DC灭弧电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种DC灭弧电路，包括NMOS管Q1、电容C1、电阻R2、电阻R1、稳压二极管D2，其中，所述NMOS管Q1的漏极接地，源极分别与所述电容C1、电阻R2的一端连接，栅极分别与所述电容C1、电阻R2的另一端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管D2的输入端连接，所述稳压二极管D2的输出端连接于电压输入端。本实用新型专利技术的有益效果是:在插DC插头时，可实现灭弧设计，电路简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】
DC灭弧电路
本技术涉及灭弧电路，尤其涉及一种DC灭弧电路。
技术介绍
目前，设备要么在插DC电源时没有做灭弧设计，在插上电源插头时有放电现象发生，要么开关控制较复杂，其实现成本高，还有就是导通电阻较高。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种DC灭弧电路。本技术提供了一种DC灭弧电路，包括NMOS管Q1、电容C1、电阻R2、电阻R1、稳压二极管D2，其中，所述NMOS管Q1的漏极接地，源极分别与所述电容C1、电阻R2的一端连接，栅极分别与所述电容C1、电阻R2的另一端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管D2的输入端连接，所述稳压二极管D2的输出端连接于电压输入端。作为本技术的进一步改进，所述DC灭弧电路还包括二极管D3，所述二极管D3的输入端与所述NMOS管Q1的源极连接，所述二极管D3的输出端与所述NMOS管Q1的栅极连接。作为本技术的进一步改进，所述DC灭弧电路还包括二极管D1，所述二极管D1的输入端与所述NMOS管Q1的源极连接，所述二极管D1的输出端连接于电压输入端。作为本技术的进一步改进，所述DC灭弧电路还包括电容C2，所述电容C2的一端连接于电压输入端，另一端与所述NMOS管Q1的漏极连接。作为本技术的进一步改进，所述DC灭弧电路还包括与DC插头的负极连接的负极端子，所述负极端子与所述NMOS管Q1的源极连接。作为本技术的进一步改进，所述DC灭弧电路还包括与DC插头的正极连接的正极端子，所述正极端子连接于电压输入端。本技术的有益效果是：通过上述方案，在插DC插头时，可实现灭弧设计，电路简单，成本低。附图说明图1是本技术一种DC灭弧电路的示意图。具体实施方式下面结合附图说明及具体实施方式对本技术作进一步说明。如图1所示，一种DC灭弧电路，包括NMOS管Q1、电容C1、电阻R2、电阻R1、稳压二极管D2，其中，所述NMOS管Q1的漏极接地，源极分别与所述电容C1、电阻R2的一端连接，栅极分别与所述电容C1、电阻R2的另一端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管D2的输入端连接，所述稳压二极管D2的输出端连接于电压输入端。如图1所示，所述DC灭弧电路还包括二极管D3，所述二极管D3的输入端与所述NMOS管Q1的源极连接，所述二极管D3的输出端与所述NMOS管Q1的栅极连接。如图1所示，所述DC灭弧电路还包括二极管D1，所述二极管D1的输入端与所述NMOS管Q1的源极连接，所述二极管D1的输出端连接于电压输入端。如图1所示，所述DC灭弧电路还包括电容C2，所述电容C2的一端连接于电压输入端，另一端与所述NMOS管Q1的漏极连接。如图1所示，所述DC灭弧电路还包括与DC插头的负极连接的负极端子100，所述负极端子100与所述NMOS管Q1的源极连接。如图1所示，所述DC灭弧电路还包括与DC插头的正极连接的正极端子，所述正极端子连接于电压输入端。本技术提供的一种DC灭弧电路的工作原理为：1.二极管D1主要起钳位作用，防止在DC插座插入瞬间的过压损坏NMOS管Q1。2.二极管D1、电阻R1、电阻R2、电容C1、NMOS管Q1起延迟开关的作用，输入电压通过电阻R1对电容C1充电，电容C1两端的电压缓慢上升，NMOS管Q1的G极（栅极）电压也跟着缓慢上升，NMOS管Q1从截至到亚阈值导通到完全导通，输入滤波电容上的电压也跟着缓慢上升，从而给负载供电的电压也缓慢上升，供电电流也慢慢增加，防止了DC插头上电瞬间,电流过大造成的电弧放电。改变稳压二极管D2的稳压值可以改变输入电压值。3.二极管D3主要起钳位作用，防止NMOS管Q1的G极电压过高而损坏。本技术提供的一种DC灭弧电路具有以下优点：1.开关MOS选用NMOS实现，控制电路电路简单。2.相同电压及电流的MOS管，NMOS较PMOS成本低。3.导通电阻更低。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DC灭弧电路，其特征在于：包括NMOS管Q1、电容C1、电阻R2、电阻R1、稳压二极管D2，其中，所述NMOS管Q1的漏极接地，源极分别与所述电容C1、电阻R2的一端连接，栅极分别与所述电容C1、电阻R2的另一端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管D2的输入端连接，所述稳压二极管D2的输出端连接于电压输入端。

【技术特征摘要】
1.一种DC灭弧电路，其特征在于：包括NMOS管Q1、电容C1、电阻R2、电阻R1、稳压二极管D2，其中，所述NMOS管Q1的漏极接地，源极分别与所述电容C1、电阻R2的一端连接，栅极分别与所述电容C1、电阻R2的另一端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述稳压二极管D2的输入端连接，所述稳压二极管D2的输出端连接于电压输入端。2.根据权利要求1所述的DC灭弧电路，其特征在于：所述DC灭弧电路还包括二极管D3，所述二极管D3的输入端与所述NMOS管Q1的源极连接，所述二极管D3的输出端与所述NMOS管Q1的栅极连接。3.根据权利要求1所述的D...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勋，
申请(专利权)人：深圳市和为顺网络技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44