantages of each structural application, good thermal conductivity and excellent thermal resistance of structure is more suitable for ultra high density current source, therefore it is more suitable for indoor and outdoor lamps demand.

【技术实现步骤摘要】
一种超大功率COB光源及其制作工艺
本专利技术涉及一种超大功率COB光源及其制作工艺。
技术介绍
目前超大功率COBLED光源在业界通常以COBLED的形式来呈现。目前市场的基板材质分为金属基板和陶瓷基板两种结构。金属基板，分为铜基板和铝基板，正装基板目前分为铜基板结构和铝基板，倒装COB基板目前基板最好为超导铝结构，导热系数均不佳，热阻偏大，导致100W及以上的大功率COBLED光源导热不足。陶瓷基板进行封装时，陶瓷基板易碎且不易固定，因为打孔难度大；优异的导热性能会导致陶瓷基板难焊线，焊盘难上锡导致不能焊接大铜芯的电线，难以满足超大功率灯具的大电流应用。以上不足，有待改善。
技术实现思路
为了克服现有的技术的不足,本专利技术提供一种超大功率COB光源及其制作工艺。本专利技术技术方案如下所述：一种超大功率COB光源，包括铜基板、氮化铝陶瓷基板及倒装晶片，所述氮化铝陶瓷基板包括陶瓷基板、第一铜层、金属层及第二铜层，所述第一铜层覆于所述陶瓷基板的上表面，所述金属层覆于所述第一铜层的上表面，所述倒装晶片设于所述金属层的上方并与所述金属层，所述第二铜层覆于所述陶瓷基板的下表面，所述铜基板设于所述第二铜层的下方并与所述第二铜层连接。进一步地，所述金属层由镍、钯及金构成。进一步地，所述第二铜层与所述铜基板通过锡膏焊接。进一步地，所述倒装晶片与所述金属层采用共晶的方式连接。进一步地，所述铜基板为热电分离铜基板，两边分别为电通道，中间为热通道。进一步地，所述氮化铝陶瓷基板的厚度为0.38mm～2mm，铜基板的厚度为1.0mm～3.0mm。本专利技术的另一个目的在于提供一种超大功率COB光源的制作工艺，包括：S1：准备材料，具体为：准备的材料包括氮化铝陶瓷基板、铜基板及倒装晶片；S2：扩晶，具体为：将倒装晶片扩开，便于固晶；S3：点共晶助焊膏，具体为：将助焊膏挤入固晶机的点胶盘，用最小号的固晶点胶针将助焊膏点在氮化铝陶瓷基板上；S4：固晶，具体为：将倒装晶片放置在助焊膏的上方；S5：共晶作业，具体为：采用共晶炉进行共晶焊接作业，使倒装晶片与氮化铝陶瓷基板紧密结合；S6：第一次测试，具体为：测试共晶COB光源各光电参数是否合格；S7：喷涂荧光粉；具体为：用荧光粉喷涂机把共晶焊作业处理的COB光源喷涂荧光粉，在喷涂过程进行测试监控，保证色温色区的准确性；S8：烘烤，具体为：COB光源的烘烤条件需根据荧光粉的烘烤条件而定，一般为120度/2h转或150度/2h；S9：第二次测试，具体为：测试COB光源各光电参数是否合格；S10：切割COB光源：具体为：氮化铝陶瓷基板为连片，需利用切割机对COB光源进行切割；S11：贴氮化铝陶瓷基板，具体为：在铜基板上印刷锡膏，然后将已切割好的COB光源半成品贴在铜基板上；S12：回流焊作业，具体为：采用回流焊作业将COB光源半成品和铜基板进行固定；S13：第三次测试，具体为：测试COB光源各光电参数是否合格；S14：包装入库，具体为：用吸塑盒进行真空包装，再装箱入库。进一步地，在步骤S1中，氮化铝陶瓷基板采用DPC工艺制成，DPC的工艺为在陶瓷基板的上表面覆第一铜层，在第一铜层的上表面覆金属层，在陶瓷基板的下表面覆第二铜层。进一步地，金属层采用沉镍钯金工艺制成。进一步地，在步骤S1中，铜基板上表面的焊盘采用沉金工艺或采用防氧化处理。根据上述方案的本专利技术，其有益效果在于，本专利技术提供的超大功率COB光源及其制作工艺，其结构、工艺简单，最大限度地发挥了各结构导热的优点，良好的导热性能、优越的热阻结构更适用于超大电流高密度光源的应用，从而更好地适用于户内和户外大功率灯具的需求。附图说明图1为本专利技术的氮化铝陶瓷基板共晶结构意图。图2为本专利技术的电分离铜基板结构示意图。图3为本专利技术的COB光源结构示意图。图4为本专利技术的结构侧视图。图5为本专利技术的COB光源的制作工艺图。在图中，附图标记如下：1-铜基板；11-电通道；12-热通道；13-定位孔；2-氮化铝陶瓷基板；21-陶瓷基板；22-第一铜层；23-金属层；24-第二铜层；3-倒装晶片。具体实施方式下面结合附图以及实施方式对本专利技术进行进一步的描述：术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。