【技术实现步骤摘要】
DC灭弧电路
本专利技术涉及灭弧电路,尤其涉及一种DC灭弧电路。
技术介绍
目前,设备要么在插DC电源时没有做灭弧设计,在插上电源插头时有放电现象发生,要么开关控制较复杂,其实现成本高,还有就是导通电阻较高。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题,本专利技术提供了一种DC灭弧电路。本专利技术提供了一种DC灭弧电路,包括NMOS管Q1、电容C1、电阻R2、电阻R1、稳压二极管D2,其中,所述NMOS管Q1的漏极接地,源极分别与所述电容C1、电阻R2的一端连接,栅极分别与所述电容C1、电阻R2的另一端连接,所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端连接,所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管D2的输入端连接,所述稳压二极管D2的输出端连接于电压输入端。作为本专利技术的进一步改进,所述DC灭弧电路还包括二极管D3,所述二极管D3的输入端与所述NMOS管Q1的源极连接,所述二极管D3的输出端与所述NMOS管Q1的栅极连接。作为本专利技术的进一步改进,所述DC灭弧电路还包括二极管D1,所述二极管D1的输入端与所述NMOS管Q1的源极连接,所述二极管D1的输出端连接于电压输入端。作为本专利技术的进一步改进,所述DC灭弧电路还包括电容C2,所述电容C2的一端连接于电压输入端,另一端与所述NMOS管Q1的漏极连接。作为本专利技术的进一步改进,所述DC灭弧电路还包括与DC插头的负极连接的负极端子,所述负极端子与所述NMOS管Q1的源极连接。作为本专利技术的进一步改进,所述DC灭弧电路还包括与DC插头的正极连接的正极端子,所述正极端子连接于电压输入端。本专利技术的有益效果是:通过上 ...
【技术保护点】
一种DC灭弧电路,其特征在于:包括NMOS管Q1、电容C1、电阻R2、电阻R1、稳压二极管D2,其中,所述NMOS管Q1的漏极接地,源极分别与所述电容C1、电阻R2的一端连接,栅极分别与所述电容C1、电阻R2的另一端连接,所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端连接,所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管D2的输入端连接,所述稳压二极管D2的输出端连接于电压输入端。
【技术特征摘要】
1.一种DC灭弧电路,其特征在于:包括NMOS管Q1、电容C1、电阻R2、电阻R1、稳压二极管D2,其中,所述NMOS管Q1的漏极接地,源极分别与所述电容C1、电阻R2的一端连接,栅极分别与所述电容C1、电阻R2的另一端连接,所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端连接,所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管D2的输入端连接,所述稳压二极管D2的输出端连接于电压输入端。2.根据权利要求1所述的DC灭弧电路,其特征在于:所述DC灭弧电路还包括二极管D3,所述二极管D3的输入端与所述NMOS管Q1的源极连接,所述二极管D3的输出端与所述NMOS管Q1的栅极连接。3.根据权利要求1所述的D...
【专利技术属性】
技术研发人员:李勋,
申请(专利权)人:深圳市和为顺网络技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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