如图1至图4所示，一种超大功率COB光源，包括铜基板1、氮化铝陶瓷基板2及倒装晶片3，氮化铝陶瓷基板2包括陶瓷基板21、第一铜层22、金属层23及第二铜层24，第一铜层22覆于陶瓷基板21的上表面，金属层23覆于第一铜层22的上表面，倒装晶片3设于金属层23的上方并与金属层23连接，第二铜层24覆于陶瓷基板21的下表面，铜基板1设于第二铜层24的下方并与第二铜层24连接。本实施例的提供的超大功率COB光源的有益效果为：本专利技术提供的大功率COB光源，其结构简单，最大限度地发挥了各结构导热的优点，氮化铝陶瓷基板2有良好的导热性能、优越的低热阻结构更适用于大电流高密度光源的应用，从而更好地适用于户内和户外大功率灯具的需求。进一步地，金属层23由镍、钯及金构成。进一步地，倒装晶片3与金属层23采用共晶的方式连接。由于共晶工艺中氮化铝陶瓷基板温度达到320℃甚至更高，陶瓷基板2上表面的第一铜层22和金属层23能够很好的保证了共晶工艺的品质和稳定性，倒装晶片3为金锡合金衬底，正负极均为金锡合金，在氮化铝陶瓷基板2与倒装晶片3之间辅以助焊膏，使两者达到完美固定并结合，将导热导电性能提升到了极致，热阻低到了极致，用共晶工艺后空洞率降低，保证氮化铝陶瓷基板2表面不变色，品质稳定。进一步地，第二铜层24与铜基板1通过锡膏焊接。锡膏为高温锡膏，熔点在217℃，高温锡膏的导热系数达到50W/(m·K)，导热系数良好，并且又有很好的导电性、稳定性、耐候性等特点，因此采用锡膏焊接不仅保证了光源的一体化导电导热性能，也保证了氮化铝与铜基板良好的结合度。进一步地，铜基板1为热电分离铜基板，两边分别为电通道11，中间为热通道12。铜基板1为凸台结构，散热通过凸台直接导入铜基板1，正负极焊盘在绝缘层，热电分离结构设计结合度好，空洞率低，保证了整个COB光源结构的稳定性和一致性。在本实施例中，氮化铝陶瓷基板2的下表面的线路也为热电分离结构，在氮化铝陶瓷基板2与铜基板1进行回流焊作业时，保证了铜基板1与氮化铝陶瓷基板2的锡膏回流焊效果。在本实施例中，氮化铝陶瓷基板2的厚度为0.38mm～2mm，铜基板1的厚度为1.0mm～3.0mm。氮化铝陶瓷基板2设置的厚度为0.38mm～2mm范围，保证了低热阻，同时加工也方便；铜基板1厚度的设定，主要是从固定光源的刚度出发，厚度太薄铜基板1易翘曲，因此设定铜基板1的厚度与铜基板1的面积大小有关系，铜基板1面积较大，则厚度越大，铜基板1面积越小，则厚度可稍降低，为方便供应商作业，将铜基板1的厚度设置在1.0mm～3.0mm范围内。在本实施例中，铜基板1的角部设有定位孔13，用于将铜基板1固定在大功率灯具上，保证COB光源在灯具上的完美结合。如图5所示，本专利技术的另一个目的在于提供一种超大功率COB光源的制作工艺，包括：S1：准备材料，具体为：准备的材料包括氮化铝陶瓷基板、铜基板及倒装晶片；S2：扩晶，具体为：将倒装晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超大功率COB光源，其特征在于，包括铜基板、氮化铝陶瓷基板及倒装晶片，所述氮化铝陶瓷基板包括陶瓷基板、第一铜层、金属层及第二铜层，所述第一铜层覆于所述陶瓷基板的上表面，所述金属层覆于所述第一铜层的上表面，所述倒装晶片设于所述金属层的上方并与所述金属层，所述第二铜层覆于所述陶瓷基板的下表面，所述铜基板设于所述第二铜层的下方并与所述第二铜层连接。

【技术特征摘要】
1.一种超大功率COB光源，其特征在于，包括铜基板、氮化铝陶瓷基板及倒装晶片，所述氮化铝陶瓷基板包括陶瓷基板、第一铜层、金属层及第二铜层，所述第一铜层覆于所述陶瓷基板的上表面，所述金属层覆于所述第一铜层的上表面，所述倒装晶片设于所述金属层的上方并与所述金属层，所述第二铜层覆于所述陶瓷基板的下表面，所述铜基板设于所述第二铜层的下方并与所述第二铜层连接。2.根据权利要求1所述的超大功率COB光源，其特征在于，所述金属层由镍、钯及金构成。3.根据权利要求1所述的超大功率COB光源，其特征在于，所述第二铜层与所述铜基板通过锡膏焊接。4.根据权利要求1所述的超大功率COB光源，其特征在于，所述倒装晶片与所述金属层采用共晶的方式连接。5.根据权利要求1所述的超大功率COB光源，其特征在于，所述铜基板为热电分离铜基板，两边分别为电通道，中间为热通道。6.根据权利要求1所述的超大功率COB光源，其特征在于，所述氮化铝陶瓷基板的厚度为0.38mm～2mm，铜基板的厚度为1.0mm～3.0mm。7.一种超大功率COB光源的制作工艺，其特征在于，包括：S1：准备材料，具体为：准备的材料包括氮化铝陶瓷基板、铜基板及倒装晶片；S2：扩晶，具体为：将倒装晶片扩开，便于固晶；S3：点共晶助焊膏，具体为：将助焊膏挤入固晶机的点胶盘，用最小号的固晶点胶针将助焊膏点在氮化铝陶瓷基板上；S4：固晶，具体为：将倒装晶片放置在助焊膏的上方；S5：共晶作业，具体为：采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈军毅，马志华，丁涛，
申请(专利权)人：深圳市立洋光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44